CC2640 SimpleLink™ Bluetooth® 无线MCU:特性、应用与设计指南 在当今的物联网时代,低功耗、高性能的无线微控制器(MCU)对于各种应用的实现至关重要。德州仪器(TI
2026-01-05 15:20:06
43 1.硬件连接介绍注意:虽然TF卡支持热插拔,但在没给底板加装外壳保护的情况下,很容易触碰到底板上的器件,甚至板卡附近有金属零件很容易造成板卡短路。因此也建议在插拔外设时,最好确保电源已经完全切断
2025-12-31 14:33:30
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TDK TFM201208BLE电感:特性、应用与使用提醒 在电子电路设计中,电感作为重要的基础元件,其性能对电路的稳定性和效率有着关键影响。今天我们来详细了解一下TDK推出
2025-12-26 14:35:10
75 CW32芯片的特性有哪些?
2025-12-26 06:14:26
电路研究频域问题,即电路要实现的是输出电压与输入电压的频率成所需的函数关系。
1.有源滤波电路一般由 RC网络和集成运放组成,主要用于小信号处理。按其幅频特性可分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器
2025-12-23 07:22:29
和 CPU 对外设总线控制权的仲裁,以及多 DMA 通道之间的调度执行。
主要特性有:
•5 条独立 DMA 通道
•3 种数据传输宽度:8bit、16bit、32bit
•4 种传输模式:软件
2025-12-16 07:14:57
DLP4500NIR近红外DMD:特性、应用与设计要点 在电子工程师的日常工作中,高性能、可靠的器件对于实现优秀的设计至关重要。DLP4500NIR这款0.45英寸对角线的近红外数字微镜器件(DMD
2025-12-15 11:25:02
1001 TF-047 微同轴电缆:高密度应用的理想之选 在电子工程师的日常工作中,选择合适的电缆是确保项目成功的关键环节。今天给大家介绍一款出色的微同轴电缆——TF - 047,它非常适合高密度应用场
2025-12-11 15:15:02
233 、柔韧,能够适应弯曲和不规则表面安装需求。 2. 核心技术特性 2025年的柔性天线产品在以下技术指标上实现了显著提升: · 高频宽带支持:能够支持从低频到毫米波(28GHz、60GHz)的宽频段通信
2025-12-05 09:10:58
在如今这个数据爆炸的时代,各类存储设备犹如繁星般闪耀,而SD NAND、TF卡和SD卡更是其中的佼佼者。它们看似相似,实则各有千秋,在不同的领域和场景中发挥着独特的作用。今天,就让我们一起深入探索这三者的应用奥秘。
2025-11-30 15:16:34
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数据损坏与校验错误是瀚海微SD NAND/TF卡在数据存储与传输过程中的关键故障,除常见的CRC错误外,数据比对失败(读取数据与写入数据不一致)是核心表现形式,直接影响数据准确性,在工业控制、高清存储等场景中可能引发严重后果。以下从故障表现、成因及解决方案展开详细说明。
2025-11-30 15:15:54
609 onsemi TF412 N沟道JFET专为低频通用放大器和阻抗变换器应用而设计。Onsemi TF412的最大工作电压为30V,最大工作电流为10mA,输入栅极-源极漏电流(I ~GSS~ )非常
2025-11-24 11:55:36
437 在科技飞速发展的今天,数据存储的需求渗透到生活与工作的每一个角落——从手腕上的智能手表,到专业摄影师的相机,再到工厂里的工业路由器,都离不开高效可靠的存储介质。SD NAND、TF卡和SD卡作为其中
2025-11-24 11:04:51
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在瀚海微SD NAND/TF卡的实际应用中,硬件识别与初始化是保障设备正常运行的首要环节,该环节出现故障会直接导致存储卡无法投入使用,尤其在工业控制、车载设备等关键场景中,可能引发设备停机、数据丢失
2025-11-18 09:58:17
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数据读写超时是SD NAND/TF卡在数据传输环节的高频故障,直接导致数据传输中断、设备卡顿甚至业务停工,广泛影响消费级、工业级等多场景使用。以下从故障涉及的核心方面、深层诱因及针对性解决方案展开
2025-11-17 10:04:44
461 在工业自动化、智能装备、物联网等领域,工控主板作为核心控制单元,其设计质量直接决定了整个系统的稳定性、可靠性与运行效率。与消费级主板不同,工控主板需面对复杂严苛的工业环境,因此在设计上具备诸多独特特性,这些特性也成为其区别于普通主板的关键所在。
2025-11-13 08:58:40
