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电子发烧友网>存储技术>美光宣布 1γ DRAM 开始出货:引领内存技术突破,满足未来计算需求

美光宣布 1γ DRAM 开始出货:引领内存技术突破,满足未来计算需求

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2024-01-23 10:25:381638

科技开始量产HBM3E高带宽内存解决方案

科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球内存与存储解决方案的领先供应商,近日宣布已经开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案。这一重要的里程碑式进展再次证明了光在内存技术领域的行业领先地位。
2024-03-05 09:16:281608

计划部署纳米印刷技术,降低DRAM芯片生产成本

3 月 5 日消息,科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术,从而进一步降低生产 DRAM 存储芯片的单层成本。 公司近日举办了一场演讲,介绍在将纳米印刷技术应用于 DRAM 生产的一些细节
2024-03-06 08:37:35838

开始量产HBM3E解决方案

近日,全球领先的半导体存储器及影像产品制造商公司宣布,已开始大规模生产用于人工智能的新型高带宽芯片——HBM3E。这一里程碑式的进展不仅标志着光在半导体技术领域的又一次突破,也预示着人工智能领域将迎来更为强劲的计算能力支持。
2024-03-08 10:02:07891

DRAM与NAND闪存产品线丰富,QLC颗粒已占总量2/3

 在产品方面,引领行业实现32Gb单层架构的128GB服务器内存,并预计在未来六个月内带来数亿美元的营收。此外,在高速性能更高的MRDIMM领域,已经开始供应256GB的样品。
2024-03-22 14:51:411204

232层QLC NAND芯片已量产并出货,推出SSD新品

科技近期宣布,其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着光在NAND技术领域再次取得了显著进步,巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。
2024-04-29 10:36:341553

率先出货用于 AI 数据中心的关键内存产品

再创行业里程碑,率先验证并出货 128GB DDR5 32Gb 服务器 DRAM满足内存密集型生成式 AI 应用对速率和容量的严苛要求     2024 年 5 月 9 日 , 中国上海
2024-05-09 14:05:17519

科技推出基于大容量32Gb单块DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM内存

2024 年 5 月 9 日, Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存
2024-05-09 14:27:401669

率先量产232层QLC NAND产品

科技再次领跑行业前沿,近日宣布其232层QLC NAND产品已成功实现量产,并已开始应用于部分Crucial英睿达固态硬盘中。这一突破性的技术不仅满足了客户端对数据存储的高需求,同时也为数据中心提供了更高效的存储解决方案。
2024-05-09 14:53:551034

率先出货用于AI数据中心的关键内存产品

科技近日在业界取得重大突破,成功验证并率先推出了一款针对AI数据中心的关键内存产品。这款新产品基于大容量32Gb单块DRAM芯片,构建成了128GB DDR5 RDIMM内存,其传输速率在主流服务器平台上高达5600 MT/s,展现了卓越的性能。
2024-05-10 09:38:31838

科技将在日本广岛新建DRAM芯片工厂

近日,科技宣布,将在日本广岛县建立一座新的DRAM芯片生产工厂,预计最早于2027年底正式投入运营。该项目的总投资预估在6000亿至8000亿日元之间,体现了对于日本市场及全球半导体产业的坚定信心。
2024-05-31 11:48:231570

日本广岛DRAM新厂预计2027年量产

全球知名的DRAM大厂,早在去年就已宣布了其在日本广岛的重大投资计划。据悉,计划斥资6,000至8,000亿日元,在广岛兴建一座全新的DRAM工厂。这一项目预计将在2026年初破土动工,最快有望在2027年底前完成厂房建设、机台设备安装,并正式投入营运。
2024-06-14 09:53:101341

内存助力未来AI技术更强大、更智能

近日,团队在 NVIDIA GTC 大会上展示了业界前沿的 AI 内存和存储产品组合。这些产品引起了参展商和与会者的极大兴趣和广泛关注,本博客介绍了其中的一些细节。内存正在推动和引领面向未来的 AI 技术,我们来一起了解下吧。
2024-06-18 14:29:501247

已在广岛Fab15工厂利用EUV试产1γ DRAM

在存储芯片领域,技术的每一次革新都牵动着行业的脉搏。近日,存储芯片大厂科技在公布其2024财年第三财季财报的同时,也宣布了一个令人振奋的消息——该公司正在其位于日本广岛的Fab15工厂试产基于极紫外(EUV)光刻技术1γ(1-gamma)DRAM,标志着光在DRAM制造领域迈出了重要的一步。
2024-06-29 09:26:061438

