技术资料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 （GaN） 功率级

LMG2100R026 器件是一款 93V 连续、100V 脉冲、53A 半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 （GaN） FET。该器件由两个 GaN FET 组成，由一个采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器驱动。

GaN FET 具有零反向恢复和非常小的输入电容 CISS 和输出电容 COSS，因此为功率转换提供了显著的优势。驱动器和两个 GaN FET 安装在完全无键合丝的封装平台上，封装寄生元件最少。LMG2100R026器件采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。
*附件：LMG2100R026 100V、53A GaN 半桥功率级数据表.pdf

TTL 逻辑兼容输入可以支持 3.3V 和 5V 逻辑电平，而与 VCC 电压无关。专有的自举电压箝位技术确保增强型 GaN FET 的栅极电压在安全工作范围内。

该器件通过提供更用户友好的界面，扩展了分立式 GaN FET 的优势。对于需要高频、高效率运行、小尺寸的应用，它是理想的解决方案。

特性

• 集成半桥 GaN FET 和驱动器
• 93V 连续，100V 脉冲额定电压
• 封装经过优化，便于 PCB 布局
• 高转换速率开关，低振铃
• 5V 外部偏置电源
• 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
• 栅极驱动器能够实现高达 10MHz 的开关频率
• 出色的传播延迟（典型值为 33ns）和匹配性（典型值为 2ns）
• 内部自举电源电压箝位，以防止 GaN FET 过驱
• 用于锁定保护的电源轨欠压
• 低功耗
• 外露顶部 QFN 封装，用于顶部冷却
• 用于底部冷却的大型 GND 焊盘

参数

方框图

应用
•降压、升压、降压-升压转换器
•LLC转换器
•太阳能逆变器
•电信和服务器电源
•电机驱动
•电动工具
•D类音频放大器
*附件：GaN FET 在类人机器人中的应用.pdf
*附件：LMG2100R026 Evaluation Module 用户指南.pdf