在风力发电中，发电机与变流控制系统是保障机组高效稳定运行的关键。随着风电机组容量不断增大和海上风电的快速发展，直驱永磁同步变速恒频系统因其突出优势，正获得越来越广泛的应用。本篇中我们基于EasyGo
2025-12-24 18:32:36
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产品应用多面性氮化镓是半导体领域后起之秀中的“六边形战士”，综合性能全面，而射频应用作为氮化镓的“王牌分支”，凭借出众的“高频、高功率、高效率、抗造”性能表现，在高频高功率场景中让传统硅基、砷化镓
2025-12-24 10:23:54735 
概要： 安森美（onsemi ） 与格罗方德（GlobalFoundries, GF）达成全新合作协议，进一步巩固其在智能电源产品领域的领导地位，双方将共同研发并制造下一代氮化镓（GaN）功率器件
2025-12-19 20:01:513406 双向器件，GaN BDS 的出现可以大大降低元器件的成本：无需工艺调整和 MASK 变动，通过合并漂移区和漏极及双栅控制，即可实现单片集成的氮化镓双向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
CHA8107-QCB两级氮化镓（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款两级氮化镓（GaN）高功率
2025-12-12 09:40:25
30W氮化镓全电压认证方案1.方案介绍及产品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW
2025-11-28 17:18:042048 
在追求高效能、高可靠性功率半导体技术的道路上迈出关键一步，打破车规级功率半导体性能边界 近日，镓未来正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 电子发烧友原创 章鹰 10月23日，国际知名调研机构Yole Group发布的《功率氮化镓2025》报告显示，功率氮化镓器件市场正以惊人速度扩张。2024年市场规模达3.55亿美元，预计2030年将
2025-11-16 00:40:0013349 
中的性能差异源于材料物理特性，具体优劣势如下： 1. GaN（氮化镓）功放芯片 优势： 功率密度高：GaN 的击穿电场强度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面积下可承受更高电压（600V+）和电流，功率密度可达硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片体积仅为硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573101 现在氮化镓材料技术比较成熟，芯源的MOS管也是用的氮化镓材料技术嘛？
2025-11-14 07:25:48
新品第五代CoolGaN650-700V氮化镓功率晶体管G5第五代650-700VGaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。该系
2025-11-03 18:18:052815 
TGA2963介绍： 哈喽，朋友们，今天我要向大家介绍的是 Qorvo 的一款功率放大器——TGA2963。 它的射频输入和输出端口已经匹配到标准
2025-10-31 14:57:28
随着全球能源需求因 AI 数据中心、电动汽车以及其他高能耗应用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关应用的功率密度、能效和耐用性树立新标杆。这些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980 一、队伍介绍
本篇为蜂鸟E203系列分享第五篇，本篇介绍的内容是E203 代码结构梳理。
二、层次图
三、模块具体功能
2025-10-30 06:56:37
氮化镓电源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。
2025-08-26 10:24:432670 
氮化镓电源芯片U8727AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。
2025-08-25 17:41:157434 
氮化镓（GaN）技术为电源行业提供了进一步改进电源转换的机会，从而能够减小电源的整体尺寸。70多年来，硅基半导体一直主导着电子行业。它的成本效益、丰富性和电气特性已得到充分了解，使其成为电子行业
2025-08-21 06:40:348327 
随着芯片尺寸的逐渐缩小，电场强度却随距离的减小而线性增加。若电源电压保持不变，产生的电场强度将足以击穿芯片，这无疑对电子系统的电源电压提出了更为严苛的要求。银联宝氮化镓电源ic U8726AHE集成高压E-GaN、集成高压启动电路，减少外围元件，适配快速充电器和适配器等电源设备。
2025-08-19 17:38:341597 
磁芯饱和会导致变压器线圈感抗变小，回路电流大增，从而引起开关管的损坏。想要避免这些后果，就必须确保开关电源主变压器在工作过程中不会进入磁饱和状态。氮化镓电源ic U8732内部集成有软启动功能，在
2025-08-18 16:30:465763 
近日，应充电头网邀请，在行业目光聚焦之际，京东方华灿多位专家围绕氮化镓材料与技术展开深度分享，为行业发展勾勒清晰且充满希望的蓝图。其中，京东方华灿副总裁、首席技术官王江波博士值此世界氮化镓日之际，发表了他对氮化镓材料发展的寄语。
2025-08-14 15:31:223004 CMPA2738060F内容介绍： 今天我要向大家介绍的是 MACOM 的一款2.7 - 3.8 GHz 80W氮化镓功率
2025-08-12 11:02:45
芯片的脚位是指芯片与电路板或其他芯片之间进行连接的引脚。引脚可以传输数字信号和模拟信号，还用于为芯片提供电源和接地。今天重点介绍的是深圳银联宝氮化镓电源ic U8731的脚位特征！
