高性能HMC1099 GaN功率放大器深度解析 在当今的射频通信、雷达等领域，功率放大器扮演着至关重要的角色。而HMC1099这款氮化镓（GaN）宽带功率放大器，凭借其卓越的性能指标和广泛的应用前景
2026-01-05 16:25:02
22 ADPA1106：2.7 GHz - 3.5 GHz GaN 功率放大器的卓越之选 在当今的射频领域，高性能功率放大器的需求日益增长。ADPA1106作为一款出色的GaN功率放大器，以其独特的性能
2026-01-05 11:40:08161 ADPA1107：高性能GaN宽带功率放大器的深度解析 在电子工程领域，功率放大器是无线通信、雷达和射频系统中的关键组件。今天，我们聚焦于Analog Devices推出的一款高性能器件
2026-01-05 11:40:05177 ADPA1105：高性能GaN功率放大器的深度解析 在射频功率放大器的领域中，氮化镓（GaN）技术凭借其高功率密度、高效率等优势逐渐崭露头角。今天，我们就来深入探讨一款高性能的GaN功率
2026-01-05 11:40:02155 ADPA1122：高性能GaN功率放大器的深度解析 在射频功率放大器领域，氮化镓（GaN）技术凭借其卓越的性能表现，正逐渐成为众多应用的首选方案。今天我们要深入探讨的ADPA1122，便是一款
2026-01-05 10:20:1658 ADPA1113：2 GHz 至 6 GHz、46 dBm（40 W）GaN 功率放大器的详细解析 在电子工程领域，功率放大器是至关重要的组件，特别是在高频、高功率的应用场景中。今天我们要深入探讨
2026-01-05 10:20:1369 ADPA1116：0.3 GHz 至 6 GHz GaN 功率放大器的卓越之选 在电子工程领域，功率放大器的性能直接影响着整个系统的表现。今天，我们就来深入了解一款性能出色的功率
2026-01-05 10:20:1059 探索HMC1086F10：2 - 6 GHz的25W GaN MMIC功率放大器 在电子工程领域，功率放大器一直是无线通信、雷达系统等众多应用的核心组件。今天，我们将深入探讨一款高性能的功率
2025-12-31 15:05:1379 HMC1087：2 - 20 GHz 8 瓦 GaN MMIC 功率放大器的全面解析 在射频与微波领域，功率放大器是至关重要的器件，它直接影响着系统的性能和效率。今天，我们将深入探讨一款高性能
2025-12-31 15:05:0983 深入剖析HMC1087F10：2 - 20 GHz 8W GaN MMIC功率放大器 在电子工程领域，功率放大器的性能往往直接影响着整个系统的表现。今天，我们就来深入探讨一款高性能的功率
2025-12-31 15:05:0682 探索HMC1086：2 - 6 GHz 25W GaN MMIC功率放大器的卓越性能 在射频和微波领域，功率放大器一直是至关重要的组件。今天，我们将深入探讨一款高性能的功率放大器——HMC1086
2025-12-31 15:05:0263 电子工程师必看：SLG59H1401C 3A 功率多路复用器深度剖析 在电子设备设计中，功率管理是一个至关重要的环节，尤其是对于需要多电源输入的系统。Renesas 推出的 SLG59H1401C
2025-12-29 16:25:16111 TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET：高效开关的理想之选 在电子工程师的日常工作中，不断寻找高性能、高可靠性的电子元件是提升设计水平的关键。今天，我们就来深入
2025-12-29 14:45:1077 CG2H40025F型号介绍 今天我要向大家介绍的是 MACOM 的一款放大器——CG2H40025F。 它具备高效率、高增益和宽频带能力，这使
2025-12-29 11:28:30
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN® GaN FET：高效能与可靠性的完美结合 引言 在当今电子技术飞速发展的时代，功率半导体器件的性能和可靠性对于各种电子设备的运行
2025-12-29 10:05:2292 CG2H40045F型号介绍 今天我要向大家介绍的是 MACOM 的一款放大器——CG2H40045F。 它展现出了 GaN 技术的典型优势
2025-12-24 10:57:35
244x/P3H284x I3C Hub，为我们提供了一种强大的解决方案，能够满足多种设备连接的需求。今天，我们就来深入了解一下这款产品。 文件下载： NXP Semiconductors P3H2x4xHN多端
2025-12-24 10:20:02167 °C 裕量。应用场景1.6 – 30 MHz 短波 / 业余电台 5 W 主机的 0.5 W 驱动级27 MHz CB、40 MHz 无线麦克风、88 – 108 MHz FM 小功率发射射频仪器（跟踪
