氮化镓芯片U872XAHS系列的主要特性

带恒功率、底部无PAD的氮化镓芯片U872XAHS系列型号分别为U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐压700V，内阻1.0--1.2R。封装类型ASOP-7-T4，具体脚位如下：

1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

2 FB I 系统反馈输入管脚

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚

4 VDD P 芯片供电管脚

5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

6 GND P 芯片参考地

7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

U872XAHS系列目前用量最大的是氮化镓芯片U8723AHS，推荐功率30W (12V单高压)，工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。

氮化镓芯片U872XAHS系列主要特性：

&集成 高压 E-GaN

&集成高压启动功能

&超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW

&谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

&集成 EMI 优化技术

&驱动电流分档配置

&集成 Boost 供电电路

&集成完备的保护功能：

VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)

输出过压/欠压保护 (DEM OVP/UVP)

输入过压/欠压保护 (LOVP /BOP)

片内过热保护 (OTP)

逐周期电流限制 (OCP)

异常过流保护 (AOCP)

短路保护 (SCP)

过载保护 (OLP)

前沿消隐 (LEB)

CS 管脚开路保护

&封装类型 ASOP7-T4

针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓芯片U872XAHS系列集成了Boost供电技术，仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可，在输出电压较低时，Boost电路启动工作，维持VDD电压在VBOOST_REG(典型值10.1V)，当输出电压升高，辅助绕组电压高于VBOOST_REG时，Boost电路停止工作，VDD由辅助绕组供电。

如今消费者对充电器的便携性要求越来越高，氮化镓芯片可以让充电器在体积缩小的情况下，依然能够提供较高的充电功率。关注深圳银联宝科技氮化镓芯片系列，顺应各类消费需求！