42dBm高增益，22dB输入输出适配50Ω应用仪器仪表商用型电信通信模块稳固微波流程深圳立维创展是AMCOM功率放大器的代理销售，主营AMCOM的功率放大器，如：射频晶体管、MMIC功率放大器、混合
2024-03-15 09:36:37
产品详情介绍End Launch 毫米波连接器是SOUTHWEST的高性能端发射连接器，旨在为高频信号位于顶层的单层和多层印刷电路板提供低VSWR，110 GHz的无模式宽带响应。提供
2024-03-03 13:16:40
多芯微矩形毫米波连接器SSBP系列‘ 重要参数 多芯微矩形毫米波连接器SSBP系列3、6、9芯可选 支持频率DC-65GHz 适合间距小、多端口测试项目 订货
2024-03-03 13:14:10
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）功率GaN的大规模应用，其实也只有六七年的历史，从2018手机快速充电器上才正式吹响了普及的号角。目前，从晶体管来看，功率GaN主要的产品是HEMT（高电子迁移率晶体管
2024-02-28 00:13:00
1844 晶体管是一种半导体器件，广泛应用于电子技术中的放大、开关、整流等电路中。晶体管的放大作用在电子技术应用中起着至关重要的作用。晶体管放大的内部条件和外部条件包括了很多方面，下面我将详细介绍。 首先
2024-02-27 16:56:01264 Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用DFN封装。这些射频晶体管是单级、不匹配晶体管
2024-02-26 19:46:40
Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管是一款500W (P3dB) 预匹配分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28:10
双极性晶体管是利用两种离子导电，空穴和自由电子，但是对于一个实际存在的系统，其整体上是呈现电中性的，当其中的电子或者空穴移动形成电流时，与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动？
这个问题困扰
2024-02-21 21:39:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶体管在基极和集电极之间并联电容有什么作用？是为了米勒电容吗、？但是米勒电容对三极管的开通有害的时候，为什么还要并联电容？电容不是越并越大，加大了等效米勒电容？
2024-01-19 22:39:57
只是加了一个LCL滤波装置，就能使并网端的电压由PWM波变为正弦波吗？尤其是在SVG的应用里，只是改变了进线电网的功率因数，输出电压波形并没有改变，这是在SVG内部晶体管通过控制晶体管开通关断程度实现
2024-01-19 09:34:31
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
三极管功率会先上升后下降，因为电压降在下降而电流在上升。功率最大点在中间位置。
3、当基射极电流增大到一定水平，集射极电压降低到不能再降的程度时，晶体管进入饱和，此时无论基射极电流如何增大，集射极电流也
2024-01-18 16:34:45
电流的功率因数，那么SVG的输出电压还应该是正弦波，我想知道SVG是怎么做到输出电压波形是正弦波的，输出电流波形受负载影响。SVG既能发出容性无功又能发出感性无功，其又是怎么控制SVG设备内部晶体管的开关程度实现功率因数的改变？
2024-01-14 14:18:38
5G毫米波是指在5G通信中使用的毫米波频段，其频段介于30GHz到300GHz之间，相比于传统的低频段，毫米波频段具有更大的带宽和更低的延迟，能够实现更高的传输速率和更快的响应时间。因此，在5G技术
2024-01-09 16:19:19162 AWA-0219 有源天线创新者套件产品概述双极化 64 元件毫米波至中频有源天线创新者套件AWA-0219-PAK 是一款完整的毫米波至中频双极化天线设计，适用于毫米波 5G 无线电。该套件旨在
2024-01-02 15:18:30
事通讯设备产品规格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管最低频率(MHz)：0最高频率(MHz)：2000最高值输出功率(W)：200增益值(分贝)：24.0效率（％）：70额定电压(V)：27类型：封装分立晶体管封装类别：法兰盘、丸状技术应用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
5G毫米波天线具有广泛的应用价值和潜力，它在通信、网络、医疗、交通、安全等领域都有重要作用。本文将详细介绍5G毫米波天线的原理、特点、应用和前景。 一、5G毫米波天线的原理和特点 原理：5G毫米波
2023-12-27 13:47:52451 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 UMS的CHA3656-FAB是种两级自偏置电压宽带单片低噪声放大器。CHA3656-FAB专门用来毫米波通信，也是非常适合普遍使用，如C、x、Ku雷达探测、测试设备和高分辨率
2023-12-26 15:41:53
Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN RF功率晶体管Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN射频功率晶体管是375W分立式碳化硅基氮化镓HEMT，工作频率范围为直流至
2023-12-20 16:11:06
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
毫米波雷达的优缺点 毫米波雷达是一种基于毫米波频段的雷达系统，具有许多优点和一些缺点。下面是关于毫米波雷达的详细分析。 首先，我们来讨论一下毫米波雷达的优点。 1. 高分辨率：毫米波频段的波长较短
2023-12-08 11:17:572576 来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
我在进行AD8138ARM的热仿真，datasheet中只有结到环境的热阻JA的数据，我需要结到外壳的热阻Jc的数据，还有AD8138ARM放大器集成的晶体管数目是多少？
2023-11-21 06:54:43
毫米波通常是指波长为1~10mm 的电磁波,其对应的频率范围为30~300GHz。毫米波是介于微波到光波之间的电磁频谱,它位于微波与远红外波相交叠的波长范围,因而兼有两种波谱的特点。毫米波
2023-11-09 08:43:24204 
5g毫米波技术的原理和应用 5G毫米波技术是5G应用中一项重要的基础技术，毫米波指的是一种特殊电磁波，波长为1毫米到10毫米，波动频率为30GHz-300GHz。相对于6GHz以下的频段，毫米波具有
2023-10-18 15:56:10687 5g毫米波是什么意思 5G毫米波技术是5G应用中一项重要的基础技术，毫米波指的是一种特殊电磁波，波长为1毫米到10毫米，波动频率为30GHz-300GHz 。相对于6GHz以下的频段，毫米波具有
2023-10-18 15:45:311089 毫无疑问，5G更高的带宽、更低的延迟和更高的可用性使其非常适合一系列应用。然而，较高频段，特别是毫米波 (mmWave)，也给实现这些改进带来了挑战。因此，功率 IC 制造商正在寻求更高效的技术
2023-10-10 16:02:27523 
无论是在太空还是在地面，这些基于GaN的晶体管都比硅具有新的优势。
2023-09-28 17:44:221864 
专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
氮化镓（GaN）- 宽带隙（WBG）材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管，代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
专业的毫米波PCB测试站为毫米波天线测试带来便利
2023-08-24 10:29:15431 
奕叶四向毫米波探针台
2023-08-23 14:21:22555 
的尺寸和更轻的重量。 传统硅晶体管有两种类型的损耗：传导损耗和开关损耗。 功率晶体管是开关电源中功率损耗的主要原因。 为了遏制这些损失，GaN 晶体管（取代旧的硅技术）的开发已引起电力电子行业的关注
2023-08-21 17:06:18
650V硅上GaN增强型功率品体管，采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关，符合JEDEC标准的工业应用。
2023-08-16 23:36:51686 
的 GaN HEMT 工艺。它基于准MMIC技术。它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。 内部匹配的 GaN 功率晶体管&n
2023-08-10 11:00:43
50-W；7.9 – 9.6 GHz；50欧姆；输入/输出匹配 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV96050F1 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-08 17:40:24
) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他技术相比，这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括
2023-08-08 10:23:26
650V硅上GaN增强模式功率晶体管，英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸，增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17968 
解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比，GaN功率晶体管有什么优点呢？GaN在品质因数（
2023-08-03 14:43:28225 的制造商生产半导体（晶体管是该设备家族的成员），因此有数千种不同的类型。有低功率、中功率和高功率晶体管，用于高频和低频工作，用于非常高电流和/或高电压工作。本文概述了什么是晶体管、不同类型的晶体管
2023-08-02 12:26:53