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在数据洪流的时代,存储介质就如同数字世界的基石,支撑着各类设备的正常运转。SD NAND、TF卡和SD卡,虽同属NAND Flash存储介质家族,却因各自独特的“个性”,在不同领域绽放光彩。接下来
2025-10-29 14:24:25
352 在当今快速发展的电子技术领域,高频开关性能已成为衡量功率器件性能的关键指标之一。新洁能凭借其卓越的高频开关性能,正在为各种产品应用带来前所未有的赋能与变革。本文将深入探讨新洁能NCE65TF
2025-10-20 16:21:01
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在数字技术深度融入生产生活的当下,无论是消费端的智能设备数据记录,还是工业领域的关键信息存储,都对存储产品的性能、安全性与适配性提出更高要求。瀚海微SD NAND/TF卡凭借硬核技术实力与严苛品质把
2025-10-14 10:18:31
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当智能设备渗透生活每个角落,从旅行时运动相机捕捉的山野风光,到工作中平板存储的设计方案,再到无人机航拍的城市全景,每一份数据都承载着价值与回忆。瀚海微SD NAND/TF卡,以硬核性能打破存储局限
2025-10-13 11:12:56
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三环贴片电容的直流偏压特性主要表现为,当在电容两端施加直流电压时,其有效电容值会随所加直流电压的变化而发生变化,通常电容值会随着直流电压的上升而降低。以下是对该特性及其影响的详细分析: 直流偏压
2025-09-29 14:12:15
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### 1. 产品简介:IRLR220TF-VB 是一款高耐压单 N 沟道 MOSFET,封装类型为 TO252。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术,设计用于高电压应用。其漏极-源极
2025-09-26 13:57:27
### IRFR9210TF-VB MOSFET 产品简介IRFR9210TF-VB 是一款单P沟道MOSFET,封装为TO252(DPAK)。它设计用于高耐压、低电流应用,适合处理负电压环境。该
2025-09-26 10:28:04
### 一、产品简介IRFR9024TF-VB是一款单P沟道MOSFET,采用TO-252封装,设计用于满足高电压和大电流应用的需求。该MOSFET具有-60V的漏源电压(VDS)和最大-30A的漏
2025-09-26 09:50:00
### 1. 产品简介:IRFR9010TF-VB是一款高性能单P沟道MOSFET,封装类型为TO252,采用先进的Trench技术。该器件具有高负电压承受能力,漏源电压(VDS)达到-60V,最大
2025-09-25 17:21:23
### 一、IRFR020TF-VB 产品简介IRFR020TF-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为中等电压和高电流应用设计。该 MOSFET 的漏源极电压
2025-09-23 09:46:16
### UF840-TF3-T-VB 产品简介UF840-TF3-T-VB 是一款高性能单极 N 通道功率 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高压电源管理和功率转换应用。该器件具备
2025-09-22 15:44:00
### 产品简介:UF840L-TF3-T-VBUF840L-TF3-T-VB 是一款高电压 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压和中等电流应用设计。该
2025-09-22 15:26:46
### UF830L-TF1-T-VB 产品简介UF830L-TF1-T-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 通道功率 MOSFET,设计用于高压电源和功率管理应用。它具有最大漏源电压
2025-09-22 15:11:06
### UF730L-TF3-T-VB 产品简介UF730L-TF3-T-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 通道功率 MOSFET,设计用于高压电源和电力电子应用。其最大漏源电压
2025-09-22 15:05:33
### 1. **TF9606-VB 产品简介:**TF9606-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 沟 MOSFET,设计用于高电压和高功率应用。其最大漏源电压(VDS)为 650V
2025-09-19 16:24:48