MRDIMM内存发布,加速数据中心工作负载

科技股份有限公司(纳斯达克股票代码:MU)近日宣布,已出样多路复用双列直插式内存模块(MRDIMM)。该款 MRDIMM 将赋能客户应对日益繁重的工作负载,从而最大化计算基础设施的价值。对于
2024-07-22 14:06:361316

推出全新MRDIMM内存引领数据中心内存新纪元

工智能(AI)等内存密集型应用场景,对内存技术的要求也达到了前所未有的高度。近日,全球领先的DRAM大厂科技宣布了一项重大技术突破——多重存取双列直插式内存模组(MRDIMM)的正式送样,这一创新成果不仅标志着内存技术的新飞跃,更为数据中心用户带来了前所未有的性能提升与价值最大化。
2024-07-22 15:19:041609

量产第九代NAND闪存技术产品

全球领先的存储解决方案提供商科技今日宣布了一项重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技术的固态硬盘(SSD)已正式进入量产出货阶段,标志着成为业界首家达成此里程碑的企业。这一创新技术的推出,不仅彰显了光在制程技术和设计创新领域的卓越实力,更为数据存储市场树立了新的性能标杆。
2024-08-01 16:38:461251

发布新型CUDIMM与CSODIMM内存产品

 公司近期宣布成功推出并已开始批量发货两款新型内存模块——CUDIMM与CSODIMM,这两款产品均遵循JEDEC固态存储协会的标准,数据传输速率高达6400MT/s,相较于传统DDR5内存,速度提升了15%。
2024-10-16 14:38:271859

预测AI需求将大幅增长,计划2025年投产EUV DRAM

随着人工智能技术日益普及,从云端服务器拓展至消费级设备,对高级内存需求持续攀升。鉴于此趋势,科技已将其高带宽内存(HBM)的全部产能规划至2025年。科技的中国台湾业务负责人兼公司副总裁Donghui Lu指出,公司正积极应对AI需求的激增,并预测到2025年,其产品性能将实现显著提升。
2024-10-26 15:22:551836

科技计划大规模扩大DRAM产能

据业内消息,科技预计今年将继续积极扩大其DRAM产能,与去年相似。得益于美国政府确认的巨额补贴,近期将具体落实对现有DRAM工厂进行改造的投资计划。   去年底,科技宣布将在
2025-01-07 17:08:561311

新加坡HBM内存封装工厂破土动工

光在亚洲地区的进一步布局和扩张。 据方面介绍,该工厂将采用最先进的封装技术,致力于提升HBM内存的产能和质量。随着AI芯片行业的迅猛发展,HBM内存需求也在不断增长。为了满足这一市场需求决定在新加坡建设这座先进的封装工
2025-01-09 16:02:581155

加入16-Hi HBM3E内存竞争

近日,全球DRAM内存巨头之一的科技公司宣布,将正式进军16-Hi(即16层堆叠)HBM3E内存市场。目前,正在对最终设备进行评估,并计划在今年内实现量产。 这一消息标志着光在高性能内存
2025-01-17 14:14:12914

科技出货全球首款基于1γ制程节点的LPDDR5X内存 突破性封装技术

开始 出货全球首款采用1γ(1-gamma)制程节点的LPDDR5X内存认证样品 。该产品专为加速旗舰智能手机上的AI应用而设计。LPDDR5X内存具备业界领先的速率,达到每秒10.7 Gb(Gbps),同时功耗可降低高达20%1,为智能手机带来更快、更流畅的移动体验和更强的续航
2025-06-06 11:49:061454

12层堆叠36GB HBM4内存已向主要客户出货

随着数据中心对AI训练与推理工作负载需求的持续增长,高性能内存的重要性达到历史新高。Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)宣布已向多家主要客户送样其12层堆叠36GB HBM4内存
2025-06-18 09:41:531323

科技出货车用通用闪存4.1解决方案

科技股份有限公司(纳斯达克股票代码:MU)近日宣布,其车用通用闪存(UFS)4.1 解决方案的认证样品已开始向全球客户出货。该产品旨在为下一代车辆提供快速的数据访问、卓越的可靠性,以及强化的功能与网络安全性能。
2025-11-21 09:16:062343

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