企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

UF730L-TF3-T-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: UF730L-TF3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### UF730L-TF3-T-VB 产品简介

UF730L-TF3-T-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 通道功率 MOSFET,设计用于高压电源和电力电子应用。其最大漏源电压 (VDS) 为 650V,最大漏极电流 (ID) 为 10A,适用于高电压、高电流的电力转换和开关电路中。该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 830mΩ,具有较低的导通损耗,能够有效提高系统效率。采用平面技术(Planar Technology),提供稳定的工作性能和长时间可靠的运行。此器件特别适用于需要较高耐压能力且具备较高导电性能的电力电子应用,能够满足汽车、工业、电源管理等领域的需求。

### UF730L-TF3-T-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单极 N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:650V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:10A
- **技术类型**:平面技术(Planar Technology)

#### 关键性能参数:
- **VDS (最大漏源电压)**:650V,适用于中高压电源系统,能够处理较高电压的工作环境。
- **VGS (栅源电压)**:±30V,提供宽泛的栅极驱动范围,适合多种栅极驱动电路。
- **Vth (阈值电压)**:3.5V,低阈值电压确保器件能在较低的栅极电压下启动,响应更为灵敏。
- **RDS(ON) (导通电阻)**:830mΩ @ VGS=10V,较低的导通电阻减少了导通时的功率损耗,提升了器件的能效。
- **ID (最大漏极电流)**:10A,适用于需要高电流传输的应用,提供可靠的电流承载能力。

### UF730L-TF3-T-VB 应用领域及模块举例

#### 1. **高压电源管理**
  - UF730L-TF3-T-VB 适用于各种电源管理系统,尤其是需要高耐压的 AC-DC 或 DC-DC 电源转换器。由于其 650V 的耐压能力,特别适合用于大功率电源、充电器、逆变器等电源模块。在这些应用中,MOSFET 能够有效管理高压输入,并将其转换为所需的输出电压,同时保持较低的导通损耗和较高的效率。

#### 2. **电动汽车电力系统**
  - 在电动汽车(EV)及其充电系统中,UF730L-TF3-T-VB 可以作为功率转换和开关设备使用,特别是在电池管理系统(BMS)及电动驱动系统中。其 10A 的漏极电流和 650V 的高耐压特性使其能够在高压、低损耗的条件下进行高效的电能转换。

#### 3. **工业电力设备**
  - UF730L-TF3-T-VB 也可用于工业电力控制系统,如电动机驱动、工业逆变器、风力发电系统等。这些应用中常常需要处理高电压、大电流,因此该 MOSFET 在这些领域具有广泛的应用。其平面技术使其具有良好的热稳定性和抗过载能力,从而满足这些苛刻环境下的工作需求。

#### 4. **家电和消费电子**
  - UF730L-TF3-T-VB 还适用于高功率家电设备和消费电子产品,如电视机、空调、洗衣机等中需要高压和高电流控制的场合。尤其是在电源适配器、逆变器等模块中,MOSFET 可作为核心开关元件,有助于提高整体效率,降低能量损耗。

#### 5. **光伏和风能系统**
  - 在光伏逆变器和风能发电系统中,UF730L-TF3-T-VB 的高耐压和低导通电阻特性使其成为理想的功率开关元件。其可以用于将直流电转换为交流电,或者在储能系统中进行电压转换,从而提高可再生能源系统的效率和可靠性。

这些应用展示了 UF730L-TF3-T-VB MOSFET 在高压、功率转换和电力控制领域的广泛适用性,凭借其高耐压和低导通电阻的特性,能够满足不同工业和消费电子系统对高效能和高可靠性的需求。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    151浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    129浏览量