UCC5304器件是一款隔离式单通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。它旨在驱动 PFC、隔离式 AC/DC、DC/DC 和同步整流应用中的功率 MOSFET 和 GaNFET
2025-02-25 09:40:31
1140 
隔离式单通道栅极驱动器SLMi350的峰值驱动电流能力达2.5A，且具有 3.75kVrms的隔离电压和高达10kV的隔离浪涌电压，共模瞬态抗扰度（CMTI）超过150kV/us。
2021-07-19 14:46:014365 
EiceDRIVER F3增强型系列栅极驱动器采用爬电距离为8mm的DSO 16 300 mil宽体封装。这款单路隔离栅极驱动器具有高达300 kV/us的超高共模瞬态抗扰度（CMTI），以及高达8.5 A的典型输出电流。
2022-03-10 09:15:421288 
。 CMTI共模瞬变抗扰度，指是指瞬态穿过隔离层以破坏驱动器输出状态所需的最低上升或下降dV/dt（kV/µs or V/ns），如图：图1. CMTI定义CMTI分为静态和动态。静态是指把输入引脚连
2022-11-09 06:44:50
)，其定量描述隔离式栅极驱动器抑制输入和输出间大共模瞬变的能力。如果系统中的压摆率很高，则驱动器需要有很高的抗扰度。因此，当在高频和大总线电压下工作时，CMTI数值特别重要。结 语本文旨在简单介绍栅极
2021-07-09 07:00:00
优异的抗扰度或抗干扰性。例如，RF噪声、共模瞬变和干扰磁场是关键性因素，因为它们可以耦合到栅极驱动器中，并且会激励功率级，使其在不希望的时间内做出开关动作。隔离式栅极驱动器的共模瞬变抗扰度（CMTI
2021-11-11 07:00:00
反转，导致效率低下，甚至在某些情况下发生直通。因此，栅极驱动器的一个决定性指标是共模瞬变抗扰度(CMTI)，其定量描述隔离式栅极驱动器抑制输入和输出间大共模瞬变的能力。如果系统中的压摆率很高，则驱动器
2018-10-25 10:22:56
)，其定量描述隔离式栅极驱动器抑制输入和输出间大共模瞬变的能力。如果系统中的压摆率很高，则驱动器需要有很高的抗扰度。因此，当在高频和大总线电压下工作时，CMTI数值特别重要。结语本文旨在简单介绍栅极驱动器
2018-11-01 11:35:35
您好，欢迎观看第三个讨论隔离式栅极驱动器的 TI 高精度实验室讲座。 我们将探讨可以作为隔离式栅极驱动器技术的基准核心参数。 我们将会检查这些参数的数据表定义， 讨论在隔离式和非隔离式驱动器中决定
2022-11-10 07:54:32
（SOIC-16NB/WB 封装）两个副边驱动器之间具有700VDC 功能隔离性（LGA-13 封装）共模瞬态抗扰度 (CMTI) >100kV/μs2.8V 至 5.5V 输入 VDDI 范围
2022-09-30 13:47:21
NSI6602A-DSWR：具备5700Vrms隔离与100kV/μs CMTI的高可靠性双通道驱动器，一款非常可靠的隔离式双通道栅极驱动器，特别适合那些对可靠性和抗干扰能力有严苛要求的功率
2025-09-29 08:40:07
）。它共模瞬变抗扰度（CMTI）达±100kV/μs，显著提升系统在噪声环境中的稳定性。输入侧供电范围2.7V–5V，驱动侧支持高达28V电源并自带欠压锁定（UVLO）保护，适用于高可靠性功率转换
2025-09-08 08:47:50
MOSFET、IGBT和SiC MOSFET的栅极驱动。输入侧与两个输出侧通过一个可承受5kVRMS隔离电压的隔离栅，以及典型的共模瞬态抗扰度（CMTI）容量为100kV/us。内部功能隔离两个辅助侧
2021-12-08 09:47:42
SLM340是兼容光耦的单通道驱动器，电流1A,CMTI可达150kV/us，传输延迟100ns,耐压5kVrms。该产品与传统的光耦栅极驱动器相比，具有低延时，低脉宽失真，共模瞬态抗扰能力强
2021-10-26 10:08:38
SLM341CK-DG是一款单通道、兼容光耦管脚的隔离式栅极驱动器，专为驱动IGBT和MOSFET设计。其具备3.0A峰值输出电流和12.5V的欠压锁定（UVLO）功能，在共模瞬态抗扰度（CMTI
2025-09-19 09:24:19
（CMTI），低传播延迟，脉冲宽度失真小。该产品与传统的光耦栅极驱动器相比，具有低延时，低脉宽失真，共模瞬态抗扰能力强，寿命长，工作温度范围宽的一系列优点。同系列型号：SLM343,SLM345
2023-02-14 10:35:49
超过150kV/us的共模瞬态抗扰度（CMTI),保证了每个PWM传输的稳当性。隔离类型比较：该产品与传统的光耦栅极驱动器相比，具有低延时，低脉宽失真，共模瞬态抗扰能力强，寿命长，工作温度范围宽的一系列
2020-07-24 09:59:18
。
出色的抗干扰与可靠性：
超高共模瞬态抗扰度（CMTI ≥ 150kV/µs），能有效抵御功率回路开关噪声对控制侧的干扰，保障系统在恶劣电磁环境下的稳定可靠运行。
创新的“模拟二极管”输入级，彻底
2025-07-11 09:51:26
）共模瞬态抗扰度（CMTI）栅极驱动电源范围从14 V到40 V30V反极性电压处理能力输入级针对针兼容光耦隔离闸门驱动器DIP8（鸥翼）组件，爬电>8mm和间隙结温，TJ:–40°C至+150
2021-03-30 18:09:09
能力：10A峰值拉/灌电流，能快速给功率器件的栅极电容充放电。
开关速度：80ns典型传输延迟，有助于提升系统响应速度和应用效率。
噪声免疫：150 kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI），对于抵抗功率
