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电子发烧友网>存储技术>美光率先于业界推出1α DRAM制程技术

美光率先于业界推出1α DRAM制程技术

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2022-07-07 14:45:573042

出货全球最先进的1β技术节点DRAM

有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,其采用全球最先进技术节点的1β DRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术,其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有
2022-11-02 11:31:271096

正式出货全球最先进的 1β技术节点DRAM

β DRAM 产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。率先在低功耗 LPDDR5X 移动内存上采用该新一代制程技术,其最高速率可达每秒 8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升,将为市场带来巨大收益。除了移动应用,基于 1β 节点的
2022-11-02 11:50:511703

出货全球最先进的1β技术节点DRAM

β DRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术,其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能
2022-11-02 17:27:481537

发布基于1-alpha技术制造的LPDDR5X芯片

推出了最新的DRAM芯片,其采用了1-beta制造技术,大幅提高了芯片的能效和内存密度。称计划在明年开始量产这种芯片。
2022-11-03 10:49:011189

出货全球最先进1β工艺内存:密度暴增35%

2021年批量出货1α(1-alpha)工艺产品后,今天宣布,采用全球最先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证,并做好了量产准备
2022-11-03 14:43:361577

科技在日本广岛开始量产尖端存储器DRAM

最新消息,据日本共同社报道,科技位于日本广岛县东广岛市的子公司“日本光存储器公司”,已于16日在该市广岛工厂启动最尖端DRAM(动态随机存取存储器)的量产。 据悉,量产的最新产品名为“1
2022-11-28 10:40:521736

【行业资讯】推出先进的1β技术节点DRAM

内存与存储解决方案领先供应商科技(Micron Technology Inc.)宣布,其采用全球最先进技术节点的1βDRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。
2023-02-01 16:13:053032

加大减产力度至30% 减产将持续至2024年

公司表示,虽然2023年业界需求预测还处于较低水平,但业界整体供应量大幅减少正在稳定市场。去年11月,公司宣布将存储器半导体减产20%。据业绩内容,公司致力于库存管理和供应调节,最近将dram和nand晶片的开工率减少了近30%,并预测减产将持续到2024年。
2023-06-30 11:05:271078

科技发布1β制程节点技术的16Gb DDR5存储器,领先业界

  科技指出,为应对资料中心工作负载所需,CPU 内核数持续增加,为突破「存储器墙」(Memory Wall)瓶颈,同时为客户提供最佳化的总拥有成本,对于存储器频宽及容量需求也随之大幅提升。
2023-10-19 16:03:001261

DRAM先进制程进展如何?

1β DDR5 DRAM支持计算能力向更高的性能扩展,能支持数据中心和客户端平台上的人工智能(AI)训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。
2023-10-26 14:19:241574

推出业界首款标准低功耗压缩附加内存模块

科技近日宣布推出业界首款标准低功耗压缩附加内存模块(LPCAMM2),这款产品提供了从16GB至64GB的容量选项,旨在为PC提供更高性能、更低功耗、更紧凑的设计空间及模块化设计。
2024-01-19 16:20:471222

科技: 纳米印刷助降DRAM成本

近期的演示会上,详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出,DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得愈发复杂。
2024-03-05 16:18:241316

计划部署纳米印刷技术,降低DRAM芯片生产成本

3 月 5 日消息,科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术,从而进一步降低生产 DRAM 存储芯片的单层成本。 公司近日举办了一场演讲,介绍在将纳米印刷技术应用于 DRAM 生产的一些细节
2024-03-06 08:37:35838

台湾地区地震对DRAM产出影响不足1%

其中,的产能已转向先进制程;其他三家公司主要停留在38/25nm节点,出货量相对较少。因此,只有可能对全球DRAM位元产出产生一定影响,预计二季度总产出将减少不到1%。
2024-04-11 16:00:44813

率先出货用于 AI 数据中心的关键内存产品

– Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM
2024-05-09 14:05:17519

科技推出基于大容量32Gb单块DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM内存

2024 年 5 月 9 日, Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存,
2024-05-09 14:27:401669

率先出货用于AI数据中心的关键内存产品

科技近日在业界取得重大突破,成功验证并率先推出了一款针对AI数据中心的关键内存产品。这款新产品基于大容量32Gb单块DRAM芯片,构建成了128GB DDR5 RDIMM内存,其传输速率在主流服务器平台上高达5600 MT/s,展现了卓越的性能。
2024-05-10 09:38:31838

