联电声明反击美诉讼战与美光设计架构完全不同

晶圆代工大厂联电日前遭美国司法部大动作起诉指控与福建晋华共谋窃取美光商业机密，引发各界关注。联电9日深夜正式发布声明表示，对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。以下为声明全文：

联华电子是国际公认、中国***起家的半导体公司。38年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达14纳米。对比之下，美光公司争执所涉及的DRAM技术，是32纳米，在联华电子的计划启动当时，已经是落后几个世代的技术。

社会上有一个错误的印象，认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。从1996年到2010年，联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上，联华电子内部DRAM团队人数，超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构，借由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说，现任联华电子共同总经理之一的简山傑，是1996年时开发DRAM产品的RAM工艺开发经理。

另一个实例则是：Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一，该公司是一家总部位于美国的DRAM芯片设计公司，借由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外，2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM工艺技术，这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。

联华电子同意与晋华公司联合开发DRAM工艺，这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易，已经向***当局正式提出申请，主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。值得一提的是，那时还未听说有美中贸易战。

自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM工艺技术，履行合约义务，联华电子已经花费了新台币数亿元。尽管这个专案的研发团队成员接近300人，但只有不到10%的人曾在美光公司工作过。

相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象，联华电子的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元，这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。

另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25纳米的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了中国***地区的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25纳米DRAM技术。

联华电子不要「在报刊上」进行这场诉讼，但联华电子要向我们的客户和投资人保证，联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。