氮化镓凭借高频高效特性,具备了体积小、功率高、发热低等优势,但小型化虽好,散热才是硬道理,选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源ic U8765!
当氮化镓电源ic U8765结温超过TSD (典型值150℃)时,芯片停止工作,进入过热保护。当芯片温度下降至TRC (典型值 120℃),芯片重新启动。U8765封装类型ESOP-10W,引脚分析如下:
1 HV P 高压启动管脚
2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚
3 Source P GaN FET 源极引脚
4 GND P 芯片参考地
5 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚
6 FB I 系统反馈输入管脚
7 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测
8 VDD P 芯片供电管脚
9 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚
10 NC -
氮化镓电源ic U8765主要特性:
* 集成高压 E-GaN
* 集成高压启动功能
* 超低启动和工作电流,待机功耗 <30mW
* 谷底锁定模式, 最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
* 集成 EMI 优化技术
* 驱动电流分档配置
* 集成 Boost 供电电路
* 集成完备的保护功能:VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)、输出过压保护 (OVP)、输入欠压保护 (BOP)、片内过热保护 (OTP)、逐周期电流限制 (OCP)、异常过流保护 (AOCP)、短路保护 (SCP)、过载保护 (OLP)、过流保护 (SOCP)、前沿消隐 (LEB)、CS 管脚开路保护
氮化镓电源ic U8765能够有效散热,提高产品的可靠性和长寿命。U8765的工作频率最高可达220kHz,可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能,可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路,非常适用于宽输出电压的应用场景!
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原文标题:耐压700V氮化镓电源ic U8765散热性能优越
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