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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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UF840-TF3-T-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: UF840-TF3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### UF840-TF3-T-VB 产品简介

UF840-TF3-T-VB 是一款高性能单极 N 通道功率 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高压电源管理和功率转换应用。该器件具备 650V 的最大漏源电压(VDS)和 12A 的最大漏极电流(ID),适用于多种需要较高耐压和较大电流的电力电子应用。它的导通电阻(RDS(ON))为 680mΩ @ VGS=10V,相比其他同类器件,其导通损耗较低,能有效提高系统的能效。UF840-TF3-T-VB 采用平面技术(Planar Technology),提供良好的稳定性、可靠性和温度控制,广泛应用于工业控制、电动汽车、光伏系统等领域。

### UF840-TF3-T-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单极 N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:650V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:680mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:12A
- **技术类型**:平面技术(Planar Technology)

#### 关键性能参数:
- **VDS (最大漏源电压)**:650V,适用于高压电源管理和功率转换系统。
- **VGS (栅源电压)**:±30V,能够适应多种栅驱动电压。
- **Vth (阈值电压)**:3.5V,确保器件在较低栅极电压下即可启动。
- **RDS(ON) (导通电阻)**:680mΩ @ VGS=10V,较低的导通电阻减少了导通损耗,提高了效率。
- **ID (最大漏极电流)**:12A,适用于中等电流需求的应用。

### UF840-TF3-T-VB 应用领域及模块举例

#### 1. **高压电源管理系统**
  - UF840-TF3-T-VB 适用于高压电源管理系统,特别是 AC-DC 和 DC-DC 电源转换器。其 650V 的最大耐压和 12A 的最大漏极电流使其能够处理较高功率的电源,尤其是在电池充电器、逆变器等设备中,能够高效地将直流电压转换为所需的交流电或其他电压等级的直流电。

#### 2. **电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)**
  - 在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中,UF840-TF3-T-VB 可作为电池管理系统(BMS)和电动机驱动系统中的功率开关。其较高的耐压能力(650V)使其适应电动汽车动力电池的高压需求,同时提供 12A 的电流支持,用于电池充放电、逆变器及其他动力系统中。

#### 3. **工业电力设备**
  - UF840-TF3-T-VB 在工业应用中,特别是在工业逆变器、电动机驱动和自动化设备中具有重要作用。它的高耐压和高电流能力使其非常适合在需要精确电力控制的工业设备中,如伺服电机驱动、电力变换器等。

#### 4. **太阳能发电系统**
  - 在光伏发电系统中,UF840-TF3-T-VB 主要应用于太阳能逆变器中,将光伏电池产生的直流电转换为交流电。由于其具有较高的耐压能力和较低的导通电阻,它能有效提高光伏逆变器的工作效率,并确保系统稳定运行。

#### 5. **消费电子和家电**
  - 在一些高功率消费电子产品中,如大型家电(空调、洗衣机、电视机等),UF840-TF3-T-VB 可以用作电源模块中的开关元件。它能够处理家庭电器中的高压和中等电流负载,确保设备的稳定工作和较高的能效。

### 总结
UF840-TF3-T-VB 是一款适用于多种高压、高电流应用的功率MOSFET,具有优良的电气性能,广泛应用于电力电子、工业控制、汽车电力系统、光伏发电等领域。凭借其 650V 的高耐压和 12A 的高电流能力,UF840-TF3-T-VB 提供了稳定、可靠的性能,适应各种苛刻环境下的电力转换需求。

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