美光科技: 纳米印刷助降DRAM成本

据3月5日消息，美光科技考虑采用Canon的纳米印刷技术以节省DRAM存储芯片的单层制造成本。

近期的演示会上，美光详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出，DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得愈发复杂。通过运用被称作“Chop”的方法，层数逐渐增多，由此需经过更多曝光步骤来去除密集存储器阵列周围的无用元件。

他们指出，因为光学系统本身的限制，DRAM层的图案难以用光学光刻技术印刷，然而纳米印刷却可实现更为精妙的效果。再者，纳米印刷技术所产生的成本仅为浸入式光刻的五分之一，因此被视为极具吸引力的解决方案。

尽管纳米印刷无法取代全部光刻工艺，但能够有效降低技术操作的成本。

值得一提的是，Canon于去年10月份发布了FPA-1200NZ2C纳米压印光刻（NIL）半导体设备。佳能总裁御手洗富士夫强调，这项技术为小型半导体企业提供了一个生产前沿芯片的新途径。

佳能半导体设备业务经理岩本和德解释道，此项技术主要依赖于通过压制带半导体电路图案的掩模在晶片上生成复杂的二维或三维电路图样。据悉，只需配备合适的掩模，便能实现从2nm甚至更为先进芯片的制造。