想要降低STM32WB的功耗，查找手册发现开启SMPS模块可以降低功耗。配置SMPS模块具体步骤是什么有大佬知道吗？是开启SMPS宏定义，然后写PWR的寄存器就可以了吗？怎么证明自己的SMPS模块-配置正确了呢？
2024-03-20 08:18:42
低功耗、高性能M0芯片亮点(1~3): 低功耗, 宽电压, PWM
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笙泉科技全新低功耗
2024-03-15 16:53:53
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较
2024-02-27 14:09:50
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121来驱动氮化镓半桥电路，采样的全隔离的驱动方案，但是现在上管的驱动电压随输入电压的升高而升高，不知道为啥？是因为驱动芯片的原因吗？上管是将5V的输入电压由B0515隔离芯片转化
2024-01-11 06:43:50
氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构： 氮化镓是由镓（Ga）和氮（N）元素组成的化合物
2024-01-10 10:18:33
570 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667 低功耗设计前，功耗为27.9mW。
2024-01-03 10:05:08169 
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入，能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较，CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05:47
蓝牙技术联盟于2010年推出了蓝牙4.0规范，其中低功耗蓝牙的出现满足了小型电池供电设备进行低功耗无线连接的需求，因此得到广泛应用。本文章将带你深入了解低功耗蓝牙的应用。低功耗蓝牙简介2010
2023-12-28 08:24:49350 
随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 
请问ADA4302-4适合应用在差分的CVBS信号的分拆么？如果适合，除了手册之外还有其他文档供使用么？或者使用过程中需要注意哪些内容呢？
2023-12-18 06:44:04
Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
在最近的IEDM大会上，英特尔表示，已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成，用于高度集成的48V设备。
2023-12-14 09:23:06548 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
AD7768芯片是否可以应用在地震检测仪器数据采集中？它 的灵敏度是否能够和ADS1282相媲美？
2023-12-07 07:35:46
德州仪器 (TI) 今日发布低功耗氮化镓 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系统效率，同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。德州仪器的 GaN 场效应晶体管 (FET
2023-12-01 12:16:04796 本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。
2023-11-27 17:12:011013 
什么是氮化镓 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化
2023-11-24 11:05:11822 电子发烧友网站提供《数字隔离器可应用在本质安全应用中.pdf》资料免费下载
2023-11-24 10:24:45
0 ，氮化镓芯片具有许多优点和优势，同时也存在一些缺点。本文将详细介绍氮化镓芯片的定义、优缺点，以及与硅芯片的区别。 一、氮化镓芯片的定义 氮化镓芯片是一种使用氮化镓材料制造的集成电路芯片。氮化镓（GaN）是一种半导体
2023-11-21 16:15:302310 GaN氮化镓晶圆硬度强、镀层硬、材质脆材质特点，与硅晶圆相比在封装过程中对温度、封装应力更为敏感，芯片裂纹、界面分层是封装过程最易出现的问题。同时，GaN产品的高压特性，也在封装设计过程对爬电距离的设计要求也与硅基IC有明显的差异。
2023-11-21 15:22:36333 
随着智能家居市场的快速发展，低功耗芯片在智能家居产品中的应用也变得越来越广泛。这些智能家居产品包括智能多功能网关、智能传感器、宠物投喂产品、智能酒店以及监控系列等。在这些领域，低功耗芯片的应用能够
2023-11-12 15:06:00159 
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。上次带大家了解了它的基础特性：氮化镓（GAN)具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学
2023-11-09 11:43:53434 氮化镓（GaN）被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，今天金誉半导体带大家来简单了解一下，这个材料有什么厉害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
10 月 25 日消息，英飞凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems），并号称“成为领先的氮化镓龙头企业”。 英飞凌表示，这家总部位于加拿大
2023-10-26 08:43:52206 德国慕尼黑和加拿大渥太华讯——英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。
2023-10-25 18:24:47323 随着世界希望电气化有助于有效利用能源并转向可再生能源，氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术的时机已经成熟。传统硅MOSFET和IGBT的性能现在接近材料的理论极限，进一步发展只是以缓慢和高成本实现微小
2023-10-25 16:24:43641 
10 月 25 日，英飞凌科技股份公司今日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案
2023-10-25 11:38:30189 
随着科技的不断进步，电力电子领域也在不断发展。在这个领域中，氮化镓（GaN）作为一种新型的宽禁带半导体材料，正逐渐被广泛应用在各种电力电子器件中，其中最重要的就是充电器。
2023-10-24 16:17:45246 常见的复位电路有RC复位电路，和用ic复位电路，这两种复位电路有什么区别，分别应用在哪里？
