美光科技(Micron)16日宣布进一步推动DRAM产品的革新,其开始采用业界首个1z nm的工艺节点批量生产16Gb DDR4内存。 与上一代1Y nm相比,该公司将使用1z nm节点来改善
2019-08-20 10:22:36
8531 1、美光科技:为Redmi K30 Pro提供LPDDR5 DRAM内存 3月20日消息 Redmi K30 Pro手机将于3月24日发布。美光科技今日表示,将为Redmi K30 Pro提供
2020-03-21 09:33:32
5597 美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana认为,全新的 1α 技术将为手机行业带来最低功耗的 DRAM,针对今年云端市场、5G手机和汽车内存需求带动DRAM产能紧缺,他也发表了专业的看法。
2021-02-02 17:07:44
8655 美光宣布使用新型1α制造工艺生产的DRAM开始批量出货,这是目前世界上最先进的DRAM制造技术。1α制造工艺最初会用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4内存生产上,随着时间的推移,未来将用
2021-01-27 15:37:31
3660 1月27日,美光宣布批量出货基于1α (1-alpha) 节点的DRAM产品。对比美光上一代1z DRAM制程1α技术将内存密度提升了40%。
2021-01-28 09:52:49
3182 美光科技今日宣布,MediaTek Inc. ( 联发科技 ) 已在其全新的 5G 旗舰智能手机芯片天玑 9000 平台上完成了对美光 LPDDR5X DRAM 内存的验证。
2021-11-24 10:12:03
2305 
美光基于 1β 先进制程的 DRAM 速率高达 8,000 MT/s,为生成式 AI 等内存密集型应用提供更出色的解决方案 2023 年 11 月 22 日,中国上海 —— Micron
2023-11-24 15:08:02
2333 
有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布,基于美光 232 层 NAND技术的 3500 NVMe™ 固态硬盘(SSD) 现已向客户出货,用于满足商业应用、科学计算、新款游戏和内容创作对工作负载的严苛
2023-12-13 13:44:25
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生产出像素尺寸为0.2的图像传感器。”该分析师表示。“但在他讲话后不到一周,美光就宣布能够生产0.17的像素尺寸。” 实际上,美光的竞争对手三星电子是美光的最大图像传感器客户之一。三星也销售图像传感器。他说:“我们的消息暗示,美光在一个月以前获得了三星的几项design win。”:
2018-11-20 16:03:30
EDB4416BBBH-1DIT-F-D内存芯片EDB4416BBBH-1DIT-F-R美光科技(Micron Technology, Inc.) 宣布推出第三代低延迟DRAM (RLDRAMR 3
2022-01-21 08:22:09
客户需求。他亦看好网路、伺服器等资讯基础建设产品,为了因应未来的发展,美光不会放弃任何购并的机会。此外,三星电子计划大举扩张资本支出,业者认为,恐引发DRAM将再度供过于求。美光并不担心DRAM
2022-01-21 08:28:38
MT62F8D1AEK-DCZ8BFP内存芯片MT62F8D1CEK-DCZ8CKQ在摩根大通全球技术大会上,美光首席执行官Sanjay Mehrotra对后续市场需求的成长保持乐观态度。首先是看好
2021-12-27 16:04:03
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 编辑
观点:尽管NAND闪存市场需求在一定程度上受到了经济形势的影响,但美光市场却逆势增长,其市场份额首次突破20%大光。这是其
2012-09-24 17:03:43
`CFMS2018近日成功举办,来自三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储等全球存储业大咖,与行业人士共同探讨3D NAND技术的发展未来。我们来看看他们都说了什么。三星:看好在UFS市场的绝对优势
2018-09-20 17:57:05
演愈烈,内存的性能成为新的瓶颈。早在2017年,负责计算机内存技术标准的组织JEDEC就宣称将在2018年完成DDR5内存的最终标准,美光、三星等内存厂商在2018年也就开始研发16GB的DDR5产品
2022-10-26 16:37:40
***地区厂商达17.9%。由于三星、海力士与美光等厂商在产能配置上着重于Flash颗粒以及CMOS Image Sensor等产品,2007年仅***地区厂商大量的扩充DRAM产品的产能,因此未来***地区厂商DRAM销售额比重仍将持续攀高。
2008-05-26 14:43:30
时间回到2018年第一季度,三星、东芝、美光等公司的NAND芯片利润率是40%,但是第一季度过后NAND价格就开始暴降,据统计去年上半年NAND闪存价格下跌了至少50%,而根据分析师表示,未来每年
2021-07-13 06:38:27
大家好,我做FPGA开发,需要用到大的内存,ise12只有美光和现代的库,我对美光内存使用有如下疑惑:美光2G内存位宽16位,速率可达200M,4G内存怎么才8位,速率还慢,才125M~150MHz.这样的话,用更多的内存反而降低性能?