2025-12-22 09:11:25
™双通道隔离式栅极驱动器IC.pdf 产品概述 EiceDRIVER™ 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列双路隔离栅极驱动器IC，专为驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关而设
2025-12-21 09:30:03543 IC.pdf 1. 产品概述 EiceDRIVER™ 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列双通道隔离栅极驱动器IC，专为驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关而设计。所有产品都采用
2025-12-20 20:35:051020 电子发烧友网综合报道 小米公布GaN射频器件研发新进展！在近期举行的第 71 届国际电子器件大会（IEDM 2025）上，小米集团手机部与苏州能讯高能半导体有限公司、香港科技大学合作的论文
2025-12-18 10:08:201760 
特性。核心参数频率范围：4.5-6.8GHz，覆盖 C 波段及部分 S 波段应用场景。输出功率：饱和输出功率：8W 至 20W（取决于工作电压）。1dB 压缩点输出功率（P1dB）：未直接标注，但根据
2025-12-12 09:40:25
、变频器中的隔离或非隔离驱动电路。
总结在功率半导体技术快速迭代向GaN、SiC演进的时代，门极驱动器的性能已成为决定系统天花板的关键一环。SiLM27531H以其车规级的可靠性、对标先进功率器件的超高速
2025-12-12 08:39:51
和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。垂直架构：功率技术新高度垂直GaN创新：vGaN支持高电压和高频率运行，效率优于硅芯片先进制造工厂
2025-12-04 17:13:20471 
P3H2x4xHN是一款多端口I3C集线器设备，一端通过I3C / I2C / SMBus总线连接主机CPU，另一端则连接多个外围设备。
2025-12-04 10:46:47782 
在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。
2025-12-04 09:28:281692 
电子发烧友网站提供《CG65140DAA_datasheet_V1.pdf》资料免费下载
2025-11-30 22:00:03
0 LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件产品型号：LMG3410R070RWHR产品品牌：TI/德州仪器产品封装：VQFN32产品功能：高性能GaN功率器件LMG3410R070RWHR
2025-11-29 11:25:34188 
TGS2351-SM是Qorvo（原TriQuint）推出的一款采用氮化镓（GaN）技术制造的单刀双掷（SPDT）射频开关芯片，具备高频、高功率处理能力及快速切换特性，广泛应用于雷达、通信系统等射频
2025-11-28 09:59:47
电子发烧友网综合报道 GaN凭借高频开关、低损耗、高功率密度的先天优势，已经在各类电源产品上被广泛应用，在汽车领域，车载充电机OBC已经有不少产品应用了GaN功率器件，通过高频开关特性，GaN 降低
2025-11-27 08:44:004006 云镓半导体云镓工业级GaN产品器件参数解读&3kW服务器电源DEMO1.前言云镓半导体在工业级GaN产品上不断耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驱动器产品。在应用DEMO上陆续展示了钛金
2025-11-11 13:45:21303 
云镓半导体应用指导CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如大幅提升的开关速度和显著降低的开关损耗，从而
2025-11-11 13:45:04193 云镓半导体应用指导CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如大幅提升的开关速度和显著降低
2025-11-11 13:44:41246 芯品发布高可靠GaN专用驱动器，便捷GaN电源设计GaN功率器件因为其高工作频率和高转化效率的优势，逐渐得到电源工程师的青睐。然而增强型GaN功率器件的驱动电压一般在5~7V，驱动窗口相较于传统
2025-11-11 11:46:33687 电子发烧友网综合报道 近日，安森美发布器垂直GaN功率半导体技术，凭借 GaN-on-GaN 专属架构与多项性能突破，为全球高功率应用领域带来革命性解决方案，重新定义了行业在能效、紧凑性与耐用性上
