**TF5N50-VB MOSFET 产品简介**
TF5N50-VB是一款高耐压N通道MOSFET，采用TO220F封装，专为中高电压电源管理和开关控制应用设计。该MOSFET具有650V的漏源电压（VDS），适合用于高电压电力转换系统。其门极阈值电压（Vth）为3.5V，能够在较低的门极电压下开启，确保快速响应。TF5N50-VB的导通电阻（RDS(ON)）为1100mΩ（VGS=10V），相对较高，适用于低电流的应用。该MOSFET的最大漏电流（ID）为7A，适用于需要较低电流和较高电压的应用。TF5N50-VB采用Plannar技术，这种技术适合于需要较高电压承载能力的应用，尽管导通电阻相对较高，但在低电流、高电压环境下仍能提供稳定的开关控制。
**详细参数说明**
- **封装**：TO220F
- **配置**：单极N通道
- **VDS（漏源电压）**：650V
- **VGS（门源电压）**：±30V
- **Vth（门极阈值电压）**：3.5V
- **RDS(ON)**：1100mΩ@VGS=10V
- **ID（最大漏电流）**：7A
- **技术**：Plannar技术
**适用领域与模块举例**
TF5N50-VB的650V耐压使其适用于需要高电压承载的电源管理和功率控制模块，特别是在中高电压电力转换系统中。尽管其导通电阻较高，但由于其较高的耐压特性，它仍能在一些中低电流的应用中提供可靠的性能。TF5N50-VB广泛应用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、过载保护电路以及电源模块中，特别适用于需要高电压和较低电流的场景。
在电动工具、工业设备以及一些高电压驱动系统中，TF5N50-VB也能够提供稳定的电流控制，尤其适用于需要650V高电压支持的电力系统。该器件的Plannar技术使其适合用于要求高电压耐受的环境，尽管在大电流应用中可能存在较高的导通损耗，但在中低电流系统中仍能提供有效的性能。
此外，TF5N50-VB还可以用于不间断电源（UPS）系统和一些电力传输模块。虽然导通电阻较高，但其高耐压特性使其能够在对电压要求较为严格的电力应用中提供可靠的开关控制，特别是在需要高耐压且中低电流的应用场合。
总结来说，TF5N50-VB特别适用于高电压电源模块、功率控制应用及电力转换系统，尤其在较低电流负载情况下展现出良好的稳定性和可靠性。