2013-06-22 21:46:08
全球的DRAM营收就达到了234.5亿美元,其中移动DRAM的份额增长最快。这得益于智能手机以及搭载高存储密度的设备的发展,随着物联网和云计算的流行,DRAM的密度是越来越高。清华紫光收购美光启动
2016-07-29 15:42:37
第二部分:DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存
2008-08-05 11:41:30
0 Micron美光公司因其DRAM和NAND快闪存储器技术创新获得半导体Insight奖
美光科技股份有限公司近日宣布,Semiconductor Insights选择美光公司两项业内领先的D
2009-05-08 10:39:06
1236 美光今天也宣布了另外一种DDR3内存的登场:30nm工艺制造的DDR3L-RS DRAM已经开始批量供应,主要针对超极本、平板机等超轻薄计算设备。
2012-09-19 11:32:24
2145 内存市场DRAM及NAND Flash的需求强盛,美国存储厂商美光计划将上调4%的季度营收。近日内存价格因淡季效应而略显弱势,但是内存厂商盈利依然不减。
2018-02-08 10:17:18
940 虽然近期DRAM及NAND Flash价格走势因淡季效应而略显弱势,但是并不影响记内存厂商的获利表现。美国存储厂商美光(Micron)昨日宣布调升2018年会计年度第二季(去年12月1日至今年3月
2018-07-06 11:56:00
729 美光宣布,已经开始批量生产下一代GDDR6显存颗粒,也是DRAM三巨头中的最后一家,三星、SK海力士此前都已经量产并出货GDDR6。不但进度慢,美光GDDR6在规格上也落后其他两家,目前单颗容量都是8Gb(1GB),后期才会做到16Gb(2GB)——GDDR6最大允许做到单颗32Gb(4GB)。
2018-08-14 16:12:43
1336 在美光分析师及投资者大会上,美光针对其业务以及存储市场进行了分析和展望。美光认为未来美光业务增长的关键在于数据中心、移动、汽车、物联网四大领域,且看好市场需求呈现翻倍的增长。
2018-08-22 16:40:41
1484 关键词:美光 , 人工智能 美光科技有限公司宣布,将通过战略投资实体美光风投为高度专注于人工智能和机器学习领域的初创公司提供高达 1 亿美元的投资。此公告于首届 Micron Insight
2018-10-17 15:45:01
234 美国爱达荷州博伊西,2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司(纳斯达克代码:MU)今天宣布旗下 QLC(四级单元)NAND 技术提升市场领导地位的进一步举措——其广受欢迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:30
1626 美光总裁、CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示,为了适应当前市场的状况,美光将减少DRAM内存及NAND闪存芯片的产量。根据美光的数据,2019年他们预测DRAM内存产量增加15%,低于此前预测的20%增长,而NAND闪存预计增长35%,也低于之前预计的35-40%增长率。
2018-12-21 11:15:05
4225 DRAM产能受限,最终推动了DRAM价格的持续上涨。但是,三星、SK海力士、美光等DRAM大厂也可能存在“串谋限制DRAM内存芯片供应”,以操控DRAM价格的垄断行为。
2019-01-15 14:51:20
5331 作为全球知名的存储器厂商,近日,美光召开了2019年投资者大会,在大会中上,美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技术的发展以及规划。
2019-05-24 16:56:35
4645 继台积电、三星晶圆代工、英特尔等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光(EUV)微影技术后,同样面临制程微缩难度不断增高的DRAM厂也开始评估采用EUV技术量产。三星电子今年第四季将开始利用EUV技术生产1z纳米DRAM,SK海力士及美光预期会在1α纳米或1β纳米评估导入EUV技术。
2019-06-18 17:20:31
3118 作为中国DRAM产业的领导者,长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变,用自主研发的DRAM技术和专利,引领中国实现DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00
832 根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出,日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布,将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生
2019-08-19 15:45:22
3762 日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存,这是第三代10nm级内存工艺,这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司,这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。
