德州仪器 (TI) 宣佈推出业界最小型1.8A有刷DC 达驱动器,持续拓展其不断成长的低电压DRV8x马达驱动器产品系列。该DRV8837 与最接近的同类竞争产品相比尺寸缩小75%,可实现更精巧、时
2012-08-22 09:08:53
1917 
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:33
2029 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出三款最新 DC/DC LED 驱动器,其可在专业级室内外 LED 照明应用中为高色彩渲染及超低调光简化白色调节。TPS92660 两串 LED 驱动器
2013-05-07 09:52:53
2179 日前,德州仪器(TI)宣布推出一款集成式栅极驱动器,该器件提供了可调节的栅极驱动设置,可在更为宽泛的范围内,灵活的驱动外部场效应晶体管(FET),从而支持多种电机,以
2015-07-06 14:35:11
4454 近日,德州仪器 (TI) 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:11
3206 英飞凌提供500多种EiceDRIVER™栅极驱动器解决方案,用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔离型栅极驱动器、 电平转换栅极驱动器以及非隔离低边驱动器,从而满足各种功率半导体技术和功率转换拓扑的设计要求。
2019-01-29 09:58:32
30416 
大家好,看到TI一篇关于IGBT和SiC器件栅极驱动应用的文档,虽然比较基础,但是概括的比较好,适合电力电子专业的初学者,总体内容如下。
2022-11-25 09:20:30
2088 日前,德州仪器 (TI) 在欧洲照明技术策略大会 (the Strategies in Light Europe conference) 上宣布推出两款高度集成的相位可调光 AC/DC LED 照明驱动器 LM3448 与 TPS92070
2011-10-20 09:30:06
1498 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器,进一步壮大其 MOSFET 驱动器产品阵营。
2012-01-10 09:11:32
7160 。设计人员可以使用ADI公司,飞兆半导体公司,凌力尔特公司,德州仪器公司等公司的栅极驱动器实现高效的全桥和半桥功率级。
2019-01-23 08:23:00
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:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动
2024-05-23 11:23:22
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从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项,在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项:栅极误导通首先需要了解的是:接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
德州仪器推荐使用的元器件
2013-09-03 21:18:24
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
IGBT 栅极驱动器 – ISO5852s,工作电压隔离为 1.5kVrms,最小 CMTI 为 50 kV/μs整合了针对过流和误开启的保护功能,采用:DESAT 检测软关断有源米勒钳位满足
2018-12-27 11:41:40
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比,SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
使用隔离式IGBT和SiC栅极驱动器的HEV/EV牵引逆变器设计指南
2022-11-02 12:07:56
现货NXP: BLF7G20LS-250P,Freescale: P408ESSE1PNB, Xilinx : XC7K160T-2FFG676ITI(德州仪器) : ADS58C23IPFP
2013-05-11 22:02:18
过。另据报道,与基于IGBT的电机驱动器相比,使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和传统的栅极驱动器可以带来更高的效率[3]。在驱动应用中使用 SiC-MOSFET 的优势可以通过 CSD
2023-02-21 16:36:47
作为应用全SiC模块的应用要点,本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上,介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。全SiC模块的驱动模式与基本结构这里会针对下述条件与电路结构,使用缓冲电容器
2018-11-27 16:36:43
将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
频率将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
电子书“IGBT 和 SiC 栅极驱动器基础知识”
2022-10-25 17:20:12
德州仪器,IGBT最大做到多少功率,官网看到那些都是很小电流的
2019-04-01 14:46:49
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩(电动汽车充电站)应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制,采用节省空间的窄体SO-8封装,通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率,STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间,并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
