半导体CMTI(共模瞬变抗扰度)是衡量隔离器件在高频共模干扰下维持信号完整性的关键指标,其定义为隔离电路两侧地电位间瞬变电压的最大耐受变化率(单位:kV/µs或V/ns)。该指标直接反映器件对快速瞬态干扰的抑制能力,若CMTI不足可能导致信号失真、输出错误甚至系统故障。高 CMTI 值(如≥±100kV/µs)可确保设备在强电磁 干扰环境中保持稳定运行,减少数据损坏或误动作风险。 在机器人控制等场景中,CMTI 直接影响转矩响应速度和 运动精度,纳秒级延迟可能导致任务失败。
核心特性与重要性:
技术定义
CMTI通过隔离层两侧施加的共模瞬变电压(如±2kV脉冲)测试,以器件输出信号不出现误动作的最大dV/dt值作为量化标准。例如,荣湃数字隔离器的U系列CMTI达250kV/µs,意味着在10ns内可承受2500V瞬变仍稳定工作。
应用场景
在SiC/GaN高频开关、光伏逆变器、电机驱动等场景中,CMTI直接影响系统可靠性。例如,数明半导体SLMi33x隔离驱动器通过100kV/µs的CMTI设计,满足SiC器件对高压摆率干扰的严苛需求。
半导体CMTI(共模瞬态抗扰度)测试是评估隔离器件在高频共模瞬变干扰下稳定性的关键实验流程,其核心要点如下:
1. 测试标准与原理
标准依据:遵循IEC 60747-17:2020标准,要求隔离器件在指定CMTI范围内保持功能正常。
核心指标:以耐受瞬态电压变化率(dV/dt)表示,单位通常为kV/µs或V/ns。
2. 测试方法分类
静态测试:输入引脚固定为逻辑电平(高/低),施加共模瞬变干扰,验证输出状态是否改变。
动态测试:在动态信号传输中施加瞬变,检验输出信号完整性,防止出现漏脉冲、延迟等错误。
3. 典型应用场景
高频开关器件(如SiC/GaN):需≥100kV/µs的CMTI以抑制快速开关导致的共模干扰。
工业自动化:高CMTI可提升机器人控制精度,避免纳秒级延迟导致的任务失败。
4. 测试注意事项
环境要求:温度0~45℃、湿度20%~75%RH,无导电粉尘等污染。
选型建议:根据系统最大瞬态变化率选择CMTI余量充足的器件,防止隔离层击穿或逻辑错误。
5. 测试设备与参数
关键设备:高压脉冲斜坡发生器用于模拟高速高压波形,支持多档幅值和转换时间调节。
技术参数:典型测试电源(如PPS-CMTI-X)需支持±2kV电压、40A电流及可调方波斜率。
PPS-CMTIX 系列半导体 CMTI 测试系统是我司基于全 参数化可调的半导体共模瞬态抗扰度 CMTI 测试系统。 半导体 CMTI 测试系统的静态测试通过施加固定逻 辑电平后引入共模瞬变,验证输出状态是否改变。动态 测试在动态信号传输中施加瞬变,检验输出信号完整性。 规范遵循 IEC 60747-17:2020 标准,要求隔离器件在指定 CMTI 范围内保持功能正常。高性能隔离 IC(如 TI ISOW7841)的 CMTI 可达≥± 100kV/µs ,支持强干扰环境。选型依据需根据系统最大 瞬态电压变化率选择 CMTI 余量充足的器件,防止隔离层 击穿或逻辑错误。
审核编辑 黄宇
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