企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

IRLR220TF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRLR220TF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介:
IRLR220TF-VB 是一款高耐压单 N 沟道 MOSFET,封装类型为 TO252。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术,设计用于高电压应用。其漏极-源极耐压(VDS)高达 200V,适合处理高电压场景。栅极-源极耐压(VGS)为 ±20V,确保了在各种栅极驱动条件下的稳定性。IRLR220TF-VB 的阈值电压(Vth)为 3V,导通电阻在 10V 栅极电压下为 245mΩ,支持最大 10A 的漏极电流。它的高耐压能力和适中的导通电阻使其成为高电压电源管理和开关应用的理想选择。

### 2. 详细参数说明:
- **型号**: IRLR220TF-VB
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 200V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 245mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: Trench

### 3. 应用领域和模块:
- **高电压电源管理**:IRLR220TF-VB 的 200V 漏极-源极耐压使其非常适合用于高电压电源管理系统,如高压 DC-DC 转换器和电源开关。它能够处理较高的电压而不会发生击穿,保证系统的可靠性。

- **工业设备**:在工业设备中,特别是在需要高电压的驱动电路和负载控制系统中,该 MOSFET 可用于高电压功率开关。它的高电压处理能力和稳健的开关性能能够满足工业环境中对可靠性的要求。

- **汽车电子**:在汽车电子系统中,如高电压负载的控制和电力分配系统,IRLR220TF-VB 可以用于管理高电压电源。它的高耐压能力和稳健的电流处理特性,使其适合于汽车中的功率开关应用。

- **电动控制系统**:对于需要高电压的电动控制系统,如电动门窗、座椅调节器等,IRLR220TF-VB 提供了必要的电压和电流支持。其高耐压和适中的导通电阻能够确保在高电压下稳定运行。

- **功率转换和保护**:该 MOSFET 还适用于各种功率转换和保护电路,如过压保护和功率监测系统。其高电压耐受性使其能够在高电压环境中稳定工作,保护其他组件免受过压损坏。

IRLR220TF-VB 的高电压耐受性和适中的导通电阻使其在高电压电源管理、工业设备、电动控制系统、汽车电子以及功率转换和保护电路等领域具有广泛的应用,确保系统的可靠性和效率。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    144浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    122浏览量