2025-11-15 10:00:15
输出能力，可高效驱动 MOSFET、IGBT 等功率器件，有效降低开关损耗。
超高隔离与抗扰：
符合5000VRMS 的加强绝缘等级（SOP18W封装），提供可靠的高压隔离保障。
具备优异的共模瞬态抗
2025-08-11 08:46:08
的传播延迟，因而不能像数字隔离器一样实现通道间时序特性的匹配。另外，在单个IC封装中同时集成栅极驱动器和隔离机制可以最大限度地减小解决方案的尺寸。共模瞬变抗扰度在针对高压电源的许多半桥栅极驱动器应用中
2018-07-03 16:33:25
描述TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S（适用于各种应用中的电机控制）。此设计可对三相逆变器（其中整合了额定
2018-12-27 11:41:40
深度解析一款在电源和电机驱动领域极具竞争力的高性能隔离驱动芯片：SiLM8263BAHB-DG 双通道隔离栅极驱动器专为应对高功率密度、高可靠性应用的严苛要求而设计。核心亮点与关键特性：
强劲驱动
2025-08-16 09:18:54
驱动器集成电路会增加电平转换电路中的传播延迟，因而不能像数字隔离器一样实现通道间时序特性的匹配。另外，在单个IC封装中同时集成栅极驱动器和隔离机制可以最大限度地减小解决方案的尺寸。共模瞬变抗扰度在针对
2018-10-16 20:28:33
集成电路会增加电平转换电路中的传播延迟，因而不能像数字隔离器一样实现通道间时序特性的匹配。另外，在单个IC封装中同时集成栅极驱动器和隔离机制可以最大限度地减小解决方案的尺寸。共模瞬变抗扰度在针对高压电源
2018-10-23 11:49:22
大幅减小解决方案尺寸。共模瞬变抗扰度在针对高压电源的许多半桥栅极驱动器应用中，开关元件中可能发生极快的瞬变。在这些应用中，如果较大的dV/dt可能在隔离栅上发生容性耦合，则有可能在隔离栅上导致逻辑瞬变错
2018-10-16 16:00:23
限度地减小解决方案的尺寸。 共模瞬变抗扰度 在针对高压电源的许多半桥栅极驱动器应用中，开关元件中可能发生极快的瞬变。在这些应用中，在隔离栅上发生容性耦合的、快速变化的瞬态电压（高dV/dt）可能在隔离栅上
2018-09-26 09:57:10
，具有相同的封装，能让单个设计用于具有不同额定功率的多驱动器平台。数字隔离器用于实现瞬态浪涌额定值为 8kV 且共模瞬变抗扰度 (CMTI) 为 50kV 的增强型隔离。该设计包含了使用快速瞬态响应
2018-09-04 09:20:51
极限。 图2. 典型栅极驱动器的传播延迟和CMTI性能更高的开关频率还会产生共模瞬变抗扰性问题，这对系统设计人员来说是一个非常严重的问题。在隔离式栅极驱动器中的隔离栅上耦合的高压摆率信号可能破坏
2018-10-16 06:20:46
极限。图2. 典型栅极驱动器的传播延迟和CMTI性能更高的开关频率还会产生共模瞬变抗扰性问题，这对系统设计人员来说是一个非常严重的问题。在隔离式栅极驱动器中的隔离栅上耦合的高压摆率信号可能破坏数据传输
2018-10-16 21:19:44
。 图2. 典型栅极驱动器的传播延迟和CMTI性能更高的开关频率还会产生共模瞬变抗扰性问题，这对系统设计人员来说是一个非常严重的问题。在隔离式栅极驱动器中的隔离栅上耦合的高压摆率信号可能破坏数据传输
2018-10-24 09:47:32
： 最小150kV/µs的共模瞬态抗扰度 (CMTI)，确保在功率开关瞬间产生的高dv/dt噪声环境下稳定工作，大大降低误触发风险。2.革命性的输入级与可靠性：-输入级采用创新的“模拟二极管
2025-07-21 08:56:31
35ns (最大值) 以内，保障多路应用时序精度。
强悍抗扰： 最小 150kV/µs 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)，有效抵御功率侧噪声冲击，系统运行更稳定。
宽压适应： 驱动器输出电源电压范围 10V
2025-08-14 08:37:14
解决方案经过验证，能够承受 100kV/μs 以上的高共模瞬态抗扰度 (CMTI)内置低成本、组件少、紧凑型隔离式电源，可为具有负偏置的高电压侧电路供电，实现抗噪效果
2018-09-30 09:23:41
采用先进的电容隔离技术和快速可靠的开关键控（OOK）传输技术，从而实现了出色的隔离与驱动性能，同时可靠性高、兼容性广。与传统的光耦合器栅极驱动器相比，MP188xx 系列具有低延迟、低脉宽失真、高共模
2022-09-30 14:05:41
相同的封装，能让单个设计用于具有不同额定功率的多驱动器平台。数字隔离器用于实现瞬态浪涌额定值为 8kV 且共模瞬变抗扰度 (CMTI) 为 50kV 的增强型隔离。该设计包含了使用快速瞬态响应比较器的
2009-07-24 11:43:20
30 MAX22700–MAX22702为单通道隔离栅极驱动器家族，具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬态抗扰性(CMTI)。器件设计用于驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅(SiC)或氮化镓
2023-04-19 14:35:44
MAX22700–MAX22702为单通道隔离栅极驱动器家族，具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬态抗扰性(CMTI)。器件设计用于驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅(SiC)或氮化镓