**TF8N60-VB MOSFET 产品简介**TF8N60-VB是一款高耐压N通道MOSFET,采用TO220F封装,专为中高电压电源控制和开关应用设计。该MOSFET具有650V的漏源电压
2025-09-19 16:20:16
### TF7S65-VB MOSFET 产品简介TF7S65-VB 是一款高压 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为需要高电压和大电流处理的应用设计。该 MOSFET 的最大漏源
2025-09-19 16:04:52
### 产品简介:**TF7S60-VB** 是一款高电压、高功率单 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,具有 650V 的最大漏源电压(VDS)和 12A 的最大漏电流(ID)。它
2025-09-19 15:55:48
### TF7N65-VB MOSFET 产品简介TF7N65-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 型 MOSFET,具有 650V 的高耐压能力和 7A 的最大漏极电流(I_D)。该
2025-09-19 15:53:05
### 产品简介:TF7N60-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,具有 650V 的最大漏源电压(VDS),适用于中等电压范围内的功率开关和电源控制应用。该
2025-09-19 15:47:54
### 1. **TF7N60FD-VB 产品简介:**TF7N60FD-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 沟 MOSFET,专为高电压和高电流应用设计,最大漏源电压(VDS)为
2025-09-19 15:42:16
**TF5N50-VB MOSFET 产品简介**TF5N50-VB是一款高耐压N通道MOSFET,采用TO220F封装,专为中高电压电源管理和开关控制应用设计。该MOSFET具有650V的漏源电压
2025-09-19 15:39:22
### TF4S60-VB MOSFET 产品简介TF4S60-VB 是一款高压 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为需要高耐压与可靠性的功率应用设计。该 MOSFET 的最大漏源
2025-09-19 15:33:19
### TF4N60-VB MOSFET 产品简介TF4N60-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 型 MOSFET,具有650V 的高耐压和 4A 的漏极电流能力。其具有较高的阈值电压
2025-09-19 15:29:37
### 产品简介**TF4N60L-VB** 是一款采用TO220F封装的单极N沟MOSFET,采用Plannar技术设计,具有650V的耐压和4A的漏极电流(ID)。该MOSFET的导通电
2025-09-19 15:25:02
### 产品简介**TF3N50-VB** 是一款采用TO220F封装的单极N沟MOSFET,采用Plannar技术设计,具有650V的耐压和4A的漏极电流(ID)。该MOSFET的导通电阻(RDS
2025-09-19 15:19:37
### TF12N60FD-VB MOSFET 产品简介TF12N60FD-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 型 MOSFET,专为高电压和高功率应用设计,最大漏源电压 (Vds) 为
2025-09-19 15:16:19
650V,适用于需要高电压控制的电子设备和电力系统。TF10N65-VB的门极阈值电压(Vth)为3.5V,具有较高的耐压能力和稳定的导通特性。尽管其导通电阻(R
2025-09-19 15:06:56
### TF10N60-VB MOSFET 产品简介TF10N60-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 型 MOSFET,专为高电压应用设计,最大漏源电压 (Vds) 为 650V,栅极源
2025-09-19 14:47:11
我们常听到的“特性阻抗”究竟是什么?它与通常所说的“阻抗”或“直流电阻”有何区别?虽然“特性阻抗”和“阻抗”都使用[Ω]单位,但它们之间存在什么差异?
2025-09-17 15:07:29
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电缆的长度会影响特性阻抗吗?
2025-09-08 07:08:29
一、基本概念 CV特性 (电容-电压特性)是指半导体器件在不同偏置电压下表现出的电容变化规律,主要用于分析器件的介电特性、载流子分布和界面状态。该特性是评估功率器件性能的核心指标之一。 CV特性测试
2025-09-01 12:26:20
930 可以使用 TF(MicroSD) 启动 NUC972?
