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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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UF830L-TF1-T-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: UF830L-TF1-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### UF830L-TF1-T-VB 产品简介

UF830L-TF1-T-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 通道功率 MOSFET,设计用于高压电源和功率管理应用。它具有最大漏源电压(VDS)为 650V,能够承受较高的电压,适用于中高压电力电子系统。此款 MOSFET 最大漏极电流(ID)为 7A,适用于较低电流需求的高压应用。该器件的导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ @ VGS=10V,虽然相对较高,但仍能够在低导通损耗下工作,适合某些特定应用。UF830L-TF1-T-VB 采用平面技术(Planar Technology)制造,提供优异的可靠性和稳定性。它特别适用于需要在高电压下工作且具备适中电流需求的应用,如电源模块、电动汽车和工业控制系统。

### UF830L-TF1-T-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单极 N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:650V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:7A
- **技术类型**:平面技术(Planar Technology)

#### 关键性能参数:
- **VDS (最大漏源电压)**:650V,适用于中高压电源和工业应用,能够承受较高的电压。
- **VGS (栅源电压)**:±30V,提供较宽的栅极驱动范围,适应各种驱动条件。
- **Vth (阈值电压)**:3.5V,低阈值电压,能够在较低栅电压下启动,保证响应速度。
- **RDS(ON) (导通电阻)**:1100mΩ @ VGS=10V,相较于其他低导通电阻的 MOSFET,此参数略高,但仍可在低功耗场合有效工作。
- **ID (最大漏极电流)**:7A,适合较低电流需求的高压电力转换应用。

### UF830L-TF1-T-VB 应用领域及模块举例

#### 1. **高压电源管理**
  - UF830L-TF1-T-VB 可广泛应用于高压电源管理系统,如高效 AC-DC 电源、DC-DC 转换器等。在这些应用中,650V 的最大耐压能力使得其能够承受较高的输入电压,同时 7A 的漏极电流适合较低功率需求的系统。尽管其 RDS(ON) 相对较高,但它仍能有效工作在电流较小的应用中,从而保持系统的高效能。

#### 2. **工业电力控制系统**
  - 在工业电力控制系统中,UF830L-TF1-T-VB 可作为功率开关元件使用,特别适合用于需要中高压电源的工业逆变器、电动机驱动器、自动化控制设备等。这些应用中,MOSFET 可帮助提高电力控制的效率,减少能源浪费,保障工业设备的稳定运行。

#### 3. **汽车电源系统**
  - 在汽车电源管理系统中,UF830L-TF1-T-VB 可以用作电池管理系统(BMS)中的功率开关,尤其是在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中,处理高压电源的转换和管理。尽管其最大电流为 7A,相比于更大功率的应用,其仍能满足较小电流的需求,特别是在电池充电和能量回馈系统中。

#### 4. **光伏发电系统**
  - UF830L-TF1-T-VB 也适用于光伏发电系统中的功率电子设备,尤其是在光伏逆变器中。由于其高耐压特性,它能够承受来自太阳能电池板的高电压输入,并高效地进行电能转换,从直流电到交流电的转换中,保持系统的高效性。

#### 5. **消费电子产品**
  - 在某些高电压要求的消费电子产品中,UF830L-TF1-T-VB 可作为高效功率开关使用。例如,在电动工具、电器等需要电池供电的设备中,它能够帮助提供稳定的功率转换,并确保电流的稳定传输,尤其适用于中等功率的应用场景。

这些应用展示了 UF830L-TF1-T-VB 在高压电源、电力控制、工业和汽车系统中的广泛应用,凭借其高耐压能力和稳定的工作性能,它能够满足多种领域对功率开关元件的需求。

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