飞兆半导体推业界领先的高压栅极驱动器IC
2016-06-22 18:22:01
JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级
2023-05-11 20:38:23
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 S
2023-05-11 20:45:39
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或
2023-05-12 12:26:54
德州仪器推出全新8通道高压双极DAC系列满足低功耗应用需求
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出 6 款最新数模转换器 (DAC),其可提供 12、14 以及 16 位版本,并采用 SPI 或并行
2009-12-14 08:41:19
1155 德州仪器 (TI) 宣布推出一款带 4 通道分组式延迟的串行控制 16 通道恒流LED 驱动器,TLC59282 可通过对 LED 输出开关进行摆动处理来最大限度降低同步开关噪声
2011-02-18 09:13:00
1165 德州仪器 (TI)日前推出一款带 4 通道分组式延迟的串行控制 16 通道恒流LED 驱动器 TLC59282,该器件的最大特点是,分组式通道延迟(4通道一组)可最大限度地降低同步开关噪声
2011-03-31 10:35:10
1744 德州仪器 (TI) 宣布面向气囊部署推出TPIC71004-Q1四通道气囊爆管驱动器,从而可提供具有高可靠性与低成本优势的优化集成型标准器件。
2011-05-13 08:43:31
1451 德州仪器(TI)宣布面向移动消费类及工业设计推出业界最高集成度的压电式触觉驱动器。
2011-07-22 14:46:16
2990 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首款最新系列集成型三相无刷电机前置驱动器。该 DRV8301 是目前市场上集成度最高的前置驱动器,与性能最接近的集成解决方案相比可将板级空间锐减达
2011-09-14 15:27:28
819 德州仪器 (TI) 宣布推出具有业界最高性能-功耗比的最新单双通道模数转换器 (ADC) 驱动器,进一步壮大了其通用型低功耗轨至轨输出运算放大器的产品阵营。与类似解决方案相比,该 O
2011-11-15 10:58:27
1449 德州仪器(TI)是全球领先的数字信号处理与模拟技术半导体供应商,德州仪器(TI)亦是推动因特网时代不断发展的半导体引擎。
2011-12-12 16:25:04
2487 德州仪器(TI)宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。
2012-02-11 09:59:08
3262 
日前,德州仪器 (TI) 宣布针对其非调光 LED 驱动器产品系列推出一款最新离线式初级侧感应控制器。最新支持功率因数校正 (PFC) 的 TPS92310 AC/DC 恒流驱动器可为 A19、PAR30/38 以及
2012-03-22 08:25:13
1734 
德州仪器 (TI) 宣布推出全差动模数转换器 (ADC) 驱动器,比同类器件性能功耗比提高 8 倍以上,重新定义了低功耗放大器市场。
2012-03-31 08:56:04
2469 日前,德州仪器(TI) 宣布推出全差动模数转换器(ADC) 驱动器,比同类器件性能功耗比提高8 倍以上,重新定义了低功耗放大器市场。THS4531 全差动放大器静态电流仅为250 uA,带宽
2012-04-05 09:03:02
1173 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款运行散热性能比实力最接近的竞争产品高 30% 的 2.5 A 步进电机驱动器。该高集成 DRV8818 支持低 RDS(ON),可提高散热效率,缩小电路板级空间,抑制环境温
2012-04-18 13:56:50
2952 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款面向有刷 DC 及步进电机的最新低电压器件,进一步壮大其不断丰富的高集成 DRV8x 电机驱动器产品阵营
2012-04-18 13:58:58
2893 
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等
2012-04-23 16:48:00
1357 德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器
2012-04-24 09:56:41
4662 
本内容介绍了德州仪器(TI)的流量计解决方案,TI可提供用于激励磁场线圈的PWM驱动器和高压输出DAC
2012-12-03 16:34:05
2063 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款支持可调节开关频率与电流感应阀值的大功率多拓扑 DC/DC LED 驱动器,其可为汽车前大灯、雾灯以及通用照明提供设计高灵活性与低电磁干扰 (EMI)。
2013-07-24 11:43:42
1396 近日,德州仪器(TI)推出了首款面向高功率锂离子电池应用的单芯片100V高压侧 FET 驱动器。该驱动器可提供先进的电源保护和控制。
2016-02-22 11:22:43
1517 
的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比,IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用,因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:05
22 此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩(电动汽车充电站)应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS
2017-12-25 11:13:00