2023-04-19 14:39:04
MAX22700–MAX22702为单通道隔离栅极驱动器家族，具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬态抗扰性(CMTI)。器件设计用于驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅(SiC)或氮化镓
2023-04-19 15:01:12
MAX22700–MAX22702为单通道隔离栅极驱动器家族，具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬态抗扰性(CMTI)。器件设计用于驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅(SiC)或氮化镓
2023-04-19 15:03:25
MAX22700–MAX22702为单通道隔离栅极驱动器家族，具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬态抗扰性(CMTI)。器件设计用于驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅(SiC)或氮化镓
2023-04-19 15:10:42
MAX22700–MAX22702为单通道隔离栅极驱动器家族，具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬态抗扰性(CMTI)。器件设计用于驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅(SiC)或氮化镓
2023-04-19 17:15:26
深度掌握隔离驱动器瞬态共模噪音抑制及其特性
2018-08-13 00:11:005648 要的指标之一。 CMTI共模瞬变抗扰度，指是指瞬态穿过隔离层以破坏驱动器输出状态所需的最低上升或下降dV/dt（kV/µs or V/ns），如图：
图1. CMTI定义
CMTI分为静态和动态
2021-11-10 09:36:454013 
本文首先介绍共模瞬变抗扰度(CMTI)详细概念及其在系统中的重要性。我们将讨论一个新的隔离式Σ-Δ调制器系列及其性能，以及它如何提高和增强系统电流测量精度，尤其是针对失调误差和失调误差漂移。最后介绍推荐的电路解决方案。
2022-03-17 07:42:1722411 CMTI(Common mode transient immunity)是隔离产品（包括数字隔离器和光耦）的重要指标之一。CMTI共模瞬变抗扰度，指瞬态穿过隔离层以破坏驱动器输出状态所需的最低上升或下降的dv/dt（kV/uS or V/ns）。
2023-03-29 11:57:423000 
5A/5A的拉灌电流峰值电流并提供弥勒钳位功能，防止高di/dt情况下误导通。最低150kV/μs共模瞬变抗扰度（CMTI）确保了系统鲁棒性。驱动器的最大电源电压为32V，输入侧为3.1V至17V电源电压
2022-10-31 13:31:466 打造，价格则更优，极具性价比，助力企业降本增效。NSi6801x是单通道隔离式栅极驱动器，与流行的光耦合栅极驱动器引脚兼容。它可以提供高达2A的驱动电流。支持150kV/μs的最小共模瞬态免疫（CMTI
2022-10-31 13:54:554 电子发烧友网站提供《具有有源保护特性的高CMTI 2.5A和5A隔离式IGBT、 MOSFET栅极驱动器ISO5851数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-26 09:11:580 。PC86320可以配置为两个低端驱动器，两个高边驱动器，或具有可编程功能的半桥驱动器卸载时间（DT）。输入侧与两者隔离输出驱动器由硅二氧化物隔离屏障，具有150kV/us典型共模瞬态抗扰度（CMTI）。两个输出同时关闭禁用引脚isset到高。驱动器在最大供电电压下工作33V，而输入侧接受
2024-05-09 17:57:331322 
电子发烧友网站提供《适用于UCC2122x隔离式栅极驱动器的共模瞬态抗扰度（CMTI）.pdf》资料免费下载
2024-10-14 09:51:071 内容概要：该文档详细介绍了CMT8602X，这是一种增强型隔离式双通道栅极驱动器。该设备主要特点包括但不限于双路低侧、高侧或半桥驱动配置，广泛的操作温度范围(-40°C到125°C)，显著的共模瞬态
2025-02-21 09:48:080 驱动功率 MOSFET 和 GaN 晶体管。
UCC21231 可配置为 2 个低侧驱动器、2 个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 1.6kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。
2025-05-15 14:38:21643 
。
UCC21331-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。
2025-05-15 16:09:14592 
。
UCC21331 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。
2025-05-15 16:14:49610 
。
UCC21330-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。