2019-08-26 12:43:00
4364 美光科技股份有限公司推出业内容量最高的单片式 16Gb 低功耗双倍数据率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能够在单个智能手机中提供高达 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM),显示了美光为当前和下一代移动设备提供卓越内存容量和性能的前沿地位。
2019-09-10 10:28:00
5101 昨日,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。作为中国DRAM产业的领导者,长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变,用自主研发的DRAM技术和专利,引领中国实现DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:07
8443 2020年AMD、Intel即将推出的新一代CPU处理器还会支持DDR4内存,但是下一代DDR5内存已经近在眼前,2021年就会正式上市。今天美光宣布开始向客户出样最新的DDR5内存,基于1Znm工艺,性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:24
5503 
2020年AMD、Intel即将推出的新一代CPU处理器还会支持DDR4内存,但是下一代DDR5内存已经近在眼前,2021年就会正式上市。今天美光宣布开始向客户出样最新的DDR5内存,基于1Znm工艺,性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:38
3418 
美光于前日宣布已经开始向业界中的核心客户出样DDR5内存(RDIMM)了,目前他们在DDR5内存上面使用的是自家最新的1z nm工艺。
2020-01-12 10:09:04
4221 
内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.与摩托罗拉公司联合宣布,摩托罗拉新推出的motorola edge+ 智能手机已搭载美光的低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 芯片。
2020-04-25 10:32:51
962 科技与摩托罗拉紧密协作,依托高带宽的内存存储及顶级处理性能,使edge+手机能充分利用5G网络的速度。 美光LPDDR5 DRAM内存能满足多个行业对内存更高性能和更低功耗日益增长的需求,这不仅仅局限于移动行业,还包括汽车、个人电脑以及为5G和AI应用打造的网络系统。美光
2020-04-27 16:00:00
1254 美光今天宣布,已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片,这也是迄今为止最先进的DRAM工艺,可明显提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU、GPU等新品,DRAM内存、NAND闪存
2021-01-27 17:28:33
2298 北京时间10月27日消息,内存和存储解决方案供应商Micron Technology(美光科技)宣布量产业界首款基于低功耗DDR5(LPDDR5)DRAM的通用闪存存储(UFS)多芯片封装产品
2020-10-27 15:17:47
3518 美光计划在 2021 年提出建设 A5 厂项目的申请,持续加码投资 DRAM,将用于 1Znm 制程之后的微缩技术发展。 据悉,目前美光在台湾地区布局,包括中科的前段晶圆制造 A1、A2 厂和后段
2021-02-27 12:09:39
3676 
北京时间11月13日消息,内存和存储解决方案供应商Micron Technology(美光科技)宣布已批量出货全球首款176层3D NAND闪存,一举刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:26
2565 美国美光科技开始提速EUV DRAM。加入到三星电子、SK海力士等全球第一、第二EUV厂商选择的EUV阵营后,后续EUV竞争或将更为激烈。
2020-12-25 14:43:13
2324 实验室。这种独特的三方合作模式将加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿创新技术 (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在联想产品设计中的应用,从而更好地满足用户的核心工作负载需求。
2021-01-26 09:47:40
2529 1 月 27 日消息 内存与存储解决方案供应商美光科技今日宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品。该制程是目前世界上最为先进的 DRAM 技术,在密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56:03
2777 美光今天宣布,已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片,这也是迄今为止最先进的DRAM工艺,可明显提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:51
3896 