2025-07-29 14:07:594019 氮化镓电源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8723AH
2025-07-28 11:38:063811 
制造氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）具有一定难度，这主要归因于材料本身以及制造工艺中的多项挑战。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级适用于开关模式电源应用。LMG3624将氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 和栅极驱动器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
深圳市永阜康科技有限公司现在大力推广国内首款氮化镓D类音频功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化镓，48V供电时，驱动到4Ω可以在10%THD+N内输出1×340W的功率，QFN-48贴片封装，不需要外接散热器辅助散热。
2025-07-21 15:05:102858 
氮化镓充电器的高功率密度，能在很小的体积里给出更高的功率，所以氮化镓充电器个头更小，重量也更轻。且能把电能转换得更有效，能量损失也少，充电速度就能变得更快。推荐一款快速启动功能和超低的工作电流氮化镓快充芯片——U8725AHE，可实现小于30mW的超低待机功耗！
2025-07-18 16:08:412964 
通常来讲，充电器输出功率的增加，充电器的体积也要相应扩大。因为内置GaN芯片的使用，快充充电器拥有小体积、高性能、协议多、节能高等特点，所以快充充电器比我们设想的要小、要薄。今天推荐的是一款集成E-GaN的高频高性能准氮化镓快充ic U8733L，特别适应于快速充电器和适配器上！
2025-07-15 15:26:062542 
在氮化镓和碳化硅之后，氧化镓(Ga₂O₃)正以超高击穿电压与低成本潜力，推动超宽禁带功率器件进入大规模落地阶段。
2025-07-11 09:12:482948 
炎热的夏天，总是需要一些冲散酷暑的小电器，给生活制造惊喜。客户最近热卖的制冷杯，被称为夏日“行走的小冰箱”，受到了许多上班族和户外一族的喜爱，充电部分采用的正是我们深圳银联宝科技研发生产的氮化镓电源芯片。今天就带你一起看看氮化镓电源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 新品TOLL和DFN封装CoolGaN650VG5第五代氮化镓功率晶体管第五代CoolGaN650VG5氮化镓功率晶体管可在高频工况下显著提升能效，符合业界最高质量标准，助力打造兼具超高效率与卓越
2025-06-26 17:07:332034 氮化镓电源IC U872XAHE系列是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗
2025-06-20 17:26:561420 
全球能源转型中，传统双馈式风电因齿轮箱损耗大、维护成本高，难以满足高效需求。直驱式技术以无齿轮箱设计降损提效，尤其适用于海上风电、高海拔等场景。本篇中我们基于EasyGo实时仿真器EGBoxMini
2025-06-18 18:05:00850 
同一套电源芯片方案，可直接应用于不同的电压输出上，这不仅有效节省成本，更是大大缩短了开发时间，使项目收益最大化。深圳银联宝科技最新推出的25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B，输出可选5V、9V、12V，注重空间布局和兼容性问题，通过了认证测试，低耗高效，值得推荐！
2025-06-16 15:40:171592 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化镓 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的频率范围内提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:001559 
氮化镓（GaN）器件在高频率下能够实现更高效率，主要归功于GaN材料本身的内在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
氮化镓电源芯片U8722CAS打嗝模式实现噪音和纹波最优化打嗝模式本质为电源保护机制（如短路保护），优化需在保障可靠性的前提下进行。高频噪声问题需协同芯片设计、封装工艺及PCB布局综合解决。氮化镓
2025-06-12 15:46:16962 摘要
本文阐释了在开关模式电源中使用氮化镓(GaN)开关所涉及的独特考量因素和面临的挑战。文中提出了一种以专用GaN驱动器为形式的解决方案，可提供必要的功能，打造稳固可靠的设计。此外，本文还建议将
2025-06-11 10:07:24
45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE，同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201071 前不久，纳微半导体刚刚发布全球首款量产级的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
InnoSwitch3-EP和InnoSwitch4-QR氮化家反激式开关IC专为服务器、个人电脑待机电源以及功率高达220W、电压高达1250V的工业电源而设计。
2025-05-30 09:34:111164 恒功率控制方式通过精确的控制策略和先进的电子技术，实现了在各种工况下输出功率的恒定。其基本原理是通过调节系统的输入或输出参数（如电压、电流等），使得系统在负载变化时能够维持输出功率不变。银联宝氮化镓