2023-10-24 06:51:34
低功耗单片机，怎么仿真
2023-10-20 06:32:01
随着科技的不断发展，电风扇在我们的生活中扮演了越来越重要的角色。无论是炎炎夏日还是热带雨林，电风扇都能为我们带来清凉舒适的感觉。近年来，倾倒开关的应用在电风扇的设计中越来越常见，那么，倾倒开关应用在电风扇上有哪些优势呢？
2023-10-18 14:59:41252 
低功耗设计是当下的需要！这篇文章：低功耗设计方法论的必要性让我们深入了解了现代设计的意图和对功耗感知的需求。在低功耗方法标签下的时钟门控和电源门控的后续文章中，讨论了一些SoC低功耗设计的方法。在这篇文章中，我们将考虑一个这样的低功耗设计的FSM，可以推广到任何低功耗时序电路的设计。
2023-10-17 10:41:13309 
求助sharp lz9gh236一般应用在哪个方面上
2023-10-17 07:11:42
开关模式电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。
2023-10-11 09:49:18238 为什么高斯滤波广泛的应用在图像处理中
2023-10-09 06:31:45
全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿，更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52262 NB-IoT的低功耗是怎么实现的
2023-10-07 07:05:52
重点摘要 GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助全球客户在能源效率及尺寸微缩上突破瓶颈。 以业界领先的质量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32253 干货 | 氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要
2023-09-27 16:13:56484 
电子发烧友网站提供《TouchGFX图形应用在亮屏时的低功耗实现.pdf》资料免费下载
2023-09-20 11:26:551 目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
氮化镓（GaN）- 宽带隙（WBG）材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管，代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料
➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处？
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
安全光幕和安全光栅的区别是什么呢？主要应用在什么行业？
2023-06-29 09:55:26458 
PHY6222
超低功耗蓝牙芯片
是一款低功耗蓝牙芯片，主要应用在数据传输的产品领域。例如，车载蓝牙、手环、医疗、蓝牙锁、蓝牙自拍杆、蓝牙健身器材等等。处理器为32位的ARM Cortex M0
2023-06-27 17:30:17
一般低功耗，是如何体现的呢?
2023-06-26 08:13:11
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
功率，降额使用。
PI官方的资料显示，INN3378C属于InnoSwitch3-Pro家族，它采用了PI独家的PowiGaN技术，也就是内置了GaN氮化镓功率器件，相比传统MOSFET可以输出更大
2023-06-16 14:05:50
电机逆变器功率开关的比较电机逆变器:三相拓扑•IGBT:行业“主力”开关速度慢，损耗低•MOSFET:更快的开关，更好•氮化镓:几乎没有开关损耗
2023-06-16 11:31:56
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光技术（最明显
2023-06-15 15:50:54
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
随着物联网技术的不断发展，超低功耗MCU已经成为了物联网方案中主要的芯片处理技术。超低功耗MCU具有众多的优点，其中一大所用就是能够大大提高物联网设备的续航能力，保证设备在长时间内不掉电不断电。那么
2023-06-13 18:18:17
对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。
2023-06-12 10:17:171813 
氮化镓（GaN）作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域被广泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过[氮化镓GaN驱动器的PCB设计
2023-05-17 10:19:13832 
想必各位ICer们在招聘JD上专门看到低功耗设计经验的要求，什么是低功耗设计呢？对于后端工程 师来讲，在物理实现方面就是引入多条电源线
2023-05-15 11:42:52687 
有可以进行mesh组网的低功耗蓝牙模块么？这种低功耗蓝牙模块组网支持多少个节点？是低功耗蓝牙模块BLE
2023-05-09 17:16:05
低功耗系列模数转换芯片ADC ADX1xx系列主要应用于对直流或低速信号的高精度检测场合，可以实现电池的电压/电流检测、温度或压力信号的采集并应用在对功耗要求较高的手持类产品中。具有低功耗、高集成度、小体积、高精度、低成本等优势。
2023-04-27 17:36:02653 GaN/氮化镓作为第三代半导体材料经常被用在PD快充里面；氮化镓（GaN）拥有极高的稳定性，将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率。
2023-04-27 09:44:45173 
由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212335 
1A2C-65W氮化镓（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V宽输入电压，输出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，内置MGZ31N65-650V氮化镓开关管；采用PD3.0协议IC。
2023-04-07 09:37:16570 NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过氮化镓GaN驱动器的PCB设计
2023-04-03 11:12:17553 
，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过氮化镓GaN驱动器的PCB设计
2023-03-27 09:42:371332 
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