2025-11-10 03:12:005650 ADC 或单通道 10.4GSPS ADC。支持高达 10GHz 的可用输入频率范围，可对频率捷变系统进行 L 波段、S 波段、C 波段和 X 波段的直接射频采样。
2025-11-01 10:25:13935 
今天，在功率电子领域，氮化镓（GaN）正在取代硅（Si）器件，成为越来越多大功率密度、高能效应用场景中的主角。
2025-10-31 16:21:589399 
单通道10.4GSPS ADC。支持高达 10GHz 的可用输入频率范围，可对频率捷变系统进行 L 波段、S 波段、C 波段和 X 波段的直接射频采样。
2025-10-29 16:14:17588 
5.2GSPS ADC 或单通道 10.4GSPS ADC。支持高达 10GHz 的可用输入频率范围，可对频率捷变系统进行 L 波段、S 波段、C 波段和 X 波段的直接射频采样。
2025-10-29 10:17:06522 
。2 至 6.3GHz 的 -3dB 输入频率范围支持频率捷变系统的 S 波段和 C 波段的直接射频采样。
2025-10-29 10:06:32483 
射频VI功率计（ VI Power Sensor ）是一款实时监测射频电源信号的电压、电流、功率、反射和阻抗等参数的仪器，具有1%的极高的精度和多种功能。可用于射频电源和自动匹配器及等离子体的相关
2025-10-23 15:55:01433 
Leadway GaN系列模块以120W/in³的功率密度为核心，通过材料创新、电路优化与封装设计，实现了体积缩减40%、效率提升92%+的突破。其价值在于为工业自动化、机器人、电动汽车等空间受限
2025-10-22 09:09:58
QTS12331-L L波段射频信号采集记录与回放系统 专业采集 精准回放 赋能卫星与雷达应用 坤驰科技推出高性能L波段射频信号采集记录与回放系统QT12331-L，专为卫星通信、雷达信号处理及软件
2025-09-29 18:02:00883 
电子发烧友网为你提供()用于 FDD/TDD LTE （Tx 波段 7、38、40、41） 的四频功率放大器模块相关产品参数、数据手册，更有用于 FDD/TDD LTE （Tx 波段 7、38、40
2025-09-25 18:30:20
电子发烧友网为你提供()1218 MHz 高输出 GaN CATV 功率倍增器 Amp扩音器相关产品参数、数据手册，更有1218 MHz 高输出 GaN CATV 功率倍增器 Amp扩音器的引脚图
2025-09-01 18:30:38
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的电阻以及集成式驱动器和保护，适用于开关模式电源应用。 通过将GaN FET和栅极驱动器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
慧能泰推出的HUSB380B的玩法有很多，其中一个就是支持级联功能。可通过2个HUSB380B级联实现双Type-C口固定分配功率，例如实现单插65W、双口同插45W+20W,或者单插45W、双口同
2025-08-13 13:22:57
该TPS7H6101是一款耐辐射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥，集成栅极驱动器;e模式氮化镓FET和栅极驱动器的集成简化了设计，减少了元件数量，并减少了电路板空间。支持半桥和两个独立的开关拓扑、可配置的死区时间和可配置的直通互锁保护，有助于支持各种应用和实现。
2025-08-06 16:44:48898 
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET
2025-08-04 10:00:30861 
0935IED-F04是Nova Microwave生产的一款高性能嵌入式（Drop-in）射频隔离器，专为X波段雷达、卫星通信以及高精度测试仪器等严苛应用场景设计。0935IED-F04凭借其卓越
2025-07-24 08:52:10
的垂直GaN HEMT功率器件技术。 致能半导体全球首次在硅衬底上实现了垂直的GaN/AlGaN结构生长和垂直的二维电子气沟道(2DEG)。以此为基础，致能实现了全球首个具有垂直2DEG的常开器件(D-mode HEMT)和全球首个垂直常关器件(E-mode HEMT)。通过去除生长用硅衬底并在
2025-07-22 07:46:004783 
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管。93V连续、100V脉冲、53A半桥功率级包含两个GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22679 