产品价格已上涨,市场对DRAM的需求程度将有增无减,供需紧张的情况将延续好几年。 美光指出,美光在中国台湾地区的DRAM厂已开始量产采用全球最先进制程技术1α(1-alpha)生产的DRAM产品,首批产品是为着重运算需求之客户提供DDR4、和适用消费性PC的Crucial DRAM产品,此一里程碑会更巩
2021-01-28 15:54:45
2392 美光的 1α 技术节点使内存解决方案更节能、更可靠,并为需要最佳低功耗 DRAM 产品的移动平台带来运行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28:08
1182 美光本周二公布其用于DRAM的1α新工艺,该技术有望将DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工艺最初被用于生产DDR4和LPDDR4内存,未来或将但覆盖美光所有类型的DRAM。 同时,美光
2021-01-29 10:17:16
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美光本周二公布其用于DRAM的1α新工艺,该技术有望将DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工艺最初被用于生产DDR4和LPDDR4内存,未来或将但覆盖美光所有类型的DRAM。
2021-01-29 15:03:44
2841 美光的1αnm DRAM工艺可适用于各种不同的内存芯片,尤其适用于最新旗舰手机标配的LPDDR5,相比于1z工艺可以将容量密度增加多达40%,同时还能让功耗降低15%,能让5G手机性能更好、机身更轻薄、续航更持久。
2021-01-31 10:16:42
2399 DRAM内存从2018年进入周期性下跌,经过两年多的低潮期之后,内存市场在2020年底开始止跌,部分产品甚至开始涨价。 内存涨价的主要原因在于三星、美光、SK海力士、削减内存产能,预计从2021年内存
2021-02-05 18:18:51
8548 内存与存储解决方案领先供应商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码: MU)今日宣布,已开始出样业内首款车用低功耗 DDR5 DRAM (LPDDR5
2021-02-26 12:02:25
3366 内存和存储解决方案领先供应商Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克代码:MU)宣布已批量出货全球首款 176层QLC(四层单元)NAND固态硬盘(SSD)。美
2022-01-27 19:04:24
2707 近日,美光科技股份有限公司宣布,已开始出样业内首款车用低功耗 DDR5 DRAM (LPDDR5) 内存。该款内存经过硬件评估,满足最高级别的汽车安全完整性等级 (ASIL) 标准,即 ASIL D。此外,美光还有一系列符合国际标准化组织 (ISO) 26262 标准、面向汽车安全的内存和存储新品。
2022-03-03 16:24:05
1885 虽然行业标准对于大多数广泛的市场来说都是必不可少的,但美光还通过提供非标准图形内存解决方案来满足特定合作伙伴的需求,例如,使用创新的信号技术来最大限度地提高我们的独立图形内存解决方案的性能,从而
2022-04-21 16:20:58
1895 2022 年 7 月 7 日,上海— 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码: MU)今日宣布,面向商业和工业渠道
2022-07-07 14:45:57
3042 有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,其采用全球最先进技术节点的1β DRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。美光率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术,其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有
2022-11-02 11:31:27
1096 
β DRAM 产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。美光率先在低功耗 LPDDR5X 移动内存上采用该新一代制程技术,其最高速率可达每秒 8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升,将为市场带来巨大收益。除了移动应用,基于 1β 节点的
2022-11-02 11:50:51
1703 2022年11月2日——中国上海——内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,其采用全球最先进技术节点的1
2022-11-02 17:27:48
1537 美光推出了最新的DRAM芯片,其采用了1-beta制造技术,大幅提高了芯片的能效和内存密度。美光称计划在明年开始量产这种芯片。
2022-11-03 10:49:01
1189 2021年批量出货1α(1-alpha)工艺产品后,美光今天宣布,采用全球最先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证,并做好了量产准备
2022-11-03 14:43:36
1577 
β”,与上代产品相比电力效率和记忆密度分别提升了约15%和约35%,主要面向智能手机出货。广岛工厂是美光在2013年收购尔必达时所获,于2019年建设新厂房等,致力于尖端技术产品DRAM的生产。 当日,美光科技同时宣布,为应对市场状况,公司将内存