2025-05-29 16:53:04911 开关损耗。氮化镓快充电源ic U8765采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化！
2025-05-26 18:02:421062 氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比，性能遥遥领先。它支持多种快充协议，如PD、QC等，能够智能识别设备所需的充电功率，实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机，还是笔记本电脑、平板电脑，氮化镓
2025-05-23 14:21:36883 电源方案全电压认证款：U8722BAS+U7612B方案来咯！主控氮化镓电源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片
2025-05-22 15:41:26734 CS管脚通常用于采样电感电流，实现峰值电流控制，并且可以限制最大输入电流，从而实现过流保护功能。此外，CS管脚还可以用于设定系统的最高工作频率。通过连接不同阻值的RSEL电阻，可以设定不同的系统工作频率上限。氮化镓电源ic U8724AH复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。
2025-05-22 11:33:48753 
过压保护和欠压保护是维护芯片电路安全运行的关键功能。有些芯片会提供一个欠压保护引脚，当欠压保护被触发时，该引脚会产生一个信号。通过检测该引脚的状态，可以判断芯片是否处于欠压保护状态。深圳银联宝氮化镓PD快充ic U8608输入过欠压保护 (Line OVP/BOP)，先来看看它的引脚。
2025-05-21 11:55:37755 从清华大学到镓未来科技，张大江先生在半导体功率器件十八年的坚守！近年来，珠海市镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）在第三代半导体行业异军突起，凭借领先的氮化镓（GaN）技术储备和不断推出的新产品
2025-05-19 10:16:02
谷底锁定模式是一种应用于开关电源如反激式拓扑、准谐振电源中的关键技术，其核心在于通过精确控制开关管的导通时机以降低损耗和提升系统稳定性。在深圳银联宝科技最新推出的20W氮化镓电源ic U8722SP
2025-05-17 09:13:57825 
行业技术新高度。Gemini微型增程器采用水平对置双缸四冲程发动机与P1永磁同步电机相结合,并首发搭载自研“冰刃”系列氮化镓(GaN)功率模块,是全球首款应用氮化镓功
2025-05-13 09:36:34789 
芯片恒功率控制，意味着无论负载变化如何，系统都能保持恒定的输出功率，确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。当检测到系统温度过高时，主动降功率功能会启动，以降低系统温度，防止过热。深圳银联宝科技的氮化镓PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主动降功率控制功能，一起来看看！
2025-05-10 14:22:16871 深圳银联宝科技推出的PD 20W氮化镓单电压应用方案，主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，协议338E。输入规格：180V-264V 50Hz，输出规格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
全集成保护型氮化镓功率芯片搭配双向无损耗电流检测，效率提升4%、系统成本降低15%、PCB占位面积缩小40% 加利福尼亚州托伦斯2025年5月1日讯——纳微半导体今日正式宣布推出 全新专为电机驱动
2025-05-09 13:58:181260 
在65W氮化镓快充设计中，输入欠压保护与过压保护协同工作，保障充电头在电网波动时仍能稳定输出，并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766，输入欠压保护(BOP)，采用ESOP-10W封装！
2025-05-08 16:30:141015 对于碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)功率器件而言，优化的栅极驱动尤为重要。此类转换器的快速开关需仔细考量寄生参数、过冲/欠冲现象以及功率损耗最小化问题，而驱动电路在这些方面都起着
2025-05-08 11:08:401153 
恒功率电源芯片具有稳压、高效、过载保护等特性，适用于一些功率要求严格的应用场景，如充电器、LED驱动器、电动工具等。今天推荐的深圳银联宝带恒功率集成高压E-GaN氮化镓电源IC U8723AHS，不仅可以提高电路的稳定性和可靠性，同时也可以提高能源利用效率，使优势发挥到最大！
2025-05-07 17:58:32673 （E-mode）氮化镓-GD：耗尽型（D-mode）氮化镓技术差异：E-mode器件无需负压关断，驱动电路更简化；D-mode需搭配驱动IC实现常闭特性。2.耐压等级标识-65：650V
2025-05-06 17:24:21593 
氮化镓凭借高频高效特性，具备了体积小、功率高、发热低等优势，但小型化虽好，散热才是硬道理，选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此氮化镓电源芯片U8726AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。
2025-04-28 16:07:21720 
