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电子发烧友网>存储技术>美光正式出货全球最先进的 1β技术节点DRAM

美光正式出货全球最先进的 1β技术节点DRAM

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科技发布1β制程节点技术的16Gb DDR5存储器,领先业界

  科技指出,为应对资料中心工作负载所需,CPU 内核数持续增加,为突破「存储器墙」(Memory Wall)瓶颈,同时为客户提供最佳化的总拥有成本,对于存储器频宽及容量需求也随之大幅提升。
2023-10-19 16:03:001261

DRAM先进制程进展如何?

1β DDR5 DRAM支持计算能力向更高的性能扩展,能支持数据中心和客户端平台上的人工智能(AI)训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。
2023-10-26 14:19:241574

低功耗内存解决方案助力高通第二代骁龙 XR2 平台 提升混合现实(MR)与虚拟现实(VR)体验

骁龙™ XR2 验证。 LPDDR5X 和 UFS 3.1 外形尺寸紧凑,提供更高速率、更优性能和更低功耗,可灵活支持混合现实 (MR) 和虚拟现实 (VR) 设备。LPDDR5X 是目前最先进的低功耗内存,通过创新的 1α 制程节点技术和 JEDEC 能效优化实现更低功耗。
2023-11-01 11:21:11913

科技: 纳米印刷助降DRAM成本

近期的演示会上,详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出,DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得愈发复杂。
2024-03-05 16:18:241316

计划部署纳米印刷技术,降低DRAM芯片生产成本

光在演讲中表示 DRAM 节点和沉浸式光刻分辨率问题,名为“Chop”的层数量不断增加,这就意味着添加更多的曝光步骤,来取出密集存储器阵列外围的虚假结构(dummy structures)。   公司表示由于光学系统本身性质,这些 DRAM 层的图案很难用光学光刻技术
2024-03-06 08:37:35838

台湾地区地震对DRAM产出影响不足1%

其中,的产能已转向先进制程;其他三家公司主要停留在38/25nm节点出货量相对较少。因此,只有可能对全球DRAM位元产出产生一定影响,预计二季度总产出将减少不到1%。
2024-04-11 16:00:44813

获得巨额补贴!

。 这笔补贴将支持到 2030 年在美国投资 500 亿美元(当前约 3630 亿元人民币),在纽约州克莱建设两座先进 DRAM 内存“超级晶圆厂,并在总部所在地爱达荷州博伊西建设一座先进 DRAM 内存大规模量产工厂。 博伊西晶圆厂将于 2025 年上线投运,2026 年启动
2024-04-28 09:11:40640

232层QLC NAND芯片已量产并出货,推出SSD新品

科技近期宣布,其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着光在NAND技术领域再次取得了显著进步,巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。
2024-04-29 10:36:341553

率先出货用于 AI 数据中心的关键内存产品

再创行业里程碑,率先验证并出货 128GB DDR5 32Gb 服务器 DRAM,满足内存密集型生成式 AI 应用对速率和容量的严苛要求     2024 年 5 月 9 日 , 中国上海
2024-05-09 14:05:17519

科技推出基于大容量32Gb单块DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM内存

2024 年 5 月 9 日, Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存,
2024-05-09 14:27:401669

宣布将在日本广岛建设DRAM工厂

据悉,新厂将采用EUV光刻机技术,并计划在2025年量产的下一代1-gamma(nm)节点引入EUV光刻技术。鉴于DRAM行业的代际周期,新厂有望具备生产1-gamma甚至1-delta DRAM的能力。
2024-05-28 15:06:371352

将在日本广岛建DRAM芯片制造工厂,2027年底或将竣工

近期发布公告,将斥资45至55亿美元在日本广岛建设DRAM芯片制造工厂,以引入顶尖EUV设备,预计最早于2027年末实现先进DRAM量产。
2024-05-28 16:38:401923

科技计划在日本投资建设DRAM芯片工厂

近日,美国芯片巨头科技宣布了一项重大投资计划。据悉,该公司将在日本广岛县建设一家全新的DRAM芯片工厂,预计总投资将达到6000至8000亿日元。
2024-05-29 09:16:201203

