以上，这也是目前氮化镓在手机充电器上广泛被应用的重要原因。 氮化镓GaNFast TM 是纳微半导体此前被广泛应用的氮化镓功率芯片系列，纳微半导体销售营运总监李铭钊介绍到，目前全球超过140款量产中的充电器都采用了纳微的方案，大约150款
2021-11-26 09:42:13
6102 过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此，在本文中，我们先对氮化镓未来的发展进行分析，并讨论了垂直氮化镓器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。
2025-02-17 14:27:36875 
增加GaNSense™技术，全新GaNFast™氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:262307 
氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）宣布，戴尔已采用纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片为其 Latitude 9000 系列高端笔记本电脑实现快充。
2021-12-30 15:06:091618 
2022年1月18日，纳微半导体正式宣布，其新一代增加GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手机所标配的120W超快闪充迷你充电器中。
2022-01-19 09:29:023108 
纳微半导体今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片，已用于Redmi携手梅赛德斯 AMG 马石油 F1 车队共同发布的K50冠军版电竞手机所标配120W氮化镓充电器中。
2022-03-14 13:40:021642 氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码： NVTS）正式宣布其发货数量已超过四千万颗，终端市场故障率为零。
2022-03-28 09:27:48880 
芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）发布全新GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，带来前所未有的高集成度和性能表现。 氮化镓是相比传统高压 (HV) 硅 (Si) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，同时还减少了提供相同
2023-03-28 13:54:321044 
器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日发布 全新CRPS185 4.5kW AI数据中心服务器电源方案 ，该方案围绕纳微旗下GaNSafe™高功率氮化镓功率芯片和GeneSiC
2024-07-26 14:54:011758 
— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日发布 全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产品——GaNSlim™ ，其凭借 最高级别的集成度和散热性能 ，可为 手机
2024-10-17 16:31:09987 
下一代GaNSense™技术为AI数据中心、电信、工业设备提升8倍功率 下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体宣布其搭载GaNSense™技术的GaNFast
2025-03-12 11:02:36323 
了GaNSense的新功能，原理图和PCB布局设计指导，电路设计样板和测试波形，以及热管理指导。这些设计指导能够实现效率和功率密度最大化并使系统可靠性和鲁棒性达到最高级别。
2023-06-19 07:40:08
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
容易使用。通过简单的“数字输入、电源输出”操作，布局和控制都很简单。dV/dt 回转率控制和欠压锁定等功能，确保了氮化镓功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的设计的机会，从而极为有效地缩短了产品上市
2023-06-15 15:32:41
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
、开关速度和可靠性都在不断提高。这些器件已成功解决低电压(低于100伏)或高电压容差(IGBT和超结器件)中的效率和开关频率问题。然而，由于硅的限制，因此无法在单个硅功率FET中提供所有这些功能。宽带隙
2018-11-20 10:56:25
干燥、血液和组织的加热和消融等在内的工业、科学和医疗(ISM)领域的应用。支持这些系统的射频器件必须达到性能、电源效率、精小外形和可靠性的最佳平衡，且价位适合进行主流商业推广，硅基氮化镓正是理想之选
2017-08-15 17:47:34
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展
2018-08-17 09:49:42
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
，只应用在高端充电器上。一些小功率的，高性价比的充电器无法享受到氮化镓性能提升所带来的红利。目前，国内已经有多家厂商推出了用于33-100W大功率充电器的合封芯片，通过将氮化镓开关管，控制器以及驱动
2021-11-28 11:16:55
受到关注。因此，这些设备可能存在于航空航天和军事应用的更苛刻条件下。但是这些行业对任何功率器件（硅或GaN）都要求严格的质量和可靠性标准，而这正是GaN HEMT所面临的问题。氮化镓HEMT与硅
2020-09-23 10:46:20
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。本分会的主题涵盖大尺寸衬底上横向或纵向氮化镓器件外延结构与生长、氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、高效高速氮化镓功率模块设计与制造，氮化镓功率应用与可靠性等。本届
2018-11-05 09:51:35
兼首席执行官John Croteau表示：“本协议是我们引领射频工业向硅上氮化镓技术转化的漫长征程中的一个里程碑。截至今天，MACOM通过化合物半导体小厂改善并验证了硅上氮化镓技术的优势，射频性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
