--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### TF4N60-VB MOSFET 产品简介
TF4N60-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 型 MOSFET,具有650V 的高耐压和 4A 的漏极电流能力。其具有较高的阈值电压(V_th = 3.5V)和较高的导通电阻(R_DS(ON) = 2560mΩ @ V_GS = 10V)。TF4N60-VB 采用传统的 Plannar 技术,这使得其在高电压环境下的性能表现稳定,适合用于低至中等电流的功率控制应用。尽管其导通电阻相对较高,但它仍适合一些电源转换、交流电调节等中等功率需求的应用场合。TF4N60-VB 的高耐压和耐用性使其在一些高压工作环境中依然能够稳定运行。
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### TF4N60-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单极 N 型 MOSFET(Single-N-Channel)
- **漏极至源极电压 (V_DS)**:650V
- **栅源极电压 (V_GS)**:±30V
- **阈值电压 (V_th)**:3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 2560mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流 (I_D)**:4A
- **技术**:Plannar 技术
- **最大功率损耗**:该 MOSFET 的高导通电阻可能导致较高的功率损耗,适用于较低电流和中等电压的应用。
- **导通电阻特性**:相对较高的导通电阻导致它在一些低效能的应用中表现不如现代 Trench 技术 MOSFET。
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### 应用领域和模块举例
1. **高压电源转换器**:
TF4N60-VB MOSFET 的 650V 高耐压特性使其适用于高压电源转换器中。虽然导通电阻较高,但在中等电流需求的场合下,依然能够提供稳定的电源转换功能。它在用于中功率开关电源(如 AC-DC 电源模块)时,能够承受高电压波动并进行有效的电能传输。
2. **电动机驱动控制**:
TF4N60-VB 也可以用于电动机驱动电路,尤其是在中等功率的应用中。它能够处理高达 650V 的电压,在工业电动机控制和小型电动工具的电流调节中发挥作用。尽管导通电阻较高,但它仍能满足一些低功率和中功率电动机的运行需求。
3. **开关电源(SMPS)**:
在开关电源(Switch-Mode Power Supplies, SMPS)中,TF4N60-VB 可以作为开关元件,提供高效的电流控制。在电源的开关过程中,它承受高电压时能够保证电源系统稳定运行,尽管由于导通电阻较高,它的效率可能不如更先进的 Trench 技术的 MOSFET。
4. **高压交流调节器**:
该 MOSFET 适用于交流电源调节器,尤其是在需要承受较高电压(如家电中常见的高电压直流转换)时使用。TF4N60-VB 的650V 耐压能力保证了其在高电压下的可靠工作,但由于较高的导通电阻,它更适用于低至中等功率的交流电调节系统。
5. **小型家电与照明控制**:
在家用电器和照明控制系统中,TF4N60-VB 能够提供所需的高压开关控制。它可以用于某些低至中等功率的家用电器,如小型风扇、空调的电力开关控制系统,或者在一些中等功率的照明设备中作为开关元件使用。
6. **电气保护和过压保护**:
TF4N60-VB 的高耐压能力使其适用于电气保护电路,尤其是用于过压保护和电流保护系统中。它能够有效地承受瞬时高电压冲击,防止电路中其他元件被损坏,尤其是在高电压环境中,它能够稳定工作。
7. **高压测量和电池保护系统**:
该 MOSFET 可以用于电池管理系统(BMS)中的高压隔离和过电压保护模块,尤其适用于需要对高电压电池进行保护的应用,如电动汽车电池管理系统。在这些应用中,TF4N60-VB 可用于处理高压电池系统中的电流流动和保护功能。
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### 总结
TF4N60-VB 是一款 650V 高耐压的单极 N 型 MOSFET,适用于中等电流(最大 4A)和高电压(最大 650V)要求的应用。尽管导通电阻较高(2560mΩ),其高耐压和稳定的性能使其成为一些高电压环境中较为经济的选择。TF4N60-VB 适用于高压电源转换、电动机驱动、开关电源、交流电调节器等领域,特别适合需要较高耐压和中等功率需求的场合。
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