2022-11-28 10:40:52
1736 美光发布的官方新闻稿,该企业宣布其已经正式出货了全球首款使用超过200层NAND芯片的消费级固态硬盘美光2550 SSD,该SSD采用232层NAND技术,采用PCIe 4.0标准。
2022-12-08 16:19:19
1261 内存与存储解决方案领先供应商美光科技(Micron Technology Inc.)宣布,其采用全球最先进技术节点的1βDRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。
2023-02-01 16:13:05
3032 2023 年 5 月 11 日,中国西安 —— 内存与存储解决方案领先供应商Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布委派吴明霞
2023-05-11 13:59:41
1112 
美光称,2023 年的行业需求预测目前较低,但整个行业供应量的大幅减少已开始稳定市场。去年 11 月份,美光宣布将存储芯片减产 2 成。财报内容显示,美光专注于库存管理和控制供应,近期将 DRAM 和 NAND 晶圆开工率进一步减少至近 30%,预计减产将持续到 2024 年。
2023-06-30 15:01:32
1047 
Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布已为客户及合作伙伴出样美光 CZ120 内存扩展模块。该模块拥有 128GB 和 256GB 两种
2023-08-10 14:12:37
1440 随着数据中心工作负载所需cpu核心数量的增加,对更高内存带宽和容量的要求增加,克服了“内存墙”问题,优化了总拥有费用。美光公司的 1β DDR5 DRAM 可以进一步扩展性能,支持数据中心和客户端平台之间的人工智能(ai)训练和推理
2023-10-13 10:55:04
1573 ,用于满足商业应用、科学计算、新款游戏和内容创作对工作负载的严苛需求,从而进一步实现性能突破。美光 3500 SSD 采用 M.2 外形规格,容量高达 2TB,提供了超越竞品的用户体验1,在 SPECwpcsm 测试中表现突出,能将产品开发应用性能提升至高 71%2。
2023-12-12 09:43:30
1540 进入新时代,随着人工智能PC等新技术的崛起,传统内存已然无法满足现实需求。近期,全球内存巨头美光首次发布了新型基于LPDDR5x的LPCAMM2内存模块,赋予客户端市场全新的性能体验。
2024-01-23 10:25:38
1638 美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球内存与存储解决方案的领先供应商,近日宣布已经开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案。这一重要的里程碑式进展再次证明了美光在内存技术领域的行业领先地位。
2024-03-05 09:16:28
1608 3 月 5 日消息,美光科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术,从而进一步降低生产 DRAM 存储芯片的单层成本。 美光公司近日举办了一场演讲,介绍在将纳米印刷技术应用于 DRAM 生产的一些细节
2024-03-06 08:37:35
838 近日,全球领先的半导体存储器及影像产品制造商美光公司宣布,已开始大规模生产用于人工智能的新型高带宽芯片——HBM3E。这一里程碑式的进展不仅标志着美光在半导体技术领域的又一次突破,也预示着人工智能领域将迎来更为强劲的计算能力支持。
2024-03-08 10:02:07
891 在产品方面,美光引领行业实现32Gb单层架构的128GB服务器内存,并预计在未来六个月内带来数亿美元的营收。此外,在高速性能更高的MRDIMM领域,美光已经开始供应256GB的样品。
2024-03-22 14:51:41
1204 美光科技近期宣布,其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着美光在NAND技术领域再次取得了显著进步,巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。
2024-04-29 10:36:34
1553 美光再创行业里程碑,率先验证并出货 128GB DDR5 32Gb 服务器 DRAM,满足内存密集型生成式 AI 应用对速率和容量的严苛要求 2024 年 5 月 9 日 , 中国上海
2024-05-09 14:05:17
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2024 年 5 月 9 日, Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存,
2024-05-09 14:27:40
1669 美光科技再次领跑行业前沿,近日宣布其232层QLC NAND产品已成功实现量产,并已开始应用于部分Crucial英睿达固态硬盘中。这一突破性的技术不仅满足了客户端对数据存储的高需求,同时也为数据中心提供了更高效的存储解决方案。
2024-05-09 14:53:55
1034 美光科技近日在业界取得重大突破,成功验证并率先推出了一款针对AI数据中心的关键内存产品。这款新产品基于大容量32Gb单块DRAM芯片,构建成了128GB DDR5 RDIMM内存,其传输速率在主流服务器平台上高达5600 MT/s,展现了卓越的性能。