基于成熟的SuperGaN技术，650V第四代增强型产品 凭借卓越的热效率和超低功率损耗带来强劲性能 瑞萨电子今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H
2025-07-09 13:07:44484 ，氮化镓 (GaN) 可提高功率密度和效率，GaN 和 SiC 均具有宽带隙，但它们之间存在根本差异，因此分别适合特定的拓扑和应用。
2025-07-09 11:13:063371 
Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET设计用于开关模式电源应用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封装中集成了GaN FET和栅极驱动器，从而减少了元器件数量并简化了设计。可编程的导通转换率提供EMI和振铃控制。
2025-07-04 15:50:44658 
1 )
你好，我知道在正常使用情况下不可能修复射频输出。 在这种情况下，我想知道目前在 SOURCE 模式下输出的射频功率值。 我能从 AK-BT2 的日志输出中看到数值吗？ 如果可能，请告诉我
2025-07-03 07:26:02
电子发烧友网为你提供()5.9 GHz C-V2X 和 802.11p DSRC 高功率前端模块相关产品参数、数据手册，更有5.9 GHz C-V2X 和 802.11p DSRC 高功率前端模块
2025-07-02 18:34:12
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2025-06-30 18:33:45
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2025-06-27 18:31:05
E-GaN电源芯片U8733L集成外置温度检测和恒功率功能Yinlianbao开关电源NTC传感器能够感知微小的温度变化，一旦温度超过预设的安全阈值，便会触发保护机制，如降低电流或切断电源，以防
2025-06-19 16:31:37692 
SGK5872-20A
类别：GaN 产品 > 用于无线电链路和卫星通信的 GaN HEMT
外形/封装代码：I2C
功能：C 波段内部匹配 GaN-HEMT
高输出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
电子发烧友网为你提供()900 至 930 MHz 高功率射频前端模块相关产品参数、数据手册，更有900 至 930 MHz 高功率射频前端模块的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，900
2025-06-12 18:32:26
尺寸小得多、工作频率高得多的AlN/GaN HEMT。 该团队的突破涉及原位钝化和使用选择性刻蚀工艺添加再生长重掺杂n型接触。 AlN/GaN HEMT是一类极具前景的晶体管，可用于射频和功率器件
2025-06-12 15:44:37800 
MASW-011098是一款由 MACOM公司生产的高功率 SPDT（单刀双掷）PIN 二极管开关，专为高线性度、低插入损耗的射频应用设计，适用于Ka波段及更高频应用。MASW-011098凭借其
2025-06-09 08:57:53
电子发烧友网为你提供()902 至 928 MHz 高功率射频前端模块相关产品参数、数据手册，更有902 至 928 MHz 高功率射频前端模块的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，902
2025-06-06 18:32:55
电子发烧友网为你提供()1787 至 1930 MHz 高功率射频前端模块相关产品参数、数据手册，更有1787 至 1930 MHz 高功率射频前端模块的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2025-06-06 18:32:31
电子发烧友网为你提供()902 至 931 MHz 高功率射频前端模块相关产品参数、数据手册，更有902 至 931 MHz 高功率射频前端模块的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，902
2025-06-06 18:31:53
铅”（Lead-Free），AM206541TM-SN-R-TF采用先进的GaN HEMT技术，具备宽频带响应（覆盖S至C波段）、高功率增益（典型值>60dB）和卓越的线性度
2025-06-06 09:06:46
Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm饱和输出功率（P ~OUT~ ），功率附加效率（PAE）为40%，输入功率（P ~IN~ ）为16.0dBm时，功率
2025-05-27 09:56:01664 
在GaN功率器件场景化爆发的关键窗口期，京东方华灿以消费类GaN功率器件通过1000H可靠性为起点，正式开启“消费级普及、工业级深化、车规级突破”的三级跃迁战略。作为全球化合物半导体领域的技术先驱，我们以标准化能力为根基，以IDM全链创新为引擎，为全球客户提供覆盖全场景的“中国芯”解决方案。
2025-05-23 14:10:17737 ### TGA2701-SM C波段功率放大器#### 技术参数- **频率范围**：5.9 GHz 至 8.5 GHz。- **饱和输出功率**：35 dBm。- **1 dB 压缩点功率
2025-05-21 16:19:22
AM00010037WN-SN-R是一种宽带GaN MMIC功率放大器。它有13分贝增益，37分贝输出功率超过直流至10GHz波段。AM00010037WN-SN-R采用陶瓷封装，带有法兰和直的射频
2025-05-15 15:35:17
本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC功率晶体管的分析，描述了这些技术的现状，重点阐述了各技术平台的首选功率变换拓扑及关键特性。
2025-05-15 15:28:571759 
A2CP12029 COUGARPAK™ 放大器是由 Teledyne 防务电子精心打造的一款射频与微波宽带中功率放大器。它凭借出色的性能表现以及紧凑精巧的设计，在卫星通讯、机载雷达和宽带通信等多个
2025-05-12 09:14:18
ADPA9007-2CHIP是一款2 W射频功率放大器，工作范围为直流至28 GHz。射频输入和输出是内部匹配和直流耦合的。ADPA9007-2CHIP包括一个集成的温度补偿射频功率检测器和一个集成温度传感器。
2025-04-22 09:42:42747 
射频功率放大器（RF PA）是无线通信系统的核心组件，其工作原理基于能量转换与信号放大技术。射频功率放大器通过精准的能量控制与信号处理，成为无线系统实现高效、可靠传输的核心部件，其技术
2025-04-21 09:48:541945 电子发烧友综合报道 最近多家GaN厂商推出双向GaN功率开关，即GaN BDS（Bidirectional Switch，双向开关）。这是一种较为新型的GaN功率器件产品，顾名思义，双向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348 F29H85x 和 F29P58x 是 C2000™ 实时微控制器系列的成员，该系列是可扩展、超低延迟的器件，旨在提高电力电子器件的效率，包括但不限于：高功率密度、高开关频率，并支持使用 GaN 和 SiC 技术。
2025-04-14 14:10:231440 
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000™ 实时微控制器系列的成员，该系列是可扩展、超低延迟的器件，旨在提高电力电子器件的效率，包括但不限于：高功率密度、高开关频率，并支持使用 GaN 和 SiC 技术。
2025-04-14 09:44:271208 
电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)ZED75-48S48C-H相关产品参数、数据手册，更有ZED75-48S48C-H的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，ZED75-48S48C-H真值表，ZED75-48S48C-H管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-03-21 18:53:13
电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)FN2-24D15H6相关产品参数、数据手册，更有FN2-24D15H6的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，FN2-24D15H6真值表，FN2-24D15H6管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-03-19 18:48:28
电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)FA5-220H052424C2N3相关产品参数、数据手册，更有FA5-220H052424C2N3的引脚图、接线图、封装手册、中文资料
2025-03-18 18:41:23
