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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TF3N50-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TF3N50-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**TF3N50-VB** 是一款采用TO220F封装的单极N沟MOSFET,采用Plannar技术设计,具有650V的耐压和4A的漏极电流(ID)。该MOSFET的导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为2560mΩ,相较于许多低电压MOSFET,其导通电阻较高,因此其适用于低功率且耐压较高的应用场合。TF3N50-VB的阈值电压(Vth)为3.5V,适合用于中高电压的开关应用。该MOSFET广泛应用于需要较高电压但较低电流需求的设备中,如高压电源、家电、电力控制系统以及小型电动机驱动。

### 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单极N沟  
- **最大漏源电压(VDS)**:650V  
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V  
- **阈值电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:2560mΩ(在VGS=10V时)  
- **最大漏极电流(ID)**:4A  
- **技术类型**:Plannar  

### 应用领域和模块

1. **高压电源应用**
  TF3N50-VB的650V耐压使其非常适用于高压电源系统,尤其是在低功率需求的情况下。它可以应用于AC-DC电源、开关电源(SMPS)以及其他电源转换模块中,用于将高电压转换为低电压,满足工业和家电等领域的电源需求。其低电流(4A)适合小功率电源设计。

2. **电力控制系统**
  在电力控制系统中,TF3N50-VB适合用作高压开关元件,尤其是在较低电流应用中。它可用于电动工具、电力分配系统、调光器等设备中,提供电流控制和保护。其高电压和适中的电流承载能力使其能够处理常见的电力控制和分配任务。

3. **家电产品**
  在家电领域,TF3N50-VB广泛应用于空调、电热水器、洗衣机等家电产品中,尤其是在电源管理和电动机驱动模块中。其650V的耐压能力使其能够安全处理家庭电压范围内的电源转换和电动机控制任务。

4. **小型电动机驱动**
  TF3N50-VB适用于小型电动机驱动系统,特别是在需要高电压(如AC电动机)但电流要求不高的应用中。其高电压耐受能力使其在驱动各种家电或小型电动工具时表现出色,能够提供稳定的开关控制。

5. **电池保护电路**
  由于TF3N50-VB具有较高的耐压能力和较低的电流要求,它也适用于电池管理和保护电路中,尤其是在高电压电池组(例如锂电池组)中进行保护和电流调节。适合应用于电动工具、便携式电源和储能系统中。

6. **汽车电子系统**
  该MOSFET还可用于汽车电子系统,特别是在需要高电压开关控制的模块中。TF3N50-VB可以在汽车电池管理系统、电动机驱动系统以及高压照明系统中提供可靠的开关操作。它能够在电压较高的工作环境下提供稳定性能,尤其适用于汽车内部的小功率电控系统。

### 结论

TF3N50-VB是一款适合高电压(650V)应用的低电流(4A)N沟MOSFET。它的高耐压和中等电流能力使其在高压电源、电力控制系统、小型电动机驱动、家电产品以及电池保护电路中具有广泛的应用。其Plannar技术保证了稳定的性能和较好的开关特性,适用于需要耐高压的电气设备,尤其在低功率场合表现出色。

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