纳微半导体发布双向GaNFast氮化镓功率芯片

双向GaNFast氮化镓功率芯片搭配新型IsoFast驱动器，打造高效单级拓扑，全面提升AC-DC与AC-AC转换能效、功率密度及性能

加利福尼亚州托伦斯2025年3月12日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）今日重磅发布全球首款量产级650V双向GaNFast氮化镓功率芯片及高速隔离型栅极驱动器，通过单级BDS（双向开关）变换器实现电源技术范式跃迁。该技术将推动传统双级拓扑向单级架构转型，目标市场涵盖电动汽车充电（车载充电机OBC及充电桩）、光伏逆变器、储能系统及电机驱动等领域，开启数十亿美元级市场机遇。

目前，超过70%的高压功率变换器采用双级拓扑，例如AC-DC车载充电机需先经PFC级，再经DC-DC级，并依赖笨重的直流母线电容缓冲，复杂的架构导致此类系统体积庞大、能效低下且成本高昂。双向GaNFast氮化镓技术将两级整合为单级高频高效架构，彻底消除电容与输入电感，成为电动汽车OBC等场景的终极解决方案。

单级OBC设计参考

一家领先的电动汽车及光伏微逆制造商已开始采用单级BDS变换器以提升其系统效率、缩小尺寸并降低成本。搭载GaNFast的单级变换器可实现高达10%的降本、20%的节能以及50%的体积缩减。

理想的功率半导体开关（晶体管）需具备双向电压阻断能力及电流导通能力，并以最高效率实现能量控制。纳微凭借在氮化镓创新领域的领导地位，成功推出这一里程碑产品——双向GaNFast氮化镓功率芯片。

在过去，实现双向控制需使用两个分立式“背靠背”的单体开关，而新型双向GaNFast氮化镓功率芯片采用尖端单芯片设计（单片集成），通过合并漏极结构、双栅极控制及集成专利的有源基板钳位技术，实现双向开关的突破。一颗高速高效的双向GaNFast氮化镓功率芯片可替代最多4个传统开关器件，显著提升系统性能，同时减少元件数量、PCB面积和系统成本。

1颗氮化镓BDS可替代4颗硅基开关

首批650V双向GaNFast氮化镓功率芯片包括料号为NV6427（典型导通电阻为100 mΩ）和NV6428（典型导通电阻为50 mΩ）的两款产品，采用顶部散热的TOLT-16L（晶体管外形引脚顶部冷却）封装。未来该产品系列将扩增更低导通电阻的型号。

全新IsoFast电气隔离型高速驱动器，专为驱动双向氮化镓器件设计。其瞬态抗扰度较现有驱动器提升4倍（最高达200 V/ns），且无需外部负压供电，可在高压系统中实现可靠、快速、精准的功率控制。首批产品包括采用SOIC-16N封装的NV1702（双通道数字隔离型双向氮化镓栅极驱动器）及采用SOIC-14W封装的NV1701（半桥氮化镓数字隔离器）两款料号。

IsoFast六大特性

纳微半导体

首席执行官兼联合创始人

Gene Sheridan

“我们全新的双向氮化镓开关及数字隔离驱动器，是半导体和系统层面真正具有颠覆性的技术。它们不仅提升了效率、功率密度、设计简洁性和系统成本的降本，还将以最可持续的方式重塑多个价值数十亿美元的市场。

打造全电气化星球离不开能量的双向流动。从所有可再生能源、电网到电动汽车和储能系统，能量应实现高效双向流动，成为未来的关键‘新货币’。单级双向氮化镓开关正是这一变革的核心。”

双向能量流动的未来展望

双向GaNFast氮化镓功率芯片（NV6427和NV6428）已通过品质认证并已进入量产阶段。IsoFast（NV1701和NV1702）样品可提供给符合资质的客户。

搭载IsoFast和双向GaNFast氮化镓功率芯片的单级评估板及使用说明已向符合资质的客户开放申请。

纳微将于2025年3月17日至19日参加在亚特兰大举办的APEC 2025，并在1107号展位上展示双向GaNFast氮化镓功率芯片及IsoFast驱动器。

同时，纳微也会在3月28日参加于深圳举办的亚洲充电展，欢迎各界人士到访，与纳微团队深入交流。

关于纳微半导体

纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral认证的半导体公司。