纳微半导体GaNSafe™氮化镓功率芯片正式通过车规认证

纳微高功率GaNSafe氮化镓功率芯片已达到电动汽车所需的量产表现，可为车载充电机（OBC）和高压转低压的DC-DC变换器解锁前所未有的功率密度和效率表现

加利福尼亚州托伦斯 2025年4月15日讯——纳微半导体宣布其高功率旗舰GaNSafe氮化镓功率芯片已通过AEC-Q100和AEC-Q101两项车规认证，这标志着氮化镓技术在电动汽车市场的应用正式迈入了全新阶段。

纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe产品家族，集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能，使其在高功率应用中具备了前所未有的可靠性和鲁棒性。作为全球氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制。所有这些功能都可通过芯片4个引脚实现，使得封装可以像一个离散的氮化镓FET一样被处理，不需要额外的VCC引脚。

汽车电子委员会（AEC）制定的包括AEC-Q100和AEC-Q101在内的主流认证标准，分别针对汽车应用中使用的封装芯片和分立器件，进行基于失效机制的应力测试。纳微的GaNSafe产品系列已通过这两项标准的认证，以确保纳微的分立功率氮化镓晶体管和集成的功率控制保护电路解决方案都能满足这些严格的规范要求。

为了支撑这一认证，纳微半导体编制了一份全面的可靠性报告，该报告分析了超过7年的生产和实际应用数据。报告展示了公司的业绩记录，以及产品在坚固性和可靠性方面的迭代和系列改进，确认了氮化镓功率芯片具备极高的可靠性并且非常适用于汽车领域。这份可靠性报告可供符合资质的客户查阅。

纳微最新的氮化镓（GaN）可靠性报告显示，过去七年产量持续攀升，已累计出货超过2.5亿颗，同时将现场失效率降至极具竞争力的十亿分之100（ppb)。

2025 年 3 月，纳微还推出了全球首款量产的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片和与之配备的IsoFast驱动器，引发了电力电子领域的范式转变，使得从两级拓扑结构向单级拓扑结构的转变成为可能，从而进一步提高AC-DC和AC-AC转换的效率、功率密度和性能。这将使下一代单级车载充电器能够以更高效、超紧凑的解决方案实现双向充电，并省去体积庞大的电容器和输入电感器。

一家领先的电动汽车及光伏微逆制造商已开始采用单级BDS变换器以提升其系统效率、缩小尺寸并降低成本。搭载GaNFast的单级变换器可实现高达10%的降本、20%的节能以及50%的体积缩减。

纳微半导体

首席执行官兼联合创始人

Gene Sheridan

“我们最新的可靠性报告是多年来技术创新和实际应用经验的结晶。随着纳微的氮化镓功率芯片的出货量超过2.5亿颗，器件的实际运行总时长超过2万亿小时，累计现场故障率接近十亿分之100ppb，纳微正在引领氮化镓成为电动汽车电源系统的首选技术。”

关于纳微半导体

纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral认证的半导体公司。

纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。