将在日本广岛建DRAM芯片制造工厂,2027年底或将竣工

近期发布公告,将斥资45至55亿美元在日本广岛建设DRAM芯片制造工厂,以引入顶尖EUV设备,预计最早于2027年末实现先进DRAM量产。
2024-05-28 16:38:401923

科技计划在日本投资建设DRAM芯片工厂

近日,美国芯片巨头科技宣布了一项重大投资计划。据悉,该公司将在日本广岛县建设一家全新的DRAM芯片工厂,预计总投资将达到6000至8000亿日元。
2024-05-29 09:16:201203

科技将在日本广岛新建DRAM芯片工厂

近日,科技宣布,将在日本广岛县建立一座新的DRAM芯片生产工厂,预计最早于2027年底正式投入运营。该项目的总投资预估在6000亿至8000亿日元之间,体现了对于日本市场及全球半导体产业的坚定信心。
2024-05-31 11:48:231570

出样业界容量密度最高新一代 GDDR7 显存

β(1-beta)DRAM 技术和创新架构,以优化的功耗设计打造了速率高达 32 Gb/s 的高性能内存。 GDDR7 的系统带宽超过 1.5 TB/s,2 较 GDDR6 提升高达 60%,3 并配备四个独立
2024-06-05 16:52:391851

日本广岛DRAM新厂预计2027年量产

全球知名的DRAM大厂,早在去年就已宣布了其在日本广岛的重大投资计划。据悉,计划斥资6,000至8,000亿日元,在广岛兴建一座全新的DRAM工厂。这一项目预计将在2026年初破土动工,最快有望在2027年底前完成厂房建设、机台设备安装,并正式投入营运。
2024-06-14 09:53:101341

已在广岛Fab15工厂利用EUV试产1γ DRAM

在存储芯片领域,技术的每一次革新都牵动着行业的脉搏。近日,存储芯片大厂科技在公布其2024财年第三财季财报的同时,也宣布了一个令人振奋的消息——该公司正在其位于日本广岛的Fab15工厂试产基于极紫外(EUV)光刻技术1γ(1-gamma)DRAM,标志着光在DRAM制造领域迈出了重要的一步。
2024-06-29 09:26:061438

推出数据中心SSD产品9550 NVMe SSD新品

科技股份有限公司(纳斯达克股票代码:MU)近日宣布,推出数据中心 SSD 产品 9550 NVMe SSD,性能业界领先,同时具备卓越的 AI 工作负载性能及能效。1 9550 SSD
2024-07-29 18:12:392002

量产第九代NAND闪存技术产品

全球领先的存储解决方案提供商科技今日宣布了一项重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技术的固态硬盘(SSD)已正式进入量产出货阶段,标志着成为业界首家达成此里程碑的企业。这一创新技术推出,不仅彰显了光在制程技术和设计创新领域的卓越实力,更为数据存储市场树立了新的性能标杆。
2024-08-01 16:38:461251

科技计划大规模扩大DRAM产能

据业内消息,科技预计今年将继续积极扩大其DRAM产能,与去年相似。得益于美国政府确认的巨额补贴,近期将具体落实对现有DRAM工厂进行改造的投资计划。   去年底,科技宣布将在
2025-01-07 17:08:561311

科技推出4600 PCIe 5.0 NVMe SSD

及专业人士带来卓越的性能与用户体验。4600 SSD采用G9 TLC NAND技术,是首款PCIe 5.0客户端 SSD,性能较其前代产品高出一倍。1
2025-02-21 16:44:001102

宣布 1γ DRAM 开始出货:引领内存技术突破,满足未来计算需求

业界首款高性能 1γ 节点技术,为数据中心、客户端及移动平台带来卓越的性能与能效   2025 年 2 月 26 日,中国上海 —   科技股份有限公司(纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,已
2025-02-26 13:58:15533

科技出货全球首款基于1γ制程节点的LPDDR5X内存 突破性封装技术

开始 出货全球首款采用1γ(1-gamma)制程节点的LPDDR5X内存认证样品 。该产品专为加速旗舰智能手机上的AI应用而设计。LPDDR5X内存具备业界领先的速率,达到每秒10.7 Gb(Gbps),同时功耗可降低高达20%1,为智能手机带来更快、更流畅的移动体验和更强的续航
2025-06-06 11:49:061454

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