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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TF9606-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TF9606-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. **TF9606-VB 产品简介:**

TF9606-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 沟 MOSFET,设计用于高电压和高功率应用。其最大漏源电压(VDS)为 650V,能够承受较高的工作电压,适用于需要高耐压特性的应用场合。该 MOSFET 的最大漏电流(ID)为 10A,并且采用平面(Plannar)技术,提供相对较低的导通电阻(RDS(ON) = 830mΩ@VGS=10V),能够在中等功率的开关应用中保证良好的效率和稳定性。TF9606-VB 广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制、逆变器和高压电源模块等领域。

### 2. **TF9606-VB 详细参数说明:**

- **封装类型:** TO220F  
- **配置:** 单 N 沟 MOSFET  
- **漏源电压(VDS):** 650V  
- **栅源电压(VGS):** ±30V  
- **阈值电压(Vth):** 3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON)):** 830mΩ@VGS=10V  
- **最大漏电流(ID):** 10A  
- **最大功耗(Ptot):** 80W(取决于散热条件)  
- **最大结温(Tj):** 150°C  
- **工作温度范围:** -55°C 至 +150°C  
- **热阻(RthJC):** 2.5°C/W(源到结)  
- **技术:** Plannar 技术  
- **最大驱动电压:** ±30V  

### 3. **TF9606-VB 应用领域与模块:**

#### **1. 开关电源(SMPS)**
TF9606-VB 可用于开关电源(SMPS),其650V 的漏源电压和较低的导通电阻使其非常适合在高电压电源转换过程中提供高效能。在电源管理应用中,TF9606-VB 能有效减少导通损耗,提高系统效率,适用于工业电源、通信电源、LED 驱动电源等。

#### **2. 逆变器(Inverter)**
TF9606-VB 在太阳能逆变器、风能逆变器及电动汽车逆变器等领域有着广泛应用。其高耐压和较低的导通电阻使其能够在逆变器电路中提供可靠的开关性能,特别是在直流电转换为交流电的过程中。通过优化开关操作,它帮助提升系统效率,确保逆变器系统在负载波动中也能稳定运行。

#### **3. 电动机驱动与电机控制**
在电动机驱动系统中,TF9606-VB 可用于驱动各类电动机,尤其是在需要承受较高电压和电流的电机驱动系统中。其 650V 的耐压能力和 10A 的最大电流承载能力使其能够可靠地进行电机控制,适用于工业电动机、伺服电机以及交流电机的驱动系统中。

#### **4. 电力调节与电源模块**
TF9606-VB 还可应用于电力调节与电源模块中,如高压直流电源模块、升压和降压电源模块等。由于其能够承受 650V 的高电压,因此适合用于电力传输、配电和高压电源的转换和调节。这种特性使其在电力调节系统中扮演着至关重要的角色。

#### **5. 电池管理系统(BMS)**
在电池管理系统(BMS)中,TF9606-VB 可用于电池的充电和放电控制。特别是在电动汽车和储能系统中,电池管理系统需要高电压的 MOSFET 来确保充放电过程的安全和高效。TF9606-VB 提供了高耐压和优异的导通性能,是电池管理系统中不可或缺的组件。

#### **6. 过压保护与电力保护模块**
TF9606-VB 适用于高电压保护和电力保护模块,如过载保护、电流限制和短路保护电路等。在这些模块中,TF9606-VB 能通过高效的开关控制保护电力系统中的其他元件免受损坏。其 650V 的高耐压和较低的导通电阻,确保电力保护系统在异常情况下能快速响应并切断电路,避免过电流或过电压损害。

#### **7. 高压电源系统**
由于 TF9606-VB 具备 650V 的耐压能力,它非常适合用于高压电源系统,尤其是在要求较高电压和电流稳定性的应用中,如电力电子和工业自动化控制系统。这款 MOSFET 能在高压下提供可靠的开关功能,是高压电源设计中的理想选择。

### 总结:
TF9606-VB 是一款适用于高电压(650V)、高功率应用的单 N 沟 MOSFET,采用 TO220F 封装,并结合 Plannar 技术,广泛应用于开关电源、逆变器、电动机驱动、电力调节、电池管理系统以及高压保护等领域。其具备较低的导通电阻和高耐压能力,在高压电力电子系统中能提供高效的开关性能,保证系统的高效运作和可靠性。

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