0 德州仪器(TI)11日推出崭新的LED系列驱动器,该系列驱动器集成了独立的色彩混合、亮度控制和节约功率模式。LP5018、LP5024、LP5030及LP5036支持平滑、逼真的色彩,还可降低功耗。
2018-12-12 14:49:51
2049 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分;驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:00
5319 
ADI隔离栅极驱动器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:17
73 意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间,简化电路设计。
2022-02-15 14:23:26
1774 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 单通道栅极驱动器旨在调节碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄体 SO-8 封装,可节省空间并具有精确的PWM 控制
2022-08-03 09:47:01
2625 
随着新型功率晶体管(例如 SiC Mosfets)越来越多地用于电力电子系统,因此有必要使用特殊的驱动器。隔离式栅极驱动器通过提供对 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制,旨在满足 SiC(碳化硅
2022-08-09 09:03:00
3179 
德州仪器汽车应用参考设计精选
2022-11-07 08:07:24
1 半导体器件是现代电力电子系统的核心。这些系统利用许多门控半导体器件,如普通晶体管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作为开关模式电源(SMPS)、通用电源(UPS)和电机驱动器中的开关元件。电力电子的现代技术发展通常跟随功率半导体器件的发展。
2023-04-04 10:23:45
1365 所有类型的电动汽车(EV)的高功率、高电压要求,包括电动公交车和其他电子交通电源系统,需要更高的碳化硅(SiC)技术来取代旧的硅FET和IGBT。安全高效地驱动这些更高效的SiC器件可以使用数字而不是模拟栅极驱动器来实现,许多非汽车或非车辆应用将受益。
2023-05-06 09:38:50
3175 电源是电子设备的基础,其中的栅极驱动器是稳定提供设备电源的关键。栅极驱动器是一种功率放大器,它接受来自控制器芯片的低功率输入,并为高功率晶体管(例如IGBT或功率MOSFET)的栅极产生高电流驱动
2023-06-08 14:03:09
1039 额外的电路通常比专用 SiC 占用更多的空间。因此,高端设计通常选择专用的 SiC 核心驱动器,这会考虑到更快的开关、过压条件以及噪声和 EMI 等问题。他说:“你总是可以使用标准栅极驱动器,但你必须用额外的电路来补充它,通常这就是权衡。”
2023-10-09 14:21:40
1509 
电子发烧友网站提供《PMP30629.1-具有集成开关PSR反激式转换器的隔离式2.5W SiC和IGBT栅极驱动器 PCB layout 设计.pdf》资料免费下载
2024-05-17 14:34:53
1 电子发烧友网站提供《TIDA-020030-具有热敏二极管和感应 FET 的 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器 PCB layout 设计.pdf》资料免费下载
2024-05-16 15:09:31
0 德州仪器 (TI) 今日发布低功耗氮化镓 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系统效率,同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。德州仪器的 GaN 场效应晶体管 (FET
2023-12-01 12:16:04
2266 报告内容包含:
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT(绝缘栅双极晶体管)
驱动器进化以支持 SiC(碳化硅)
2023-12-18 09:39:57
995 
融合和决策能力,可以实现更高水平的自主性。德州仪器的新款驱动器芯片 DRV3946-Q1 集成式接触器驱动器和 DRV3901-Q1 集成式热熔丝爆管驱动器可支持软件编程,能够提供内置诊断功能并支持功能
2024-01-09 12:15:48
2105 
德州仪器 (TI) 今日在2024年国际消费类电子产品展览会 (CES) 上,发布了其新款半导体产品,旨在提升汽车的安全性和智能性。这些新产品包括AWR2544 77GHz毫米波雷达传感器芯片和两款驱动器芯片,它们都采用了尖端技术,以满足汽车行业日益增长的需求。
2024-01-09 14:04:14
1696 Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
2024-05-23 11:26:30
1651 近日,Littelfuse公司发布了IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器,这款新型驱动器在业界引起了广泛关注。
2024-05-23 11:34:21
1464 栅极驱动器芯片的原理是什么 栅极驱动器芯片是一种用于控制功率电子器件(如IGBT、MOSFET等)栅极电压的集成电路。它在电力电子领域中具有重要应用,如电机驱动、开关电源、太阳能逆变器等。本文将详细
2024-06-10 17:23:00
3609 起着至关重要的作用。选型标准是确保栅极驱动器能够满足特定应用需求的关键因素。以下是一篇详尽、详实、细致的关于栅极驱动器选型标准的文章。 ### 引言 栅极驱动器作为电力电子系统中的核心组件,其性能直接影响到整个系统的性能和可靠性。因此,在选择栅
2024-06-10 17:24:00
1860 栅极驱动器(Gate Driver)是一种电路,主要用于增强场效应晶体管(MOSFET)或绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的栅极信号,以便控制器能够更好地控制这些半导体开关的操作。它通过将控制器输出