`射频器件市场前景5G 提出要覆盖毫米波频段，将可用通信频率提升至 6GHz-300GHz 区间。这些技术场景对射频器件的性能，比如功率、线性度、 工作频率、效率、可靠性等提出了极高的要求。有数
2017-07-18 16:38:20
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
，在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变，初级FET的一般损耗方程可以最小化，从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的性能表现，将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
尽可能提高（和降低）。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性，同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看，您必须至少对其中的部分因素进行权衡，但德州仪器正通过所有这些优势
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
GEM-T的发射器，提高拦截器的可靠性和效率。此外，在新生产导弹中过渡到GaN意味着发射器不需要在拦截器的使用寿命期间更换。[color=rgb(51, 51, 51) !important]雷神公司
2019-07-08 04:20:32
和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。第一步：元器件选型对于工程师来说，GaN元器件相较于传统的MOSFET而言有很多不同和优势，但在设计上也带来一定挑战。课程从硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓
2020-11-18 06:30:50
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能
2022-11-16 06:43:23
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷电容器，可增加功率密度。
氮化镓器件使得电机驱动器在减小尺寸和重量的同时，可以实现更平稳的运行。这些优势对于仓储和物流机器人、伺服驱动器、电动自行车和电动滑板车、协作
2023-06-25 13:58:54
节能的角度来看，射频能量能够通过两种方法为行业带来优势，即降低成本和优化控制。除节能外，氮化镓和射频能量的另一个能源优势是非常适合石油工业中的工业干燥和加热应用。Suncor等公司已开始通过射频能量
2018-01-18 10:56:28
尽可能提高（和降低）。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性，同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看，您必须至少对其中的部分因素进行权衡，但德州仪器正通过所有这些优势
2022-11-10 06:36:09
功率密度计算解决方案实现高功率密度和高效率。
误解2：氮化镓技术不可靠
氮化镓器件自2010年初开始量产，而且在实验室测试和大批量客户应用中,氮化镓器件展现出具备极高的稳健性。EPC器件已经通过数千亿个
2023-06-25 14:17:47
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
解决方案，累计近100家客户选用了茂睿芯的氮化镓解决方案。致力于为客户提供最优解，进一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系统可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化镓PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
高的场合，如工业缝纫机、数控机床、白色家电、工业风机等。 该方案采用32位ARM/DSP作为主控芯片；为了减少电路的复杂度，提高可靠性，采用智能功率模块作为电机功率驱动部分；该方案整合目前常用的电流
2019-07-09 08:24:02
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
纳微半导体今日正式宣布，其出货量创下最新纪录，已向市场成功交付超过1300万颗氮化镓（GaN）功率IC实现产品零故障。
2021-01-27 16:43:141998 微一直活跃在氮化镓快充产业链，致力为客户提供高可靠性的高功率密度USB PD快充解决方案。 近期，亚成微推出了一款基于自研主控芯片RM6601SN + 同步整流芯片RM3410T的 65W高功率密度氮化镓快充方案，方案采用专有驱动技术，直驱E-MODE
2021-03-05 18:02:365029 纳微半导体（Navitas Semiconductor）是全球氮化镓功率芯片的开创者，成立于2014年，总部位于爱尔兰，在深圳、杭州、上海都拥有销售和研发中心。纳微半导体拥有一支强大且不断壮大
2021-03-10 14:33:013645 DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 纳微半导体宣布，在为期三天的2021年慕尼黑上海电子展上，成功完成一系列GaNFast™ 大功率氮化镓工业应用首秀。
2021-04-27 14:11:531153 纳微半导体向福布斯详细介绍了纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片的相关信息，并且介绍了氮化镓功率芯片在电动汽车以及电动交通工具等方面的应用。
2021-08-24 09:39:211673 
截至 2021 年 5 月，超过 2000 万片纳微 GaNFast™️ 氮化镓功率芯片已经成功出货。
2021-08-24 09:42:301391 
小米 65W 1A1C 氮化镓充电器，采用了纳微半导体 NV6115 GaNFast 氮化镓功率芯片。该芯片采用 5×6mm 的 QFN 封装，并且采用高频软开关拓扑，集成氮化镓开关管、独立驱动器以及逻辑控制电路。
2021-08-24 09:48:102271 
氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体（“纳微”）的股票，正式开始在纳斯达克全球市场交易，股票代码为“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312343 
全球氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体，在北京小米科技园举办的 2021 被投企业 Demo Day 上，展示了下一代功率电源和手机快充产品。
