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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>德州仪器推栅极驱动器旨在满足IGBT与SiC FET需求

德州仪器推栅极驱动器旨在满足IGBT与SiC FET需求

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2024-07-19 17:15:2724573

碳化硅栅极驱动器的选择标准

利用集成负偏压来关断栅极驱动在设计电动汽车、不间断电源、工业驱动器和泵等高功率应用时,系统工程师更倾向于选择碳化硅 (SiC) MOSFET,因为与 IGBT 相比,SiC 技术具有更高的效率
2024-08-20 16:19:071290

使用隔离式 IGBTSiC 栅极驱动器的 HEV/EV 牵引逆变器设计指南

电子发烧友网站提供《使用隔离式 IGBTSiC 栅极驱动器的 HEV/EV 牵引逆变器设计指南.pdf》资料免费下载
2024-09-11 14:21:390

德州仪器获16亿美元美国芯片补贴

和创新。 这笔资金将重点投向德州仪器目前正在得克萨斯州和犹他州建设的三个晶圆厂项目。这些晶圆厂是德州仪器扩大产能、提升技术水平的重要布局,对于满足全球市场对高性能芯片的需求具有重要意义。 德州仪器作为全球领先的半导体公司之一,一直致力
2024-12-23 13:36:441076

UCC5881-Q1 具有高级保护功能的汽车级 20A 实时可变 IGBT/SiC MOSFET 隔离式栅极驱动器数据手册

UCC5881-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的可调驱动强度栅极驱动器旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件包括功率晶体管保护,例如基于分流电阻
2025-05-15 11:32:02821

UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽车级 3.75kVrms 30A 单通道功能安全隔离栅极驱动器数据手册

UCC5870-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶体管保护,例如基于分流电阻的过流
2025-05-16 17:32:51728

UCC23513 5.7kVrms,4A/5A单通道光兼容隔离栅极驱动器数据手册

电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBTSiC 功率 FET。可以驱动低侧和高侧功率 FET,与基于光耦合栅极驱动器相比,FET 带来了显著的性能和可靠性升级,同时在原理图和布局设计中保持了引脚对引脚的兼容性。
2025-05-24 14:43:00793

Texas Instruments UCC23113隔离式栅极驱动器数据手册

Texas Instruments UCC23113隔离式栅极驱动器是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器,用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。该器件具有5A峰值输出拉电流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704

德州仪器LM2104半桥栅极驱动器技术解析

Texas Instruments LM2104半桥栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N沟道MOSFET,具有同步降压或半桥配置。 此栅极驱动器在GVDD上具有8V典型欠压锁定,在BST上具有
2025-08-11 10:15:14965

德州仪器UCC21550-Q1双通道栅极驱动器技术解析

和6A峰值灌电流,可驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。UCC21550/UCC21550-Q1驱动器是光隔离栅极驱动器,配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。通过
2025-08-11 14:36:401139

UCC21755-Q1汽车级SiC/IGBT栅极驱动器技术解析

Texas Instruments UCC21755-Q1汽车栅极驱动器设计用于高达2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高级保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性。
2025-08-27 15:17:201657

德州仪器UCC5871-Q1汽车级IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器技术解析

Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器,设计用于驱动EV/HEV应用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741

UCC21737-Q1 汽车级SiC/IGBT隔离栅极驱动器技术解析

Texas Instruments UCC21737-Q1单通道栅极驱动器是一款电流隔离式栅极驱动器,设计用于工作电压高达2121V DC的SiC MOSFET和IGBT,具有先进的保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性。该器件具有高达 ±10A的峰值拉电流和灌电流。
2025-09-09 15:37:02774

‌UCC23313 光耦兼容型单通道隔离栅极驱动器技术文档总结

V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBTSiC 功率 FET。UCC23313可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合的标准栅极驱动器相比,关键特性和特性带来了显着的性能和可靠性升级,同时在原理图和布局设计中保持引脚到引脚的兼容性。
2025-10-15 15:22:57495

如何为EliteSiC匹配栅极驱动器

为EliteSiC匹配栅极驱动器指南旨在针对各类高功率主流应用,提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导,同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法,以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。
2025-11-13 09:46:33342

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC栅极驱动器解析

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC栅极驱动器解析 在电力电子领域,栅极驱动器驱动功率半导体器件(如IGBTSiC MOSFET)的关键组件。今天我们来详细探讨英飞凌
2025-12-20 14:25:02658

探索GD3162:先进IGBT/SiC栅极驱动器的卓越性能

探索GD3162:先进IGBT/SiC栅极驱动器的卓越性能 作为电子工程师,在设计xEV牵引逆变器时,选择合适的栅极驱动器至关重要。今天,我们就来深入了解一下NXP的GD3162——一款先进的单通道
2025-12-24 14:25:02223

德州仪器 CLC007 串行数字电缆驱动器:高速数字应用的理想之选

德州仪器 CLC007 串行数字电缆驱动器:高速数字应用的理想之选 身为电子工程师,我们在高速数字信号处理和传输领域不断探索,力求找到性能卓越、可靠性高且易于集成的器件。德州仪器的 CLC007
2026-01-04 16:20:0248

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