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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>美光计划再投20亿美元兴建3D DRAM封测厂

美光计划再投20亿美元兴建3D DRAM封测厂

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2020-11-10 14:56:593477

宣布了其第五代3D NAND闪存技术

刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术,达到了创纪录的176层堆叠。这也是、Intel在闪存合作上分道扬镳之后,自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212920

科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存

IT之家11月12日消息 今日,科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存,刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:572623

发布176层3D NAND闪存

存储器厂商宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696

台积电计划投资120亿美元在美国兴建工厂

据报道,美国亚利桑那州凤凰城市官员周三一致投票,批准与台积电达成一项开发协议。凤凰城城市基金将拿出2.05亿美元,用于当地台积电工厂配套道路和供水设施的优化。台积电计划投资120亿美元在当地兴建工厂。
2020-11-19 09:13:031862

Stratasys将以1亿美元收购光固化3D打印技术美国初创公司Origin

南极熊导读:全球领先的3D打印老牌巨头Stratasys,凭借雄厚的资金实力,通过买买买来扩充自己的3D打印商业帝国。例如2013年斥资4亿美元收购了当时的桌面级FDM 3D打印龙头厂商
2020-12-10 15:15:492582

消息称宁德时代计划在印尼投资50亿美元兴建一家锂电池

据报道,印尼海洋与投资部副部长周二表示,宁德时代计划在印尼投资50亿美元兴建一家锂电池。 副部长Septian Hario Seto在一次线上简报会上表示,锂电池将于2024年投产。“宁德时代
2020-12-15 17:24:052086

台积电在海外的首座封测

有关赴日设立先进封测计划,台积电没有透露任何细节。但《联合报》报道称,台积电在新年度对封测事业组织做了调整。原全力推动台积电3D先进封测的研发副总余振华,转任台积电卓越院士兼研发副总经理,原职务转由主管研发的资深副总经理米玉杰负责。
2021-01-06 15:27:082878

一年亏4亿 宣布出售芯片工厂!

3D Xpoint技术是与英特尔共同开发的一种非易失性存储技术,比NAND闪存拥有更高的性能和耐用性,旨在填补DRAM和NAND闪存之间的存储空白
2021-03-19 14:25:251570

美国最大记忆芯片本季财测高于市场预期

带进9亿美元现金。 估NAND、DRAM供应吃紧至明年 估计本季(6月到8月)营收约82亿美元,高于分析师预期的78.5亿美元;剔除特定项目调整后的每股盈余约2.3美元,分析师预期为2.17美元光表示,本季毛利率将在46%上下1个百分点,符合市
2021-07-02 14:53:152496

科技将投入2亿美元扶持专注于深度科技领域初创企业

上海 — 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,公司旗下的风险投资团队 Micron Ventures ()将投入 2 亿美元二期基金,用于扶持专注于深度科技领域的初创企业。
2022-05-30 17:22:391410

如何看待3D DRAM技术?

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法现在已广为人知,因此只要不使用任何新材料,使用此工艺的 DRAM 应该能够快速量产。
2023-05-31 11:41:581129

将对西安封测工厂投资逾43亿元;台积电三巨头下周访陆

热点新闻 1、将对西安封测工厂投资逾43亿元 6月16日,科技股份有限公司(Micron Technology)宣布,计划在未来几年中对其位于中国西安的封装测试工厂投资逾43亿元。已决
2023-06-16 17:35:035825

确认在印度建设首座芯片 预计投资数额达8.25亿美元

美国存储芯片公司科技发布了投资至多8.25亿美元在印度古吉拉特邦新建芯片组装和测试设施的计划,将成为该公司在印度的首座工厂。
2023-06-26 19:23:272007

宣布在印度建造封测工厂,投资总额高达27.5亿美元

近日,科技公司今天宣布计划在印度古吉拉特邦建造一座新的组装和测试工厂,新工厂将实现 DRAM 和 NAND 产品的组装和测试制造。
2023-06-27 17:06:15794

科技2023财年Q3净亏损19亿美元

储存市场的崩溃程度体现在科技的年度对比中,即营收下降超过一半。在2022财年第三季度,科技实现了26.3亿美元的净利润,营收达到86.4亿美元
2023-07-06 10:26:06928

“印度半导体使命”计划的最大投资?27.5亿美元工厂在印奠基

当地时间9月23日,科技在印度古吉拉特邦举行了价值27.5亿美元的组装、测试和封装工厂(atmp)动工仪式。
2023-09-25 10:15:551084

半导体封测日月光控宣布收购英飞凌2座封测

2月22日消息,据台媒报道,半导体封测日月光控今天宣布,收购芯片大厂英飞凌的菲律宾和韩国两座后段封测,扩大车用和工业自动化应用的电源芯片模块封测与导线架封装,投资金额逾新台币21亿元,最快今年第二季底完成交易。
2024-02-23 09:49:291496

计划部署纳米印刷技术,降低DRAM芯片生产成本

3 月 5 日消息,科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术,从而进一步降低生产 DRAM 存储芯片的单层成本。 公司近日举办了一场演讲,介绍在将纳米印刷技术应用于 DRAM 生产的一些细节
2024-03-06 08:37:35838

美国政府将向提供61亿美元补贴,建设大型晶圆厂项目

公司曾于2022年宣布,计划在未来20年内斥资1000亿美元,在纽约州克莱建设两个大型晶圆厂项目。其中,第一阶段包括两座晶圆厂的建设,预计总投资额达到200亿美元,并计划于2029年投入运营。
2024-04-18 15:43:401248

科技获政府超130亿美元资金支持

美国芯片制造商科技(Micron Technology)近日获得美国政府超过130亿美元的拨款和贷款支持。这笔资金将用于支持科技在纽约州和爱达荷州建设存储芯片
2024-05-06 14:08:01793

将在日本广岛建DRAM芯片制造工厂,2027年底或将竣工

近期发布公告,将斥资45至55亿美元在日本广岛建设DRAM芯片制造工厂,以引入顶尖EUV设备,预计最早于2027年末实现先进DRAM量产。
2024-05-28 16:38:401922

科技计划在日本投资建设DRAM芯片工厂

近日,美国芯片巨头科技宣布了一项重大投资计划。据悉,该公司将在日本广岛县建设一家全新的DRAM芯片工厂,预计总投资将达到6000至8000亿日元。
2024-05-29 09:16:201203

三星已成功开发16层3D DRAM芯片

在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出16层3D DRAM技术。同时,他透露,竞争对手也已将其3D DRAM技术扩展至8层。
2024-05-29 14:44:071398

计划投资约300亿元在日本新建DRAM

据日媒报道,科技计划投入6000亿-8000亿日圆(约合人民币277-369亿元)在日本广岛县兴建新厂,用于生产DRAM芯片。这座新厂房将于2026年初动工,并安装极紫外光刻(EUV)设备
2024-05-29 16:28:29649

日本广岛DRAM新厂预计2027年量产

全球知名的DRAM大厂,早在去年就已宣布了其在日本广岛的重大投资计划。据悉,计划斥资6,000至8,000亿日元,在广岛兴建一座全新的DRAM工厂。这一项目预计将在2026年初破土动工,最快有望在2027年底前完成厂房建设、机台设备安装,并正式投入营运。
2024-06-14 09:53:101341

科技计划大规模扩大DRAM产能

据业内消息,科技预计今年将继续积极扩大其DRAM产能,与去年相似。得益于美国政府确认的巨额补贴,近期将具体落实对现有DRAM工厂进行改造的投资计划。   去年底,科技宣布将在
2025-01-07 17:08:561309

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