2021-11-02 09:51:311014 
氮化镓作为下一代半导体技术，其运行速度比传统硅功率芯片快 20 倍。纳微半导体以其专有的GaNFast™氮化镓功率集成芯片技术，集成了氮化镓功率场效应管（GaN Power［FET］）、驱动、控制和保护模块在单个SMT表面贴装工艺封装中。
2022-03-29 13:45:131920 氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度，将加速进入更多类型的快充市场。
2022-05-05 10:32:561964 图片 采用 GaNSense™ 技术的700V额定电压GaNFast™智能氮化镓功率芯片可实现更高的效率和可靠性 图片 氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码
2022-05-05 11:13:572710 
美国加利福尼亚州埃尔塞贡多，2022 年 5 月10日：氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）正式发布 NV6169，这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片，可满足高功率应用。
2022-05-11 11:24:312308 下一代氮化镓功率芯片 助力RedmiBook Pro实现轻巧快充 加利福尼亚州埃尔塞贡多2022年6月29日讯 — 氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:401970 
Anker，重新定义氮化镓！ “纳微半导体是氮化镓功率芯片行业领导者，自 2017 年以来一直与安克紧密合作。作为纳微半导体的首批投资者，安克见证了纳微从成立初期到 2021 年在纳斯达克的成功上市。 安克GaNPrime™ 全氮化镓快充家族的产品中，采用了纳微新一代增加GaNSense™️技术的
2022-07-29 16:17:44734 
纳微半导体于2022年9月正式发布新一采用GaNSense技术的 NV624x GaNFast半桥功率芯片，作为全新一代产品，其集成了两个GaN FETs 和驱动器，以及控制、电平转换、传感和保护功能 ，其适用于手机移动、消费和工业市场中100-300W应用。
2022-09-09 14:44:532023 GaNSense半桥氮化镓功率芯片集成了两个GaN FETs 和驱动器，以及控制、电平转换、传感和保护功能，为电子元件创建了一个易于使用的系统构建块。相较分立式方案，革命性的单片集成方案能有效减少60%的元件数量及布局结构，进而减少系统成本、尺寸、重量与复杂性。
2022-09-09 14:51:141623 未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件
2022-11-30 14:52:251026 
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标 日前，高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm， Inc. （Nasdaq： TGAN）发布了氮化镓
2023-02-03 18:19:052384 目前纳微在半桥氮化镓功率芯片方向上的专利已授权76件，除去世界知识产权局WO的8件PCT专利之外，其授权率高达约80%，目前仅有3件专利处于失效状态。
2023-02-06 14:36:21785 氮化镓功率器件是一种用于控制电子设备功率的器件，它可以提供高效率、低噪声和高稳定性的功率控制。它们可以用于控制电源、电池充电器、电源管理系统、电源调节器、电源滤波器等应用。
2023-02-19 17:20:489613 
一步，推出采用GaNSense™技术的新一代智能GaNFast™氮化镓功率芯片，为氮化镓技术的探索翻开了新的一页。 氮化镓VS传统的硅，节能又减排 众所周知，硅作为晶体管的首选材料，一直是半导体科技的基
2023-02-21 14:57:11
0 增加GaNSense™技术，全新GaNFast™氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最
高效率和可靠性
11月8日，北京–氮化镓（GaN）功率芯片的行业
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快，驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到，并减少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 近日，世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)与国内氮化镓功率器件与驱动芯片领先厂商——晶通半导体(深圳)有限公司(下称“晶通半导体”)签署授权代理协议，代理其旗下工业级氮化镓功率驱动芯片、智能氮化镓功率开关等产品，广泛应用于新能源汽车、充电桩、数据中心电源、光伏储能、快充电源等行业。
2023-03-08 09:56:001609 在电源领域掀起了翻天覆地的变革。 为简化电路设计，加强器件可靠性，降低系统成本，纳微半导体基于成功的GaNFast™氮化镓功率芯片及先进的GaNSense™技术，推出新一代GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，进一步加速氮化镓市场普及
2023-03-28 13:58:021588 
全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布 已出货超7500万颗高压氮化镓功率器件。 氮化镓是是较高压传统硅功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，它减少了提供高压性
2023-03-28 14:19:53833 
合封氮化镓芯片是一种新型的半导体器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。与传统的半导体器件相比，合封氮化镓芯片采用了全新的封装技术，将多个半导体器件集成在一个芯片上，使得器件的体积更小、功率
2023-04-11 17:46:231992 GaNSense Control合封氮化镓功率芯片具有单片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驱动器的所有优点，加上单个表面贴装封装中的控制和保护电路，适用于高功率密度充电器、适配器和辅助电源应用。
2023-04-25 11:38:45489 