2025-08-29 07:54:49
市场宣传的“极速传输”与现实使用中的龟速读写,数据无故丢失……这些矛盾背后,是“数据刺客”在作祟。本文以多场景实测为镜,照出陷阱原形,为你指明安全路径! TF卡 (全称TransFlash Card
2025-08-14 17:30:54
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本文基于真实测试数据,曝光行业黑幕,帮你构建防御盾,让每一分钱都花在刀刃上! TF卡 (全称TransFlash Card)由SanDisk(闪迪)公司于2004年推出,后由SD协会正式命名为
2025-08-11 14:17:02
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以下将介绍线性稳压器电源(VIN)开启时的启动特性及关闭时的特性。当线性稳压器的电源在开启与关闭时,其工作特性会受VIN的瞬态变化及输出电容的静电容量等因素影响而变化。由于这些特性往往会对负载设备产生影响,因此在工作性能评估中,它们是必不可少的检查项目。
2025-07-28 11:14:11
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开关柜的机械特性是其机械结构在操作过程中的动态性能,这是直接影响设备运行的可靠性与安全性的一项重要指标。其核心内容在于操作机构特性(如分合闸线圈参数、触头运动特性、弹簧状态),重点内容包括联锁装置
2025-07-21 14:29:35
333 电源管理升压芯片选型指南;分类、特性与设计要点
2025-07-18 17:41:28
1079 三洋卡座sanyo_rd-xm1_sm维修手册
2025-07-07 10:28:53
1 本文转自:河北人工智能计算中心在当今快速发展的人工智能领域,算力成为决定模型训练与推理速度的关键因素之一。为了提高计算效率,不同精度的数据类型应运而生,包括FP64、FP32、FP16、TF
2025-06-26 11:09:32
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安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用,如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅(SiC)优异的材料特性
2025-06-16 16:40:05
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功率器件作为电子系统中的核心元件,其动态特性直接影响着系统的效率、稳定性和可靠性。因此,对功率器件动态特性的准确测试显得尤为重要。普源示波器作为一种高性能的电子测量仪器,具有宽带宽、高采样率和大存储
2025-06-12 17:03:15
536 
部分SD卡、TF卡适配器或卡套上设有物理写保护开关,当开关滑动到"锁定"位置时,卡片会自动进入写保护状态。这是最常见也是最容易解决的写保护原因。
2025-06-10 00:00:00
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AM206541TM-SN-R-TF功率放大器AMCOM原装现货AM206541TM-SN-R-TF是一款由AMCOM生产的宽带氮化镓(GaN)单片微波集成电路(MMIC)功率放大器,后缀TF指“无
2025-06-06 09:06:46
在微波技术领域,移相器是一类至关重要的设备。无论是微波移相器还是模拟移相器都能够精确调整波的相位,在保证输入与输出正弦量其他特性不变的前提下,产生特定的相位移。凭借这一特性,西安同步电子生产
2025-06-03 17:24:10
778 前言:龙芯2K0300蜂鸟开发板支持通过TF卡启动系统。相较于EMMC存储方案,TF卡具备灵活拆卸、便于镜像修改、不受存储容量限制等优势。本指南详细说明在Windows/Linux系统下制作TF卡
2025-05-23 08:32:52
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、128GB、256GB等
TF存储卡是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备,由于它体积小、数据传输速度快、可热插拔等优良的特性,被广泛地于便携式装置上使用,例如数码相机、平板电脑和多媒体播放器等
2025-05-21 17:48:25
1.定义SD卡是SecureDigitalCard的英文缩写,直译就是“安全数字卡”。一般用于数码相机等,作外存储器用。TF卡即是T-Flash卡,又叫microSD卡,即微型SD卡。TF卡一般也是
2025-05-21 15:56:52
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RK3576开发板使用TF卡槽
