企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

TF7N60-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TF7N60-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:

TF7N60-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,具有 650V 的最大漏源电压(VDS),适用于中等电压范围内的功率开关和电源控制应用。该 MOSFET 在 VGS = 10V 时的导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ,具有良好的电流承载能力和较低的导通损耗,最大漏电流(ID)可达 7A。TF7N60-VB 使用 Plannar 技术,这种技术使得该 MOSFET 具有较高的可靠性和较低的开关损失,适合在中等功率的电源和开关系统中应用。

TF7N60-VB 主要用于高电压低电流的电源控制、电动机驱动、开关电源(SMPS)等场合,能够有效提高系统效率,减少能量损耗。在高效能和可靠性要求较高的领域中,TF7N60-VB 能够提供稳定的工作性能,尤其适合用于要求高压和适度电流承载的电源转换和开关应用。

### 详细参数说明:

- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单 N 通道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(VDS)**:650V
- **最大门源电压(VGS)**:±30V
- **门阈电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流(ID)**:7A
- **技术**:Plannar
- **最大功耗**:根据数据表最大功耗参数
- **结温**:最高工作温度范围为 150°C

### 应用领域和模块:

1. **开关电源(SMPS)**:
  TF7N60-VB 适用于开关电源模块,尤其是在高电压环境下的应用。它能够在高电压操作条件下稳定工作,尤其适合 AC-DC 电源转换、DC-DC 转换器、光伏发电系统中的逆变器、LED 驱动电源等。其较高的 VDS 和稳定的导通性能,使其在高效电源设计中得到广泛应用。

2. **电动机控制与驱动**:
  TF7N60-VB 可用于电动机控制电路,特别是用于高电压电动机驱动的场景。适用于家电、工业电动工具、自动化设备中的电动机驱动系统中。该 MOSFET 可帮助减少电动机控制系统中的能量损耗,提高系统的效率。

3. **电池管理系统(BMS)**:
  在电池管理系统中,TF7N60-VB 可以作为开关元件,用于调节电池的充放电过程,确保电池的安全运行。由于其较高的耐压性能,该 MOSFET 适合在电池充放电控制、电池保护电路中应用,特别是高电压电池系统,如电动汽车电池管理中。

4. **功率管理与电源保护**:
  TF7N60-VB 适合用于高压电源管理和电源保护电路。其低 RDS(ON) 特性有助于减小能量损失,提高电源管理系统的效率。在电源保护、过电流和过电压保护电路中,能够为系统提供稳定的开关功能,避免电源设备损坏。

5. **高压逆变器与变频器**:
  由于其较高的 VDS 和较高的导通电流能力,TF7N60-VB 非常适合应用于高压逆变器和变频器中。这些设备广泛应用于工业电力调度、电力变换、风力发电和光伏发电领域。MOSFET 在这些应用中作为开关元件,能提供稳定的电力转换。

6. **工业自动化系统**:
  在自动化设备和工业控制系统中,TF7N60-VB 被用于电源控制、驱动和开关应用。它的高电压耐受能力使其适用于控制高功率电流的系统,尤其是在涉及设备监控、物料搬运、机器人等应用中。

### 总结:

TF7N60-VB 是一款适用于中等电压应用的高性能 N 通道 MOSFET,具有 650V 的最大漏源电压和 7A 的漏电流承载能力。它采用 Plannar 技术,具有较低的导通电阻和较高的工作可靠性,广泛应用于开关电源、电动机驱动、逆变器、电池管理系统以及工业自动化领域。由于其优良的开关性能和高电压适应性,TF7N60-VB 可以为多种高效能和高可靠性要求的电源管理系统提供优化解决方案。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    155浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    139浏览量