2024-07-19 17:15:27
24573 利用集成负偏压来关断栅极驱动在设计电动汽车、不间断电源、工业驱动器和泵等高功率应用时,系统工程师更倾向于选择碳化硅 (SiC) MOSFET,因为与 IGBT 相比,SiC 技术具有更高的效率
2024-08-20 16:19:07
1290 
电子发烧友网站提供《使用隔离式 IGBT 和 SiC 栅极驱动器的 HEV/EV 牵引逆变器设计指南.pdf》资料免费下载
2024-09-11 14:21:39
0 和创新。 这笔资金将重点投向德州仪器目前正在得克萨斯州和犹他州建设的三个晶圆厂项目。这些晶圆厂是德州仪器扩大产能、提升技术水平的重要布局,对于满足全球市场对高性能芯片的需求具有重要意义。 德州仪器作为全球领先的半导体公司之一,一直致力
2024-12-23 13:36:44
1076 UCC5881-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的可调驱动强度栅极驱动器,旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件包括功率晶体管保护,例如基于分流电阻器
2025-05-15 11:32:02
821 
UCC5870-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器,旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶体管保护,例如基于分流电阻器的过流
2025-05-16 17:32:51
728 
电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。可以驱动低侧和高侧功率 FET,与基于光耦合器的栅极驱动器相比,FET 带来了显著的性能和可靠性升级,同时在原理图和布局设计中保持了引脚对引脚的兼容性。
2025-05-24 14:43:00
793 
Texas Instruments UCC23113隔离式栅极驱动器是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器,用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。该器件具有5A峰值输出拉电流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13
704 
Texas Instruments LM2104半桥栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N沟道MOSFET,具有同步降压或半桥配置。 此栅极驱动器在GVDD上具有8V典型欠压锁定,在BST上具有
2025-08-11 10:15:14
965 
和6A峰值灌电流,可驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。UCC21550/UCC21550-Q1驱动器是光隔离栅极驱动器,配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。通过
2025-08-11 14:36:40
1139 
Texas Instruments UCC21755-Q1汽车栅极驱动器设计用于高达2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高级保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性。
2025-08-27 15:17:20
1657 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器,设计用于驱动EV/HEV应用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22
741 
Texas Instruments UCC21737-Q1单通道栅极驱动器是一款电流隔离式栅极驱动器,设计用于工作电压高达2121V DC的SiC MOSFET和IGBT,具有先进的保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性。该器件具有高达 ±10A的峰值拉电流和灌电流。
2025-09-09 15:37:02
774 
V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比,关键特性和特性带来了显着的性能和可靠性升级,同时在原理图和布局设计中保持引脚到引脚的兼容性。
2025-10-15 15:22:57
495 
为EliteSiC匹配栅极驱动器指南旨在针对各类高功率主流应用,提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导,同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法,以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。
2025-11-13 09:46:33
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6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC栅极驱动器解析 在电力电子领域,栅极驱动器是驱动功率半导体器件(如IGBT和SiC MOSFET)的关键组件。今天我们来详细探讨英飞凌
2025-12-20 14:25:02
658 探索GD3162:先进IGBT/SiC栅极驱动器的卓越性能 作为电子工程师,在设计xEV牵引逆变器时,选择合适的栅极驱动器至关重要。今天,我们就来深入了解一下NXP的GD3162——一款先进的单通道
2025-12-24 14:25:02
223 德州仪器 CLC007 串行数字电缆驱动器:高速数字应用的理想之选 身为电子工程师,我们在高速数字信号处理和传输领域不断探索,力求找到性能卓越、可靠性高且易于集成的器件。德州仪器的 CLC007
2026-01-04 16:20:02
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