2025-05-07 09:24:14
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光刻胶类型及特性光刻胶(Photoresist),又称光致抗蚀剂,是芯片制造中光刻工艺的核心材料。其性能直接影响芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介绍了光刻胶类型和光刻胶特性。
2025-04-29 13:59:33
7822 
广州帝能云科技66物联充电桩|汽车充电桩:交流充电桩-TF300(单枪7kw)系列
2025-04-27 17:45:50
900 “卓胜微”)发起专利侵权起诉,指控其 MAX - SAW 滤波器(业界普遍称为TF-SAW)侵犯了村田(Murata)的五项核心专利。 滤波器作为现代通信系统中的关键部件,承担着过滤掉不必要信号频段的重任,确保通信设备能在特定频段内正常工作。常见的滤波器类型包括 SAW(表面声波滤波
2025-04-18 09:16:18
824 整流桥作为关键的整流元件,其导电特性与电路整体性能息息相关。通过精准选择合适的二极管类型,巧妙优化整流桥的正向导通和反向阻断特性,能够显著提升电路的效率与可靠性。在实际应用中,深入理解并精心优化整流桥的导电特性,将为设计出更高效、更稳定的电子设备奠定坚实基础。
2025-04-14 15:36:10
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蓝牙5.4与蓝牙6.0的核心区别及技术特性对比
2025-04-02 15:55:52
63274 
本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外,还应注意测试波形的准确性。
2025-03-26 16:52:16
1889 
商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V,而SiC拥有更高的击穿场强,在结构上可以减少芯片的厚度,从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻,使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。
2025-03-12 15:53:22
1529 
本文介绍了硅的导热系数的特性与影响导热系数的因素。
2025-03-12 15:27:25
3554 
新项目要求如下:
1.MCU采用STM32F407
2.TF卡采取SDIO驱动
3.每隔一端时间插U盘,F407自动把TF卡文件拷贝到U盘里面
请问能否实现把TF里面文件移动到U盘?
谢谢!
2025-03-11 08:27:46
RK3588技术分享 | TF卡烧写大于4G容量镜像
2025-03-10 14:39:34
1063 
。机械特性参数是判断断路器性能的重要参数之一。 DSGK-HCSD 高压开关特性综合测试仪即(高压开关机械特性测
2025-03-10 09:44:11
平均速度20MB/s
这样的速度无论是用于DIY的项目,还是在工业应用场景中都很够用了。
在之后的项目中,可以考虑不再用TF卡座,而是直接板载SD NAND,缩小产品尺寸,提高产品寿命。
(介绍视频见本页顶部,部分图片来源:雷龙发展)
2025-03-08 14:28:11
STM32F401RE的SDIO接口最大支持多大容量的TF卡?最大可以支持多少G?有支持大容量的芯片吗?
2025-03-07 10:53:15
install_prerequisites_tf2.bat
使用 TensorFlow* 2 加载模型,并以 保存的型号格式对其进行串行。
import tensorflow as tf
model
2025-03-07 06:11:45
无法转换重新训练的 TF OD API 掩码 RPGA 模型,该模型使用以下命令在 GPU 上工作:
mo
> --saved_model_dir
2025-03-06 06:44:28
通过模型下载器下载了 yolo-v3-tf:
./downloader.py --name yolo-v3-tf
通过模型 优化器转换模型:
python3 ./model_optimizer
2025-03-06 06:31:10
按照电机负载特性选择和匹配变频器是一个关键过程,以确保电机系统的稳定运行和高效性能。以下是一些具体的步骤和考虑因素: 一、明确负载特性 首先,需要明确电机的负载特性。常见的负载特性包括恒转矩负载、恒
2025-03-05 07:34:35
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SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点,可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用,本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。