2024-05-10 09:38:31
838 近日,美光科技宣布,将在日本广岛县建立一座新的DRAM芯片生产工厂,预计最早于2027年底正式投入运营。该项目的总投资预估在6000亿至8000亿日元之间,体现了美光对于日本市场及全球半导体产业的坚定信心。
2024-05-31 11:48:23
1570 全球知名的DRAM大厂美光,早在去年就已宣布了其在日本广岛的重大投资计划。据悉,美光计划斥资6,000至8,000亿日元,在广岛兴建一座全新的DRAM工厂。这一项目预计将在2026年初破土动工,最快有望在2027年底前完成厂房建设、机台设备安装,并正式投入营运。
2024-06-14 09:53:10
1341 近日,美光团队在 NVIDIA GTC 大会上展示了业界前沿的 AI 内存和存储产品组合。这些产品引起了参展商和与会者的极大兴趣和广泛关注,本博客介绍了其中的一些细节。美光内存正在推动和引领面向未来的 AI 技术,我们来一起了解下吧。
2024-06-18 14:29:50
1247 在存储芯片领域,技术的每一次革新都牵动着行业的脉搏。近日,存储芯片大厂美光科技在公布其2024财年第三财季财报的同时,也宣布了一个令人振奋的消息——该公司正在其位于日本广岛的Fab15工厂试产基于极紫外(EUV)光刻技术的1γ(1-gamma)DRAM,标志着美光在DRAM制造领域迈出了重要的一步。
2024-06-29 09:26:06
1438 美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码:MU)近日宣布,已出样多路复用双列直插式内存模块(MRDIMM)。该款 MRDIMM 将赋能美光客户应对日益繁重的工作负载,从而最大化计算基础设施的价值。对于
2024-07-22 14:06:36
1316 工智能(AI)等内存密集型应用场景,对内存技术的要求也达到了前所未有的高度。近日,全球领先的DRAM大厂美光科技宣布了一项重大技术突破——多重存取双列直插式内存模组(MRDIMM)的正式送样,这一创新成果不仅标志着内存技术的新飞跃,更为数据中心用户带来了前所未有的性能提升与价值最大化。
2024-07-22 15:19:04
1609 全球领先的存储解决方案提供商美光科技今日宣布了一项重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技术的固态硬盘(SSD)已正式进入量产出货阶段,标志着美光成为业界首家达成此里程碑的企业。这一创新技术的推出,不仅彰显了美光在制程技术和设计创新领域的卓越实力,更为数据存储市场树立了新的性能标杆。
2024-08-01 16:38:46
1251 美光公司近期宣布成功推出并已开始批量发货两款新型内存模块——CUDIMM与CSODIMM,这两款产品均遵循JEDEC固态存储协会的标准,数据传输速率高达6400MT/s,相较于传统DDR5内存,速度提升了15%。
2024-10-16 14:38:27
1859 随着人工智能技术日益普及,从云端服务器拓展至消费级设备,对高级内存的需求持续攀升。鉴于此趋势,美光科技已将其高带宽内存(HBM)的全部产能规划至2025年。美光科技的中国台湾业务负责人兼公司副总裁Donghui Lu指出,公司正积极应对AI需求的激增,并预测到2025年,其产品性能将实现显著提升。
2024-10-26 15:22:55
1836 据业内消息,美光科技预计今年将继续积极扩大其DRAM产能,与去年相似。得益于美国政府确认的巨额补贴,美光近期将具体落实对现有DRAM工厂进行改造的投资计划。
去年底,美光科技宣布将在
2025-01-07 17:08:56
1311 光在亚洲地区的进一步布局和扩张。 据美光方面介绍,该工厂将采用最先进的封装技术,致力于提升HBM内存的产能和质量。随着AI芯片行业的迅猛发展,HBM内存的需求也在不断增长。为了满足这一市场需求,美光决定在新加坡建设这座先进的封装工
2025-01-09 16:02:58
1155 近日,全球DRAM内存巨头之一的美光科技公司宣布,将正式进军16-Hi(即16层堆叠)HBM3E内存市场。目前,美光正在对最终设备进行评估,并计划在今年内实现量产。 这一消息标志着美光在高性能内存
2025-01-17 14:14:12
914 开始 出货全球首款采用1γ(1-gamma)制程节点的LPDDR5X内存认证样品 。该产品专为加速旗舰智能手机上的AI应用而设计。美光LPDDR5X内存具备业界领先的速率,达到每秒10.7 Gb(Gbps),同时功耗可降低高达20%1,为智能手机带来更快、更流畅的移动体验和更强的续航
2025-06-06 11:49:06
1454 随着数据中心对AI训练与推理工作负载需求的持续增长,高性能内存的重要性达到历史新高。Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)宣布已向多家主要客户送样其12层堆叠36GB HBM4内存。
2025-06-18 09:41:53
1323 美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码:MU)近日宣布,其车用通用闪存(UFS)4.1 解决方案的认证样品已开始向全球客户出货。该产品旨在为下一代车辆提供快速的数据访问、卓越的可靠性,以及强化的功能与网络安全性能。
2025-11-21 09:16:06
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