提升硅基氮化镓横向功率器件可靠性的难点在于如何准确测试出器件在长期高压大电流应力工作下的安全工作区，如何保证器件在固定失效率下的寿命。硅基氮化镓横向功率器件在高压大电流场景下的“可恢复退化”与“不可恢复退化”一直以来很难区分，这给器件安全工作区的识别和寿命评估带来了极大挑战。
2023-06-08 15:37:121020 
电子展上，纳微半导体带来不少新品，包括最新发布的GaNSense Control合封技术、第五代MPS碳化硅肖特基二极管和大功率SiCPAK模块，进一步开发工业、家电、数据中心服务器、电动汽车等市场。 纳微半导体高级现场应用工程师罗月亮对电子发
2023-08-01 16:36:192302 
纳微半导体利用横向650V eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低
2023-09-01 14:46:041215 
纳微半导体第四代高度集成氮化镓平台在效率、密度及可靠性要求严苛的大功率行业应用内树立新标杆
2023-09-07 14:30:151529 在当今的高科技社会中，氮化镓（GaN）功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品，其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而，为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性，制定一套科学、规范的测试方案至关重要。
2023-10-08 15:13:231372 
，再次推出高集成度氮化镓功率芯片KT65C1R120D，将控制器、氮化镓驱动器、GaN功率管集成到DFN8*8个小体积封装。通过将它们全部集成到一个封装中，降低了寄生参数对高频开关的影响，在提高可靠性的同时提高了效率，并简化了氮化镓充电器的设计。
2023-10-11 15:33:30752 
随着科技的不断发展，无线通信、射频设备和微波应用等领域对高性能功率放大器的需求不断增加。为满足这些需求，半导体行业一直在不断寻求创新和进步。其中，氮化镓功率芯片已经成为一项引领潮流的技术，为高频、高功率应用提供了全新的解决方案。
2023-10-18 09:13:141627 
氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:308392 、射频和光电子等领域，能够提供高效、高性能的功率转换和信号放大功能。 GaN MOS管驱动芯片具有以下特点： 高功率密度：与传统硅基材料相比，氮化镓材料具有更高的击穿电场强度和电导率。这使得GaN MOS管驱动芯片能够承受更高的功率密度，并提供更
2023-12-27 14:43:232645 加利福尼亚州托伦斯2024年2月21日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片为三星全新发布的“AI机皇”—— Galaxy S24智能手机打造25W超快“加速充电”。
2024-02-22 11:42:04968 纳微氮化镓技术助力Virtual Forest打造太阳能灌溉泵，不仅有效确保粮食安全，同时让印度农民无需再使用远距离电缆或昂贵且有污染的柴油发电机。
2024-04-22 14:07:26667 氮化镓快充电源ic U8722DE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路
2024-05-08 14:22:501241 
加利福尼亚州托伦斯2024年6月20日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化镓功率芯片获
2024-06-21 14:45:441903 在科技日新月异的今天，充电技术正不断取得新的突破。近日，纳微半导体宣布其先进的GaNFast氮化镓功率芯片被联想两款全新充电器所采用，为消费者带来了前所未有的快充体验。这两款充电器分别是小新105W
2024-06-22 14:13:491198 加利福尼亚州托伦斯2024年7月25日讯 — 下一代GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日发布全新CRPS185
2024-07-26 14:15:291844 
近日，纳微半导体推出了全新一代高度集成的氮化镓功率芯片——GaNSlim™。这款芯片凭借卓越的集成度和出色的散热性能，在手机和笔记本电脑充电器、电视电源以及固态照明电源等多个领域展现出了巨大潜力。
2024-10-17 16:02:31643 辉煌的十年。 如今，纳微在氮化镓产品线上不断拓展，最近重磅发布全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产品——GaNSlim，其凭借最高级别的集成度和散热性能，可为手机和笔记本电脑充电器、电视电源、固态照明电源等领域，进一步
2024-10-23 09:43:591477 
近日，GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链，为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:08463 
GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布于下月发布全新的功率转换技术，将触发多个行业领域的颠覆性变革。该创新涵盖半导体与系统级解决方案，预计将显著提升能效与功率密度，加速氮化镓和碳化硅技术对传统硅基器件的替代进程。
2025-02-21 16:41:10453 逆变器、1.2 kW 数据中心 SMPS 和4 kW电机驱动。 NV6169是最先进的纳微第三代氮化镓平台中额定功率最高的功率芯片。采用 GaNSense 技术的 GaNFast 功率芯片具有行业首创
2025-03-12 16:51:191021 
唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）今日重磅发布全球首款量产级650V双向GaNFast氮化镓
2025-03-13 15:49:39981 
纳微高功率GaNSafe氮化镓功率芯片已达到电动汽车所需的量产表现，可为车载充电机（OBC）和高压转低压的DC-DC变换器解锁前所未有的功率密度和效率表现 加利福尼亚州托伦斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:261024 
纳微半导体今日宣布推出最新SiCPAK功率模块，该模块采用环氧树脂灌封技术及纳微独家的“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET技术，经过严格设计和验证，适用于最严苛的高功率环境，重点确保可靠性与耐高温
2025-04-22 17:06:39258
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