2025-02-26 15:07:38
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TUDORbatteryTUDOR蓄电池(电瓶)TG/TE/TF系列TUDORbattery,TUDOR蓄电池,TUDOR电瓶,帝陀电池,汽车蓄电池、船舶蓄电池、游艇蓄电池
2025-02-21 16:19:31
德国TUDOR蓄电池TF1205-现货价格TUDORbatteryTUDOR蓄电池(电瓶)TG/TE/TF系列TUDORbattery,TUDOR蓄电池,TUDOR电瓶,帝陀电池,汽车蓄电池、船舶
2025-02-21 15:02:02
SIM卡座作为连接设备与SIM卡的关键部件,其设计优势日益凸显,成为通信设备领域的重要组成部分。本文将由连欣科技深入探讨NANO SIM卡座的设计优势,从体积小巧、便捷操作、稳固接触、兼容性、耐用性和安全性 等多个维度进行解析。
2025-02-17 16:18:07
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在当今数字化飞速发展的时代,电子设备已经深度融入人们生活的方方面面。从智能手机、平板电脑到各类智能穿戴设备、车载导航系统,数据存储与传输起着关键作用。TF 卡(TransFlash Card),作为
2025-02-06 11:37:55
640 碳化硅(SiC)MOSFET作为宽禁带半导体材料(WBG)的一种,具有许多优异的参数特性,这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET的主要参数特性,并通过对比硅基MOSFET和IGBT,阐述其技术优势和应用领域。
2025-02-02 13:48:00
2731 在高速电路设计和信号传输领域,特性阻抗(Characteristic Impedance)是一个至关重要的概念。它描述了信号在传输线上传输的行为和特性,对于确保信号完整性、减少信号反射和提高系统性能具有关键作用。本文将深入探讨特性阻抗的定义、意义以及计算公式,为工程师提供全面的理解。
2025-01-29 14:28:00
6361 电容不得删减,布局时要靠近卡座放置。
3.DAT0~3,CMD,CLK需串接22ohm电阻,DET可串接100ohm电阻。
4.设计电路时TF卡槽必须和系统地连接,否则影响插入检测功能。
2.2.3
2025-01-20 14:38:42
不得删减,布局时要靠近卡座放置。
3.DAT0~3,CMD,CLK需串接22ohm电阻,DET可串接100ohm电阻。
4.设计电路时TF卡槽必须和系统地连接,否则影响插入检测功能。
2.2.3 TF
2025-01-20 14:24:32
磁珠和电感在电路中的阻抗特性各有其独特之处,下面将分别进行详细阐述。 磁珠的阻抗特性 磁珠在电路中的主要作用是抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰。其阻抗特性随着频率的变化而显著变化,具体表现
2025-01-15 15:40:55
1562 
SD卡座和TF卡座作为现代电子设备中不可或缺的存储接口,各自具备独特的特点和适用场景。在深入探讨这两者之间的区别之前,连欣科技认为首先需要了解它们的基本概念。SD卡座是专门为SD卡设计的卡槽,而TF
2025-01-14 15:06:38
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深圳市连欣科技有限公司主要产品有:纽扣电池座,CR1220电池座,SIM卡座、SD卡座、TF卡座,板对板连接器,MINI PCIE连接器,M.2 KEY-B/E/M型,SATA连接器,RJ45连接器
2025-01-14 14:51:28
2 石墨烯技术是一种基于石墨烯这种新型材料的技术,石墨烯由碳原子以sp²杂化键合形成单层六边形蜂窝晶格,具有优异的光学、电学、力学特性。 石墨烯的基本特性: 石墨烯是碳的同素异形体,碳原子以特殊
2025-01-14 11:02:19
1428 在探讨SIM卡座按结构分类的不同类型时,我们首先需要了解SIM卡座的基本定义和功能。SIM卡座是手机或其他电子设备中用于放置SIM卡的卡槽,通过卡座上的弹簧片与SIM卡接触,提供手机与SIM卡之间
2025-01-13 18:22:56
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在数字多媒体的广阔应用领域中,RK3588处理器凭借其低功耗与高性能的卓越特性,正日益成为众多基于ARM架构设备的核心驱动力。然而,不容忽视的是,设备的启动方式对其整体性能表现及用户体验具有举足轻重
2025-01-10 10:53:56
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