美光近期发布公告,将斥资45至55亿美元在日本广岛建设DRAM芯片制造工厂,以引入顶尖EUV设备,预计最早于2027年末实现先进DRAM量产。
此项投资预计为6000亿至8000亿日元(约合38亿至51亿美元),项目将于2026年初启动。资金主要用于打造先进制造设施,包括EUV设备的安装。
早前,因市场环境不理想,美光原定于2024年投产的广岛工厂计划被推迟。然而,随着芯片市场复苏及人工智能领域对DRAM芯片需求激增,美光决定重启该项目。
广岛工厂自2013年美光收购日本DRAM巨头尔必达(Elpida)以来一直由美光经营,拥有超过4000名工程师和技术人员。
美光日本区负责人Joshua Lee去年12月透露,广岛工厂将于2025年开始生产最先进的存储芯片“1γ(Gamma)DRAM”,同时还将生产生成式AI用高带宽存储器(HBM)。
2023年10月,日本经济产业省批准向美光广岛工厂提供高达1920亿日元(约合13亿美元)的补贴。
美光表示,未来几年内将在日本投资最多5000亿日元,其中广岛工厂是其研发和大规模生产的重要基地,用于推进其尖端DRAM技术的发展。
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