您是否在为远程雷达系统的信号衰减、热管理和功率稳定性难题而困扰？Analog Devices 最新推出的 S 波段 GaN 功率放大器技术白皮书 ，为您提供系统性解决方案，助您实现更远探测距离与更高
2025-03-18 15:36:531179 GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件门极驱动电路设计方案
2025-03-13 18:06:0046951 
介绍了氮化镓（GaN）功率IC在电机逆变器中的应用，对比传统硅基解决方案，阐述了其优势、实际应用案例、设计考量及结论。 *附件
2025-03-12 18:47:172084 
内容概要：本文档详细介绍了基于高集成度CMOSTEK CMT2300芯片的RFM300H/RFM300系列ISM收发器模块的硬件特性和射频参数信息。该系列产品支持433/868/915MHz ISM
2025-03-07 11:30:491 的高频 GaN FET 驱动器驱动。
GaN FET 具有接近零的反向恢复和非常小的输入电容 C ，因此为功率转换提供了显著的优势 ~国际空间站~ .所有器件都安装在完全无键合丝的封装平台上，最大
2025-02-26 14:11:121055 
德州仪器（TI）提供的一种新的驱动器集成氮化镓（GaN）功率级产品系列已在一个低成本、紧凑的四扁平无引脚（QFN）封装中实现，该封装尺寸为12mm x 12mm。这种扩大的QFN封装可以从GaN
2025-02-25 10:36:391037 
此参考设计是一款 4kW 连续导通模式 （CCM） 图腾柱功率因数校正 （PFC），具有顶部冷却的氮化镓 （GaN） 子板和TMS320F280025C数字控制器。除了 LMG352x
2025-02-24 14:31:31917 
高功率放大器采用坚固的带状线电路架构，并精选GaN器件，确保了卓越的操作可靠性。凭借高功率、高效率、高频率覆盖及宽带性能，CNP GaN系列窄带高功率放大器已成为现代射频系统的关键组件，广泛应用
2025-02-21 10:39:06
此参考设计展示了高性能 GaN 如何为中间总线转换器实现高效率和小外形尺寸。 *附件：PMP23340C2K 采用C2000™ MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 18 砖型电源模块
2025-02-21 10:20:05705 
我想知道该型号关于370-420nm波长的反射率以及紫外波段不同区间能承受的最大光功率值是多少？
2025-02-21 07:05:14
本文重点射频功率收集，对于源和负载之间的最佳功率传输、减少功率反射和提高系统效率而言，IMN至关重要。能量收集整流器和电压倍增器电路（例如Cockcroft–Walton和Dickson倍增器）是将
2025-02-14 16:51:58849 
在开关模式电源中使用 GaN 开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了 GaN 作为硅的替代方案在开关模式电源
2025-02-11 13:44:551177 
系列隔离器/环行器频率范围：涵盖广泛的射频频段，具体依据型号而定（涵盖L波段、S波段、C波段等多个频段）。功率处理能力：主要面向中高功率应用，尤其适用于通信基站、雷达系统等场景。特性：低插入损耗，确保
2025-02-08 09:33:39
电子发烧友网站提供《用于高频、大功率工业电机驱动的GaN功率IC创新.pdf》资料免费下载
2025-01-24 13:59:040 电子发烧友网站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半导体.pdf》资料免费下载
2025-01-24 13:50:270 垂直和横向氮化镓(GaN)器件的集成可以成为功率电子学领域的一次革命性进展。这种集成能够使驱动和控制横向GaN器件与垂直功率器件紧密相邻。在本文中，我们将总结一种解决横向和垂直器件隔离问题的方法
2025-01-16 10:55:521228 
无线通信的有效传输。作为大功率射频功放器件封测的领先企业， 瑶华半导体 凭借强大的技术实力与创新能力，已在行业中获得广泛认可，成为通信与能源应用领域的重要合作伙伴。 01 关于瑶华半导体 瑶华半导体专注于LDMOS、GaN等大功率射频空腔器件以及IGBT、
2025-01-14 09:22:181813 
CERNEX宽带高功率放大器（GaN）CERNEX的CBP GaN系列放大器通常用作各种类型通用性技术应用，如实验测试设备、仪表设备和其他需要高功率输出的应用。使用稳固的带状线逻辑电路和指定的GaN
2025-01-08 09:31:22
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