--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
**TF7S60-VB** 是一款高电压、高功率单 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,具有 650V 的最大漏源电压(VDS)和 12A 的最大漏电流(ID)。它采用 Plannar 技术,具有较高的电压耐受性和稳定性,适用于高电压和高功率应用。TF7S60-VB 的导通电阻(RDS(ON))为 680mΩ@VGS=10V,尽管导通电阻较高,但它在高电压应用中具有出色的表现,尤其适用于需要稳定性和可靠性的高电压电源、功率逆变器、电动汽车以及工业电力系统。
### 详细参数说明:
- **型号**: TF7S60-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏源电压(VDS)**: 650V
- **最大门源电压(VGS)**: ±30V
- **门极阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 680mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流(ID)**: 12A
- **技术**: Plannar 技术
- **最大功率耗散**: 50W(根据散热条件)
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **封装特性**: TO220F 封装,提供良好的散热性能和电气连接稳定性,适合高功率应用。
### 应用领域与模块示例:
1. **高压直流电源(HVDC)**:
TF7S60-VB 在高压直流电源中具有重要应用。该 MOSFET 的 650V 电压承受能力使其非常适合用于高压直流电源模块。其稳定的性能保证了在高电压环境下,电源能够高效、稳定地工作。例如,在太阳能光伏发电系统中,TF7S60-VB 可作为主要的开关元件,控制逆变器的电流流动,确保高效的电能转化。
2. **功率逆变器**:
在功率逆变器中,TF7S60-VB 作为开关元件能高效地控制直流电流的转换。特别适用于变频器和太阳能逆变器等高压应用。它能够应对较高的电压负载,并通过低功率损耗提供持续稳定的性能。比如在电力传输和配电中,TF7S60-VB 能帮助逆变器将直流电转换为交流电,提高电力传输效率。
3. **电动汽车(EV)与电池管理系统(BMS)**:
TF7S60-VB 也广泛应用于电动汽车的电池管理系统。由于其高电压耐受能力,TF7S60-VB 可以用于高压电池组的管理和电池充电控制,确保电池在充放电过程中的安全性和效率。通过该 MOSFET,可以高效地切换电流,避免高电压对电池和电动汽车其他系统的影响。
4. **高压电源模块与工业电力控制**:
在工业电力控制中,TF7S60-VB 可用于各类高压电源模块中。它的 650V 的漏源电压使其能够在工业自动化控制系统中高效运作,例如用于高功率的电机控制、风力发电系统、以及其他工业自动化设备中的功率转换模块。
5. **电力开关设备与高压电路保护**:
TF7S60-VB 也适用于电力开关设备,如继电器和开关电源模块。在电路保护领域,该 MOSFET 能有效地承受较高的电压,保证设备安全工作。它常用于防止过电压和过电流情况,保护电力设备免受损坏。
6. **LED驱动电源**:
在LED照明驱动系统中,TF7S60-VB 可用于功率转换和电流调节。通过精确控制电流和电压,该 MOSFET 可以为LED模块提供稳定的电源,从而延长LED的使用寿命并提高其效率。其高电压耐受性使其非常适合用于高功率LED照明系统。
7. **高频开关电源(SMPS)**:
TF7S60-VB 还可以用于高频开关电源中,特别是在需要高电压和电流的场合,如电信设备、电力转换设备等。它的高电压承受能力使其成为高频开关电源系统的理想选择,能够处理大功率并确保系统的稳定性和安全性。
### 总结:
**TF7S60-VB** 是一款适用于高电压电源、功率逆变器、电动汽车电池管理系统(BMS)、工业电力控制等领域的 MOSFET。它具备 650V 的漏源电压和 12A 的漏电流,采用 Plannar 技术和 TO220F 封装,提供高电压承受能力和稳定的性能。尽管其导通电阻(680mΩ)较高,但它在高电压环境下依然表现出色,适合用于要求高可靠性和高功率的应用场合。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12