--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IRFR020TF-VB 产品简介
IRFR020TF-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为中等电压和高电流应用设计。该 MOSFET 的漏源极电压 (VDS) 高达 60V,能够处理高达 18A 的漏极电流。它使用了 Trench 技术,具有优良的开关特性和低导通电阻。在 4.5V 和 10V 的栅源极电压下,分别具有 85mΩ 和 73mΩ 的导通电阻 (RDS(ON))。IRFR020TF-VB 的开启电压 (Vth) 为 1.7V,确保在较低栅极电压下能够可靠开启,适用于各种中等功率的开关和控制应用。
### 二、IRFR020TF-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 73mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术类型**: Trench
- **功耗**: 根据应用场景和散热设计,低导通电阻帮助减少功耗,提高系统效率。
### 三、IRFR020TF-VB 适用领域和模块示例
1. **DC-DC 转换器**
IRFR020TF-VB 的低导通电阻和中等电压能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器中。在这些应用中,该 MOSFET 能够处理较高的开关频率和中等功率负载,帮助提高转换效率和系统稳定性,适用于各种电力转换模块和电源管理系统。
2. **电机控制系统**
在电动汽车、电动工具和小型电机驱动应用中,IRFR020TF-VB 能够提供可靠的开关控制。它能够处理中等电流和电压负载,确保电机驱动的稳定性和高效性,是电机控制系统中的重要组件。
3. **低功耗开关电路**
在低功耗开关电路中,如LED驱动电路和低功率开关电源,IRFR020TF-VB 的低导通电阻和低开启电压使其适合用作高效开关元件。这些应用需要高效、可靠的开关性能,以减少能量损耗和延长系统寿命。
4. **开关电源 (SMPS)**
IRFR020TF-VB 也适用于开关电源中的开关元件,特别是在中等功率应用中。其低导通电阻和高电流处理能力有助于提高开关电源的效率和稳定性,适用于各种开关电源模块和电源管理系统。
该 MOSFET 的低导通电阻和中等电压能力使其在各种中等功率和开关应用中表现优异,能够提供稳定和高效的开关性能。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12