65W全压氮化镓快充芯片U8766介绍

在65W氮化镓快充设计中，输入欠压保护与过压保护协同工作，保障充电头在电网波动时仍能稳定输出，并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766，输入欠压保护(BOP)，采用ESOP-10W封装！

氮化镓快充芯片U8766通过HV管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于BOP保护阈值VBOP (典型值 100V)时，芯片内部的BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms)，计时结束后触发BOP保护。如果母线电压超过BOP恢复阈值VBOP_RE(典型值110V)，芯片将重新启动。

氮化镓快充芯片U8766管脚特征：

1 HV P 高压启动管脚

2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚

3 Source P GaN FET 源极引脚

4 GND P 芯片参考地

5 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

6 FB I 系统反馈输入管脚

7 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测

8 VDD P 芯片供电管脚

9 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

10 NC -

氮化镓快充芯片U8766还集成有其他完备的保护功能，包括：VDD欠压保护(UVLO)、VDD过压保护(VDD OVP)、输入欠压保护(BOP)、输出过压保护(OVP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、过载保护(OLP)、输出过流保护(SOCP)、内置过热保护(OTP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护等。

氮化镓快充芯片U8766采用峰值电流抖动的方式实现进一步的EMI性能优化，峰值电流抖动幅值最大为±8%。芯片根据输入电压的变化调节抖动幅值，实现EMI优化的基础上进一步优化输出纹波。内部集成有软启动功能，在软启动时间TST (典型值5ms)内，电流峰值从最小值逐步增加，避免变压器磁芯饱和，系统每次重启都会伴随一次软启动过程。