2025-05-15 17:43:58719 
。
UCC21550 可配置为 2 个低侧驱动器、2 个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。
2025-05-16 09:17:06920 
。
UCC21550-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。
2025-05-16 09:30:59664 
。
UCC21551x 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。
2025-05-16 09:51:30554 
UCC21738-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为工作电压高达 2121V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。该器件具有高达
2025-05-16 10:12:06617 
UCC21717-Q1 是一款电隔离式单通道栅极驱动器，设计用于驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护、一流的动态性能和稳健性。UCC21717-Q1
2025-05-16 11:07:10697 
。
UCC21551x-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。DFJ28 封装提供 >5.3mm CH 到 CH 爬电距离，以支持高压系统。
2025-05-16 11:38:18691 
UCC21755-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性
2025-05-16 14:27:31605 
UCC21737-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。该器件具有高达
2025-05-16 14:34:01782 
和可靠性得到了显著提升，同时在原理图和布局设计中保持了引脚对引脚的兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 （CMTI）、低传播延迟和小脉宽失真。
2025-05-16 14:53:21719 
供 3.3mm 的最小通道间距，从而实现更高的总线电压。
UCC2154x 系列可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。
2025-05-16 15:45:33768 
UCC21710 是一款电隔离式单通道栅极驱动器，旨在驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护、一流的动态性能和稳健性。UCC21710具有高达 ±10A
2025-05-16 17:26:07845 
UCC21732 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21732具有
2025-05-16 18:00:09807 
UCC21739-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 900V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性
2025-05-17 10:27:13691 
UCC21750 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为工作电压高达 2121 V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21750
2025-05-17 10:54:561862 
UCC21710-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21710-Q1
2025-05-17 11:28:261161 
一流的传播延迟和脉宽失真。
输入侧通过 2.5kV 与两个输出驱动器隔离~RMS~隔离栅，具有最小 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。两个输出侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 700V 的工作电压 ~直流~ .
2025-05-17 11:49:38698 
供 3.3mm 的最小通道间距，从而实现更高的总线电压。
UCC2154x 系列可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。
2025-05-24 14:00:00609 
UCC21732-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性
2025-05-24 14:20:00505 
一流的传播延迟和脉宽失真。
输入侧通过 2.5kV 与两个输出驱动器隔离~RMS~隔离栅，具有最小 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。两个输出侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 700V 的工作电压 ~直流~ .
