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电子发烧友网>今日头条>应用在低功耗SMPS中的GaN/氮化镓

应用在低功耗SMPS中的GaN/氮化镓

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2025-02-27 18:26:311103

氮化GaN)充电头安规问题及解决方案

什么是氮化GaN)充电头?氮化充电头是一种采用氮化(GalliumNitride,GaN)半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基(Si)充电器,GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534

氮化硼散热材料大幅度提升氮化快充效能

什么是氮化GaN)充电头?氮化充电头是一种采用氮化(GalliumNitride,GaN)半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基(Si)充电器,GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183

40W ACDC系列氮化电源模块 HLK-40Mxx系列

海凌科40WACDC系列氮化电源模块,具有全球输入电压范围、低温升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔离等优点,转换效率高达91%,应用广泛,性价比高。一、产品介绍40WACDC系列氮化电源模块
2025-02-24 12:02:321021

技术资料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半桥氮化GaN) 功率级

LMG2100R026 器件是一款 93V 连续、100V 脉冲、53A 半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强型氮化GaN) FET。该器件由两个 GaN FET 组成,由一个采用半桥配置的高频
2025-02-21 17:17:561047

混合式氮化VCSEL的研究

在混合式氮化 VCSEL 的研究,2010年本研究团队优化制程达到室温连续波操作电激发氮化 VCSEL,此元件是以磊晶成长 AlN/GaN DBR 以及 InGaN MQW 发光层再搭配
2025-02-19 14:20:431085

垂直氮化器件的最新进展和可靠性挑战

过去两年中,氮化虽然发展迅速,但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时,不少垂直氮化的初创企业倒闭或者卖盘,这引发大家对垂直氮化未来的担忧。为此,在本文中,我们先对氮化未来的发展进行分析,并讨论了垂直氮化器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。
2025-02-17 14:27:362014

目前GaN正逐渐广泛应用的四个主要电压领域

这篇技术文章由德州仪器(TEXAS INSTRUMENTS)的 Srijan Ashok 撰写,主要介绍了电压氮化GaN)在四种应用领域的优势和应用情况,强调其对电子设计转型的推动
2025-02-14 14:12:441222

GAN039-650NBB氮化(GaN)FET规格书

电子发烧友网站提供《GAN039-650NBB氮化(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 16:10:220

Nexperia共源共栅氮化(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型

电子发烧友网站提供《Nexperia共源共栅氮化(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型.pdf》资料免费下载
2025-02-13 15:23:257

GAN041-650WSB氮化(GaN)FET规格书

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2025-02-13 14:24:192

GANE3R9-150QBA氮化(GaN)FET规格书

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2025-02-12 08:30:510

闻泰科技深耕氮化推动产业升级

随着人工智能、数据中心、汽车电子等应用领域的快速发展,第三代半导体——氮化GaN)正迎来前所未有的发展机遇。闻泰科技已布局GaN领域多年,凭借卓越的创新能力不断推动产业链发展,创造新的价值增量。
2025-02-10 17:15:041127

GANB4R8-040CBA双向氮化(GaN)FET规格书

电子发烧友网站提供《GANB4R8-040CBA双向氮化(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-10 16:22:371

深圳银联宝科技氮化芯片2025年持续发力

深圳银联宝科技氮化芯片2025年持续发力氮化芯片YLB银联宝/YINLIANBAO无线通信领域,设备往往需要在有限的空间内实现强大的信号传输功能,氮化芯片就能凭借这一特性,满足其功率需求的同时
2025-02-07 15:40:21919

纳微半导体氮化和碳化硅技术进入戴尔供应链

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布其氮化和碳化硅技术进入戴尔供应链,为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081234

为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化器件
2025-01-23 16:27:431780

测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于氮化衬底厚度测量的影响

在半导体产业这片高精尖的领域中,氮化GaN)衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料,正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而,氮化衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战
2025-01-22 09:43:37449

测量探头的 “温漂” 问题,对于氮化衬底厚度测量的实际影响

在半导体制造这一微观且精密的领域里,氮化GaN)衬底作为高端芯片的关键基石,正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而,氮化衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁
2025-01-20 09:36:50404

不同的氮化衬底的吸附方案,对测量氮化衬底 BOW/WARP 的影响

在当今高速发展的半导体产业浪潮氮化GaN)衬底宛如一颗耀眼的新星,凭借其卓越的电学与光学性能,在众多高端芯片制造领域,尤其是光电器件、功率器件等方向,开拓出广阔的应用天地。然而,要想充分发挥
2025-01-17 09:27:36420

氮化衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量氮化衬底 BOW/WARP 的影响

在半导体领域的璀璨星河中,氮化GaN)衬底正凭借其优异的性能,如高电子迁移率、宽禁带等特性,在光电器件、功率器件等诸多应用场景崭露头角,成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化衬底而言,其
2025-01-16 14:33:34366

氮化充电器和普通充电器有啥区别?

相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化GaN)”,这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化快充充电器之后,“氮化”这一名词就开始广泛出现在了大众的视野。那么
2025-01-15 16:41:14

氮化电源芯片和同步整流芯片介绍

氮化电源芯片和同步整流芯片在电源系统犹如一对默契的搭档,通过紧密配合,显著提升电源效率。在开关电源的工作过程氮化电源芯片凭借其快速的开关速度和高频率的开关能力,能够迅速地切换电路状态,实现
2025-01-15 16:08:501733

PI公司1700V氮化产品直播预告

PI公司诚邀您报名参加电子研习社主办的线上直播。我们的技术专家将为您带来专题演讲,介绍新的氮化耐压基准。
2025-01-15 15:41:09899

日本开发出用于垂直晶体管的8英寸氮化单晶晶圆

1月8日消息,日本丰田合成株式会社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm(8英寸)氮化GaN)单晶晶圆。 据介绍,与使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221358

INN040W048A氮化芯片V-GaN 系列

V-GaN 系列INN040W048A氮化芯片,耐压40V,导通电阻4.8mΩ,支持双向导通。具备无体二极管、低导通阻抗等特性,仅用1颗就能代替两颗硅MOSFET。同时采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封装,为终端产品节省系统空间的同时,有效降低了系统能耗。
2025-01-08 15:05:03

请问LDC1000芯片能否应用在高速的环境

请问LDC1000芯片能否应用在高速的环境,例如在10ms的时间中,我要采样1000个点,来得及吗?还是说只要单片机频率够高就可以啊?
2025-01-07 07:57:55

英诺赛科登陆港交所,氮化功率半导体领域明星企业闪耀登场

近日,全球氮化(GaN)功率半导体领域的佼佼者英诺赛科(2577.HK)成功登陆港交所主板,为港股市场增添了一枚稀缺且优质的投资标的。 英诺赛科作为全球首家实现量产8英吋硅基氮化晶圆的公司,其在
2025-01-06 11:29:141123

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