美光将在日本广岛建DRAM芯片制造工厂，2027年底或将竣工

美光近期发布公告，将斥资45至55亿美元在日本广岛建设DRAM芯片制造工厂，以引入顶尖EUV设备，预计最早于2027年末实现先进DRAM量产。

此项投资预计为6000亿至8000亿日元（约合38亿至51亿美元），项目将于2026年初启动。资金主要用于打造先进制造设施，包括EUV设备的安装。

早前，因市场环境不理想，美光原定于2024年投产的广岛工厂计划被推迟。然而，随着芯片市场复苏及人工智能领域对DRAM芯片需求激增，美光决定重启该项目。

广岛工厂自2013年美光收购日本DRAM巨头尔必达（Elpida）以来一直由美光经营，拥有超过4000名工程师和技术人员。

美光日本区负责人Joshua Lee去年12月透露，广岛工厂将于2025年开始生产最先进的存储芯片“1γ（Gamma）DRAM”，同时还将生产生成式AI用高带宽存储器（HBM）。

2023年10月，日本经济产业省批准向美光广岛工厂提供高达1920亿日元（约合13亿美元）的补贴。

美光表示，未来几年内将在日本投资最多5000亿日元，其中广岛工厂是其研发和大规模生产的重要基地，用于推进其尖端DRAM技术的发展。