科技将在日本广岛新建DRAM芯片工厂

近日,科技宣布,将在日本广岛县建立一座新的DRAM芯片生产工厂,预计最早于2027年底正式投入运营。该项目的总投资预估在6000亿至8000亿日元之间,体现了对于日本市场及全球半导体产业的坚定信心。
2024-05-31 11:48:231570

日本广岛DRAM新厂预计2027年量产

全球知名的DRAM大厂,早在去年就已宣布了其在日本广岛的重大投资计划。据悉,计划斥资6,000至8,000亿日元,在广岛兴建一座全新的DRAM工厂。这一项目预计将在2026年初破土动工,最快有望在2027年底前完成厂房建设、机台设备安装,并正式投入营运。
2024-06-14 09:53:101341

已在广岛Fab15工厂利用EUV试产1γ DRAM

在存储芯片领域,技术的每一次革新都牵动着行业的脉搏。近日,存储芯片大厂科技在公布其2024财年第三财季财报的同时,也宣布了一个令人振奋的消息——该公司正在其位于日本广岛的Fab15工厂试产基于极紫外(EUV)光刻技术1γ(1-gamma)DRAM,标志着光在DRAM制造领域迈出了重要的一步。
2024-06-29 09:26:061438

量产第九代NAND闪存技术产品

全球领先的存储解决方案提供商科技今日宣布了一项重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技术的固态硬盘(SSD)已正式进入量产出货阶段,标志着成为业界首家达成此里程碑的企业。这一创新技术的推出,不仅彰显了光在制程技术和设计创新领域的卓越实力,更为数据存储市场树立了新的性能标杆。
2024-08-01 16:38:461251

科技将于2025年投产EUV DRAM

随着人工智能(AI)技术的广泛应用,从云服务器到消费设备,AI需求正呈现爆炸式增长。科技,作为全球领先的半导体制造商,已积极应对这一趋势。
2024-10-29 17:03:051171

科技计划大规模扩大DRAM产能

据业内消息,科技预计今年将继续积极扩大其DRAM产能,与去年相似。得益于美国政府确认的巨额补贴,近期将具体落实对现有DRAM工厂进行改造的投资计划。   去年底,科技宣布将在
2025-01-07 17:08:561311

新加坡HBM内存封装工厂破土动工

光在亚洲地区的进一步布局和扩张。 据方面介绍,该工厂将采用最先进的封装技术,致力于提升HBM内存的产能和质量。随着AI芯片行业的迅猛发展,HBM内存的需求也在不断增长。为了满足这一市场需求,决定在新加坡建设这座先进的封装工
2025-01-09 16:02:581155

宣布 1γ DRAM 开始出货:引领内存技术突破,满足未来计算需求

率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的 1γ(1-gamma)第六代(10 纳米级)DRAM 节点 DDR5 内存样品。得益于此前在 1α(1-alpha)和 1
2025-02-26 13:58:15533

伏亮相 SolarEX Istanbul 2025 共探伏检测技术新趋势

土耳其伊斯坦布尔,与全球伏行业专家共同探讨光伏检测技术发展新趋势。创新技术亮相,共探伏未来MillennialSolar伏向全球观众全方位展示了其先进且全
2025-04-15 09:03:13964

科技出货全球首款基于1γ制程节点的LPDDR5X内存 突破性封装技术

开始 出货全球首款采用1γ(1-gamma)制程节点的LPDDR5X内存认证样品 。该产品专为加速旗舰智能手机上的AI应用而设计。LPDDR5X内存具备业界领先的速率,达到每秒10.7 Gb(Gbps),同时功耗可降低高达20%1,为智能手机带来更快、更流畅的移动体验和更强的续航
2025-06-06 11:49:061454

科技出货车用通用闪存4.1解决方案

科技股份有限公司(纳斯达克股票代码:MU)近日宣布,其车用通用闪存(UFS)4.1 解决方案的认证样品已开始向全球客户出货。该产品旨在为下一代车辆提供快速的数据访问、卓越的可靠性,以及强化的功能与网络安全性能。
2025-11-21 09:16:062343

公布最新技术路线图!长鑫存储计划再建两座 DRAM 晶圆厂

,但产品发展线路与三星、SK海力士、等国际大厂DRAM发展大体一致。 目前,全球主要的DRAM厂商三星、SK海力士、等采用的是1ZnmDRAM技术。其中三星在2019年3月宣布将在下半年采用
2019-12-03 18:18:1323542

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