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电子发烧友网>存储技术>美光新10纳米DRAM已量产 攻移动设备市场

美光新10纳米DRAM已量产 攻移动设备市场

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率先于业界推出1α DRAM制程技术

的 1α 技术节点使内存解决方案更节能、更可靠,并为需要最佳低功耗 DRAM 产品的移动平台带来运行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28:081182

DRAM芯片工艺可提升密度40%

本周二公布其用于DRAM的1α新工艺,该技术有望将DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工艺最初被用于生产DDR4和LPDDR4内存,未来或将但覆盖所有类型的DRAM
2021-01-29 15:03:442841

出货全球最先进的1β技术节点DRAM

有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,其采用全球最先进技术节点的1β DRAM产品开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术,其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有
2022-11-02 11:31:271096

正式出货全球最先进的 1β技术节点DRAM

β DRAM 产品开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。率先在低功耗 LPDDR5X 移动内存上采用该新一代制程技术,其最高速率可达每秒 8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升,将为市场带来巨大收益。除了移动应用,基于 1β 节点的
2022-11-02 11:50:511703

出货全球最先进的1β技术节点DRAM

β DRAM产品开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术,其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能
2022-11-02 17:27:481537

发布基于1-alpha技术制造的LPDDR5X芯片

推出了最新的DRAM芯片,其采用了1-beta制造技术,大幅提高了芯片的能效和内存密度。称计划在明年开始量产这种芯片。
2022-11-03 10:49:011189

科技在日本广岛开始量产尖端存储器DRAM

最新消息,据日本共同社报道,科技位于日本广岛县东广岛市的子公司“日本光存储器公司”,已于16日在该市广岛工厂启动最尖端DRAM(动态随机存取存储器)的量产。 据悉,量产的最新产品名为“1
2022-11-28 10:40:521736

【行业资讯】推出先进的1β技术节点DRAM

内存与存储解决方案领先供应商科技(Micron Technology Inc.)宣布,其采用全球最先进技术节点的1βDRAM产品开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。
2023-02-01 16:13:053032

反超SK海力士,跃居第二大DRAM供应商

在芯片行业持续衰退的情况下,美国芯片制造商科技公司九年来首次超越韩国 SK 海力士公司成为全球动态随机存取存储器 (DRAM) 市场的第二大厂商。 根据台湾市场研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:061184

宣布减产至30%!

称,2023 年的行业需求预测目前较低,但整个行业供应量的大幅减少开始稳定市场。去年 11 月份,宣布将存储芯片减产 2 成。财报内容显示,专注于库存管理和控制供应,近期将 DRAM 和 NAND 晶圆开工率进一步减少至近 30%,预计减产将持续到 2024 年。
2023-06-30 15:01:321047

商务部部长会见CEO:欢迎继续扎根中国市场

目前,公司在西安拥有DRAM产品包装及模块制造工厂,在上海运营尖端ssd和移动nand产品的设计中心。公司还在中国经营着三家客户研究所
2023-11-03 14:28:021197

HBM市场火爆!与SK海力士今年供货告罄

指出,专为AI、超级计算机设计的HBM3E预计2024年初量产,有望于2024会计年度创造数亿美元的营收。Mehrotra对分析师表示,“2024年1~12月,HBM预估全数售罄”。
2024-02-27 10:25:151036

科技: 纳米印刷助降DRAM成本

近期的演示会上,详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出,DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得愈发复杂。
2024-03-05 16:18:241316

计划部署纳米印刷技术,降低DRAM芯片生产成本

3 月 5 日消息,科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术,从而进一步降低生产 DRAM 存储芯片的单层成本。 公司近日举办了一场演讲,介绍在将纳米印刷技术应用于 DRAM 生产的一些细节
2024-03-06 08:37:35838

科技携手三星打造Galaxy S24系列,开启移动AI体验时代

Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布,三星 Galaxy S24 系列的部分设备搭载低功耗 LPDDR5X 内存和 UFS 4.0 移动闪存存储,为全球手机用户带来强大的人工智能(AI)体验。
2024-03-15 16:59:211061

SK海力士、三星电子年内启动1c纳米DRAM内存量产

三星近期在Memcon 2024行业会议中声称,计划于今年底以前实现1c nm工艺的量产。另据行业消息人士透露,SK海力士确定在第三季度实现1c纳米DRAM内存的商业化生产。
2024-04-09 16:53:051425

232层QLC NAND芯片量产并出货,推出SSD新品

科技近期宣布,其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着光在NAND技术领域再次取得了显著进步,巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。
2024-04-29 10:36:341553

232层QLC NAND现已量产

科技近日宣布了重大技术突破,其先进的232层QLC NAND闪存已成功实现量产,并已部分应用于Crucial英睿达固态硬盘(SSD)中。此外,还推出了2500 NVMeTM SSD,该产品面向企业级存储客户大规模生产,并向PCOEM厂商提供了样品。
2024-05-06 10:59:251099

将在日本广岛建DRAM芯片制造工厂,2027年底或将竣工

近期发布公告,将斥资45至55亿美元在日本广岛建设DRAM芯片制造工厂,以引入顶尖EUV设备,预计最早于2027年末实现先进DRAM量产
2024-05-28 16:38:401922

科技将在日本广岛新建DRAM芯片工厂

近日,科技宣布,将在日本广岛县建立一座新的DRAM芯片生产工厂,预计最早于2027年底正式投入运营。该项目的总投资预估在6000亿至8000亿日元之间,体现了对于日本市场及全球半导体产业的坚定信心。
2024-05-31 11:48:231570

日本广岛DRAM新厂预计2027年量产

全球知名的DRAM大厂,早在去年就宣布了其在日本广岛的重大投资计划。据悉,计划斥资6,000至8,000亿日元,在广岛兴建一座全新的DRAM工厂。这一项目预计将在2026年初破土动工,最快有望在2027年底前完成厂房建设、机台设备安装,并正式投入营运。
2024-06-14 09:53:101341

量产第九代NAND闪存技术产品

全球领先的存储解决方案提供商科技今日宣布了一项重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技术的固态硬盘(SSD)正式进入量产出货阶段,标志着成为业界首家达成此里程碑的企业。这一创新技术的推出,不仅彰显了光在制程技术和设计创新领域的卓越实力,更为数据存储市场树立了新的性能标杆。
2024-08-01 16:38:461251

科技将于2025年投产EUV DRAM

随着人工智能(AI)技术的广泛应用,从云服务器到消费设备,AI需求正呈现爆炸式增长。科技,作为全球领先的半导体制造商,积极应对这一趋势。
2024-10-29 17:03:051171

科技计划大规模扩大DRAM产能

据业内消息,科技预计今年将继续积极扩大其DRAM产能,与去年相似。得益于美国政府确认的巨额补贴,近期将具体落实对现有DRAM工厂进行改造的投资计划。   去年底,科技宣布将在
2025-01-07 17:08:561311

宣布 1γ DRAM 开始出货:引领内存技术突破,满足未来计算需求

率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的 1γ(1-gamma)第六代(10 纳米级)DRAM 节点 DDR5 内存样品。得益于此前在 1α(1-alpha)和 1
2025-02-26 13:58:15533

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