**TF10N65-VB MOSFET 产品简介**
TF10N65-VB是一款高压单极N通道MOSFET，采用TO220F封装，专为高电压电源管理和开关应用设计。该MOSFET的漏源电压（VDS）为650V，适用于需要高电压控制的电子设备和电力系统。TF10N65-VB的门极阈值电压（Vth）为3.5V，具有较高的耐压能力和稳定的导通特性。尽管其导通电阻（RDS(ON)）为830mΩ（VGS=10V），相对较高，但其最大漏电流（ID）为10A，适合用于中电流负载的高压开关应用。采用Plannar技术，TF10N65-VB具有较低的开关损耗和优异的热稳定性，在高频、高电压的工作环境下能够保持良好的性能。
**详细参数说明**
- **封装**：TO220F
- **配置**：单极N通道
- **VDS（漏源电压）**：650V
- **VGS（门源电压）**：±30V
- **Vth（门极阈值电压）**：3.5V
- **RDS(ON)**：830mΩ@VGS=10V
- **ID（最大漏电流）**：10A
- **技术**：Plannar技术
**适用领域与模块举例**
TF10N65-VB适用于高电压应用，尤其是需要650V耐压的电源转换和电力管理系统。该MOSFET广泛应用于AC-DC电源转换器、电力供应模块、太阳能逆变器等高电压电源系统。在太阳能逆变器、风力发电系统和工业电力控制中，TF10N65-VB能够稳定提供高压电流的开关控制，确保系统稳定运行。
此外，TF10N65-VB在电动工具、电池充电器以及一些大功率电源模块中也得到广泛应用。在这些应用中，尽管其导通电阻较高，但仍能通过优异的开关性能和耐压能力提供可靠的电流控制。在UPS（不间断电源）系统、变频器及电动机驱动系统中，TF10N65-VB作为功率开关器件也有应用，尤其是在需要高电压但中等电流的应用场景中，它能有效地传输和控制电流，提高系统效率。
由于采用Plannar技术，TF10N65-VB能够在高频高电压的工作环境下有效降低开关损耗，保证系统的长期稳定性。因此，在工业自动化、通信电源模块以及高功率电源领域，它都是可靠的选择，特别适用于中等电流需求且要求高电压承载能力的电源模块。
