台积电官宣退场！未来两年逐步撤离氮化镓市场

7月3日，氮化镓（GaN）制造商纳微半导体（Navitas）宣布，其650V元件产品将在未来1到2年内，从当前供应商台积电（TSMC）逐步过渡至力积电半导体（PSMC）。台积电回应称，经全面评估，考虑到市场条件和长期业务战略，决定在未来2年内逐步退出GaN业务。台积电强调，这一决定不会影响先前公布的财务目标。

据供应链消息，台积电决定退出第三类半导体之一的氮化镓市场，其位于竹科的晶圆厂相关产线已停止生产。台积电已向DIGITIMES证实这一消息，并表示正与客户紧密合作，确保过渡期间的顺利衔接，致力于满足客户需求。

事实上，纳微半导体已与力积电扩大合作，将生产100V至650V的GaN产品组合。其中，650V相关产品将在未来12至24个月内，从台积电逐步转由力积电代工，这也间接证实了台积电退场的消息。

台积电投入矽基氮化镓（GaN-on-Si）研发多年，并提供6寸晶圆代工服务。除与意法半导体（STM）合作加速GaN制程技术的开发，还将分离式与整合式GaN元件导入市场。Navitas及GaN Systems等公司也在台积电投片生产高压功率元件，而台积电旗下的世界先进则专注于8寸矽基氮化镓相关研发。

面对产业市况的剧烈变动，台积电自2025年初以来持续调整晶圆厂和先进封装厂的蓝图。在各厂区，迅速进行各产线所投入的制程技术、产能规模与人力的重新规划。供应链业者解读，台积电退出GaN市场，凸显了中国低价战对第三类半导体发展造成的巨大竞争压力。台积电不愿降价接单，且投片、出货规模不大，因此决定逐步淡出这一竞争格局。

对于退出GaN业务，台积电提出了相关影响与解决方案。在生产方面，将提供「最后下单」（Last Time Buy；LTB）选项，客户须于2025年第3季前，确认LTB的数量与时程。若有试产（New Tape-Out；NTO）需要，台积电会恢复6寸产线的新产品导入服务。

Navitas表示，力积电具备0.18微米制程的CMOS制程能力，在0.18微米制程节点上进行8寸矽基氮化镓的生产，将能实现更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同时提升成本控制、规模化能力和制造良率。

台积电逐步退出GaN晶圆代工业务，不仅反映了其自身业务战略的调整，也将对整个氮化镓产业链产生深远影响。未来，随着力积电等厂商承接相关业务，氮化镓市场的格局可能会发生新的变化。

来源：半导体芯科技

审核编辑 黄宇