25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AHYLB芯片内置Boost电路将功率开关器件（如MOSFET）、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装，省去分立元件布局，显著降低PCB面积需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766，推荐功率为65W，代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 电子发烧友网报道（文/章鹰）4月15日到17日，在慕尼黑上海电子展上，功率器件大厂英诺赛科带来了数字能源、消费电子、汽车电子、机器人领域最新的氮化镓器件方案。 图：英诺赛科展台新品和氮化镓晶圆 电子
2025-04-21 09:10:422407 
纳微高功率GaNSafe氮化镓功率芯片已达到电动汽车所需的量产表现，可为车载充电机（OBC）和高压转低压的DC-DC变换器解锁前所未有的功率密度和效率表现 加利福尼亚州托伦斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:264298 
氮化镓的应用已经从消费电子的快充向工业级功率领域渗透，这给了国内厂商非常大的市场机会。在2025CITE电子展上，镓创晶合董事长助理赵阳接受媒体采访，分享公司氮化镓产品和市场近况以及行业趋势等话题
2025-04-16 15:12:491444 氮化镓电源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料号功率65WYINLIANBAO深圳银联宝科技氮化镓电源芯片U8722X家族，喜提“芯”成员——U8722FE，推荐最大输出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58667 防止过热。这种功能可以与OTP协同工作，提供双重保护。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8732外置OTP自带降功率，单高压30W，一起了解下！
2025-04-02 17:52:32781 
深圳市三佛科技有限公司供应CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC,原装现货
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化镓（GaN）FET是常关器件
2025-03-31 14:26:10
30W氮化镓电源ic U8608集成E-GaN和驱动电流分档功能，通过调节驱动电流档位，可以减少电磁干扰（EMI），优化系统的整体性能和待机功耗。具体来了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
深圳银联宝科技推出的氮化镓快充芯片集成高频高性能准谐振模式，显著降低磁性元件体积，同时通过同步整流技术将效率翻番。比如今天介绍的65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U8766，拥有超低启动和工作电流，可实现小于30mW的超低待机功耗，势如破竹！
2025-03-20 17:41:40835 市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。
2025-03-19 17:16:291165 GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件门极驱动电路设计方案
2025-03-13 18:06:0046953 
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）今日重磅发布全球首款量产级650V双向GaNFast氮化镓
2025-03-13 15:49:392996 
日前，京东方华灿的氮化镓研发总监马欢应半导体在线邀请，分享了关于氮化镓器件的最新进展，引起了行业的广泛关注。随着全球半导体领域对高性能、高效率器件的需求不断加大，氮化镓（GaN）技术逐渐成为新一代电子器件的热点，其优越的性能使其在电源转换和射频应用中展现出巨大的潜力。
2025-03-13 11:44:261527 介绍了氮化镓（GaN）功率IC在电机逆变器中的应用，对比传统硅基解决方案，阐述了其优势、实际应用案例、设计考量及结论。 *附件
2025-03-12 18:47:172084 
效氮化镓功率器件、以创新技术简化环保节能电子系统设计的无晶圆厂环保技术半导体企业。今日CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源车主驱逆变器的GaN解决方案。该方案基于其专利ICeGaN® 氮化镓
2025-03-11 10:57:26884 电动汽车设计师致力于通过提升功率、缩小系统尺寸并减少散热需求，使电动汽车更轻量化、自动化，并配备更小电池。借助氮化镓(GaN)汽车级功率器件在功率转换、高频开关和热管理领域的突破性进展，电动汽车的能
2025-03-03 11:41:561005 
氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接，感兴趣的朋友可以直接下载： *附件：氮化镓晶体管的并联设计.pdf 一、引言 应用场景 ：并联开关管广泛应用于大功率场合，如牵引逆变器、可回收能源系统等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化镓（GaN）充电头？氮化镓充电头是一种采用氮化镓（GalliumNitride,GaN）半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基（Si）充电器，GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 什么是氮化镓（GaN）充电头？氮化镓充电头是一种采用氮化镓（GalliumNitride,GaN）半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基（Si）充电器，GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 海凌科40WACDC系列氮化镓电源模块，具有全球输入电压范围、低温升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔离等优点，转换效率高达91%，应用广泛，性价比高。一、产品介绍40WACDC系列氮化镓电源模块
