产品介绍#LMG5200 80V GaN 半桥功率级

LMG5200器件是一个 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级，使用增强型氮化镓 （GaN） FET 提供集成功率级解决方案。该器件由两个 80V GaN FET 组成，由一个采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器驱动。

GaN FET 具有接近零的反向恢复和非常小的输入电容 C ，因此为功率转换提供了显著的优势 国际空间站 .所有器件都安装在完全无键合丝的封装平台上，最大限度地减少了封装寄生元件。LMG5200 器件采用 6 mm × 8 mm × 2 mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

*附件：LMG5200 80V、10A GaN 半桥功率级数据表.pdf

TTL 逻辑兼容输入可以承受高达 12 V 的输入电压，而与 VCC 电压无关。专有的自举电压箝位技术确保增强型 GaN FET 的栅极电压在安全工作范围内。

该器件通过提供更用户友好的界面，扩展了分立式 GaN FET 的优势。对于需要高频、高效率运行、小尺寸的应用，它是理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器一起使用时，LMG5200 可实现从 48 V 到负载点电压 （0.5-1.5 V） 的直接转换。

特性

• 集成 15mΩ GaN FET 和驱动器
• 80V 连续、100V 脉冲额定电压
• 封装经过优化，便于 PCB 布局，无需底部填充、爬电距离和间隙要求
• 极低的共源极电感，可确保高转换速率开关，而不会在硬开关拓扑中引起过多的振铃
• 非常适合隔离和非隔离应用
• 栅极驱动器能够实现高达 10 MHz 的开关频率
• 内部自举电源电压箝位，以防止 GaN FET 过驱
• 电源轨欠压锁定保护
• 出色的传播延迟（典型值为 29.5 ns）和匹配（典型值为 2 ns）
• 低功耗

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌型号‌：LMG5200
• ‌类型‌：80V、10A GaN半桥功率级
• ‌特点‌：集成15mΩ GaN FETs和驱动器，适用于高频开关应用

2. 主要特性

• ‌电压范围‌：连续80V，脉冲100V
• ‌电流能力‌：10A
• ‌开关频率‌：高达10MHz
• ‌封装优化‌：易于PCB布局，无需底部填充，满足爬电距离和电气间隙要求
• ‌低共源电感‌：确保高斜率切换，减少硬开关拓扑中的过冲
• ‌内部自举电压钳位‌：防止GaN FET过驱动
• ‌欠压锁定保护‌：提供VCC和自举电压欠压保护

3. 应用领域

• ‌多MHz同步降压转换器‌
• ‌D类音频放大器‌
• ‌48V电信、工业和企业计算点负载（POL）转换器‌
• ‌高功率密度单相和三相电机驱动‌

4. 功能描述

• ‌控制输入‌：TTL逻辑兼容输入，可承受高达12V的输入电压
• ‌启动与欠压锁定‌：具有VCC和自举电压欠压锁定功能，防止GaN FET部分导通
• ‌自举电压钳位‌：内部自举电压钳位技术，确保栅极电压在安全范围内
• ‌死区时间控制‌：高、低侧驱动器传播延迟匹配，允许紧密控制死区时间

5. 电气特性

• ‌供电电流‌：VCC静态电流0.08至0.125mA，操作电流3.0至5.0mA
• ‌输入阈值‌：高电平输入阈值1.87至2.22V，低电平输入阈值1.48至1.76V
• ‌GaN FET导通电阻‌：高侧15至20mΩ，低侧15至20mΩ
• ‌传播延迟‌：高、低侧驱动器典型传播延迟29.5ns，匹配延迟2ns

6. 热特性

• ‌热阻‌：结到环境热阻35°C/W，结到外壳热阻18°C/W

7. 封装信息

• ‌封装类型‌：QFM 9引脚MOF封装
• ‌尺寸‌：6mm x 8mm x 2mm

8. 应用与实现

• ‌典型应用‌：同步降压转换器，设计需考虑输入电压、被动元件、操作频率和控制器选择
• ‌布局指南‌：优化功率循环路径，最小化环路电感，将VCC和自举电容器尽可能靠近设备放置