2025-05-24 14:51:00447 
。
输入侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1850V 的工作电压。
2025-05-24 15:41:00581 
通过 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1850V 的工作电压。
2025-05-24 15:47:00686 
供 3.3mm 的最小通道间距，从而实现更高的总线电压。
UCC2154x 系列可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。
2025-05-24 16:00:00640 
UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。它们设计用于驱动 PFC、隔离式 DC/DC 和同步整流应用中的功率
2025-05-19 09:12:23655 
UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。它们设计用于驱动 PFC、隔离式 DC/DC 和同步整流应用中的功率
2025-05-19 10:13:09607 
侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1500VDC 的工作电压。
2025-05-19 10:25:291330 
的传播延迟和脉宽失真。
输入侧通过 2.5kV 与两个输出驱动器隔离~RMS~隔离栅，具有最小 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。两个输出侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 700V 的工作电压 ~直流~ .
2025-05-19 13:50:53693 
延迟和脉宽失真。
输入侧通过 5.7kV 与两个输出驱动器隔离~RMS~增强型隔离栅，具有最低 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1500V 的工作电压 ~直流~ .
2025-05-19 14:21:04568 
宽失真。
输入侧通过 5.7kV 与两个输出驱动器隔离~RMS~增强型隔离栅，具有最低 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1500 V 的工作电压 ~直流~ .
2025-05-19 14:27:00792 
5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1500VDC 的工作电压。
2025-05-19 15:34:431495 
峰值灌电流，可驱动功率MOSFET和GaN晶体管。UCC21231可配置为两个低压侧、两个高压侧或半桥驱动器。输入端通过1.6kV~RMS~ 隔离栅与两个输出驱动器隔离。这种隔离的最低要求是125V/ns共模瞬态抗扰度（CMTI）。
2025-07-21 16:38:53605 
驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。UCC21331/UCC21331-Q1可配置为两个高压侧驱动器、两个低压侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过3kV~RMS~ 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 至少为125V/ns。
2025-07-29 15:17:31539 
，可驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。UCC21330可配置为两个低侧、两个高侧或半桥驱动器。输入侧通过5kV~RMS~ 隔离栅与两个输出驱动器隔离，该隔离栅具有最小125V/ns的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
2025-08-03 16:29:23941 
性。该器件具有高达±10A峰值拉电流和灌电流。采用SiO~2~ 电容隔离技术，输入侧与输出侧隔离。该特性支持高达1.5kV~RMS~ 工作电压和12.8kV~PK~ 浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过40年。并提供较低的器件间偏移，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于150V/ns。
2025-08-06 10:45:08777 
栅极驱动器可配置为两个低侧、两个高侧或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV~RMS~ 隔离栅与两个输出驱动器隔离，该隔离栅具有最小值125V/ns的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。UCC21551
2025-08-06 15:09:10941 
5kV~RMS~ 隔离栅（共模瞬态抗扰度 (CMTI) 至少为125V/ns）将输入侧与两个 输出驱动器隔离。这些栅极驱动器非常适合车载电池充电器、高压DC-DC转换器、汽车HVAC和车身电子设备。
2025-08-11 14:36:401139 
Texas Instruments UCC21717-Q1隔离式单通道栅极驱动器设计用于驱动高达1700V SiC MOSFET和IGBT。它具有高级集成保护、出色的动态性能和稳健性
2025-08-18 10:32:021585 
Texas Instruments UCC21756-Q1隔离式单通道栅极驱动器设计用于工作电压高达2121 V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先进的保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性
2025-08-26 10:01:15690 
半导体CMTI（共模瞬变抗扰度）是衡量隔离器件在高频共模干扰下维持信号完整性的关键指标，其定义为隔离电路两侧地电位间瞬变电压的最大耐受变化率（单位：kV/µs或V/ns）。该指标直接反映器件对快速
2025-08-26 16:29:25836 共模瞬态抗扰度（CMTI）是衡量半导体隔离器件在高压瞬变干扰下保持信号完整性的关键指标，尤其在SiC/GaN等宽禁带半导体应用中至关重要。以下是核心要点： 一. 定义与单位 CMTI指隔离
2025-09-04 15:29:231033 
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UCC21351-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过3kVRMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最小为125V/ns。
2025-09-25 14:14:21587 
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该UCC21330可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过3kVRMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最小为125V/ns。
2025-10-11 16:20:142360 
，关键特性和特性带来了显着的性能和可靠性升级，同时在原理图和布局设计中保持引脚到引脚的兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 （CMTI）、低传播延迟和小脉宽失真。
2025-10-14 14:44:27493 
半导体CMTI（共模瞬变抗扰度）是衡量隔离器件在高频共模干扰下维持信号完整性的关键指标，其定义为隔离电路两侧地电位间瞬变电压的最大耐受变化率（单位：kV/µs或V/ns）。该指标直接反映器件对快速
2025-10-30 12:10:41364 
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