2025-02-24 12:02:321021 
在混合式氮化镓 VCSEL 的研究，2010年本研究团队优化制程达到室温连续波操作电激发氮化镓 VCSEL，此元件是以磊晶成长 AlN/GaN DBR 以及 InGaN MQW 发光层再搭配
2025-02-19 14:20:431085 
过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此，在本文中，我们先对氮化镓未来的发展进行分析，并讨论了垂直氮化镓器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。
2025-02-17 14:27:362014 
氮化镓电源芯片U8733推荐工作频率130KHz/220KHz氮化镓电源芯片U8733集成恒功率控制与主动降功率控制功能，在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化，实现恒功率功能。外置温度检测
2025-02-13 16:22:261075 HMC1114PM5E 是一款氮化镓 (GaN) 宽带功率放大器，可在 18 dBm 的输入功率 (PIN) 下，在 2.7 GHz 至 3.8 GHz 瞬时带宽范围上实现大于 10 W (高达
2025-02-13 14:33:12
氮化镓电源芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片，内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少
2025-02-07 16:01:021106 深圳银联宝科技氮化镓芯片2025年持续发力氮化镓芯片YLB银联宝/YINLIANBAO无线通信领域，设备往往需要在有限的空间内实现强大的信号传输功能，氮化镓芯片就能凭借这一特性，满足其功率需求的同时
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链，为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081234 
在半导体产业这片高精尖的领域中，氮化镓（GaN）衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料，正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而，氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战
2025-01-22 09:43:37449 
在半导体制造这一微观且精密的领域里，氮化镓（GaN）衬底作为高端芯片的关键基石，正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而，氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁
2025-01-20 09:36:50404 在当今高速发展的半导体产业浪潮中，氮化镓（GaN）衬底宛如一颗耀眼的新星，凭借其卓越的电学与光学性能，在众多高端芯片制造领域，尤其是光电器件、功率器件等方向，开拓出广阔的应用天地。然而，要想充分发挥
2025-01-17 09:27:36420 在半导体领域的璀璨星河中，氮化镓（GaN）衬底正凭借其优异的性能，如高电子迁移率、宽禁带等特性，在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角，成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 的代替材料就更加迫切。
氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀
2025-01-15 16:41:14
电能的高效转换。同步整流芯片的加入则有效地解决了能量损耗问题。今天介绍的是35W氮化镓电源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 PI公司诚邀您报名参加电子研习社主办的线上直播。我们的技术专家将为您带来专题演讲，介绍新的氮化镓耐压基准。
2025-01-15 15:41:09899 工艺的横向晶体管相比，采用氮化镓单晶构建垂直晶体管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圆。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN单晶晶圆一直都面临困难。 大阪大学和丰田合成的研究人员制造了一种 200mm 的多点籽晶 （MPS） 衬底，并成功地在衬底上生长出对角线长度略低于 2
2025-01-09 18:18:221358 带恒功率、底部无PAD的氮化镓芯片U872XAHS系列型号分别为U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐压700V，内阻1.0--1.2R。封装类型ASOP-7-T4。
2025-01-06 15:52:201004 近日，全球氮化镓(GaN)功率半导体领域的佼佼者英诺赛科(2577.HK)成功登陆港交所主板，为港股市场增添了一枚稀缺且优质的投资标的。 英诺赛科作为全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，其在
2025-01-06 11:29:141123
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