时39.5dbm 高线性增益值：28db 功率增添效率：34%@4dbc 静态限幅点：Vd=8V，Id=2.3A 封装尺寸：5X3.31x0.07mm UMS微波作为欧洲毫米波芯片的代表品牌，在
2023-07-24 11:09:10222 毫米波是指波长介于1~10mm的电磁波，毫米波雷达则指工作在毫米波波段的雷达，随着技术的不断发展，毫米波雷达的应用在日常中不少见。
2023-07-24 10:11:521455 
。GaN HEMT还提供更大的功率密度和更宽的与Si和GaAs晶体管相比的带宽。此MMIC包含两级电抗匹配放大器，可实现非常宽的带宽可在具有铜钨散热片的小型封装中实现。
2023-07-05 15:04:32
1 高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管
2023-06-16 10:07:03
润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34688 产品概述： 毫米波雷达是一种用于测量距离、速度和位置的高频无源
2023-06-09 15:52:34
微波晶体管按功能分类可分为微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管，低噪声晶体管和大功率晶体管被用于设计低噪声放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271640 
Nexperia | 为什么使用双极性晶体管驱动功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
Marki Microwave 的 M9-0444 是一款双平衡毫米波混频器，RF/LO 频率为 4 至 44 GHz，中频频率为 DC 至 3
2023-05-22 16:10:14
毫米波雷达指的是工作在毫米波波段的雷达。毫米波的波长范围是1-10mm、其对应的频率为 30-300GHz
2023-05-20 14:37:264668 
UMS的CHKA012bSYA是款前所未有的封装形式氮化镓高电子迁移率晶体管。此电源条为其他射频电源技术应用提供通用型和光纤宽带解决方案。CHKA012bSYA特别适合雷达探测和电信网络等多功能
2023-05-19 11:30:19277 Marki Microwave 的 MMD-1250H 是一款 GaAs MMIC 毫米波倍频器，可将 6 - 25 GHz 的输入频率倍增至 12
2023-05-15 12:25:25
UMS的CHK8101-SYC是款前所未有的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。CHK8101-SYC为各类射频功率技术应用提供通用型和宽带解决方案。CHK8101-SYC特别适合多功能技术应用，例如空间
2023-05-15 11:24:30168 GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能，而输出可在板上匹配以优化频带内任何区域的功率和效率。该设备采用行业标准的 3 x 3 毫米封装，可节省本已空间
2023-05-11 10:39:42
UMS CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶体管，CHK8201-SYA集成化2个CHK8101A99F功率棒封装形式，能够单独浏览，可以产生45W的搭配输出功率。CHK8201-SYA
2023-05-09 11:32:02103 毫米波雷达技术方案
芯片介绍
ADT3102（77Ghz毫米波雷达芯片）
单芯片集成2路收2路发射频通道，FMCW产生器，ADC,DSP,MCU（ARM、M3）等
集成了SPI、UART等多种接口
2023-05-09 10:32:44
了解毫米波“移相”--之三
“移相”的实现
由于各信号的“相位”与信号的发射方向、叠加强度直接相关，所以“移相”功能是相控阵系统中非常重要的功能模块。在现代相控阵系统中，移相功能通常由移相器电路实现
2023-05-08 10:54:25
了解毫米波相控阵 -- 之二
相控阵（Phased Array）技术是控制阵列天线各单元的相位、幅度，来形成对信号空间波束控制的技术。
相控阵技术起源于20世纪初发明的相控阵天线技术，并最早在军用
2023-05-06 15:10:13
MIMO（多入多出）。
由下图可见，不同频段下，手机的能力是不一样的。在中国5G的主流频段3.5GHz或者2.6GHz上，手机可支持4路接收，2路发射；毫米波频段次之，能支持2路接收，2路发射；像
2023-05-06 14:34:55
相控阵完整发射机系统，整个系统包含本振、上变频器、功率放大器等各个模块，并且包含4个通道数。如此复杂的通信系统在2.1mm x 6.8 mm的芯片下即可实现，只有一粒大米大小。
图：4通道24GHz毫米波系统
2023-05-05 11:22:19
的问题。
首先，5G毫米波通过先进的波束赋形技术增加EIRP（等效全向辐射功率），提升覆盖能力，能够轻松实现数百米的信号传输，缓解路径损耗问题。这项技术不仅通过仿真实验得到了验证，而且在外场测试和商用部署中也
2023-05-05 10:49:47
噪声的函数。低于6GHz的频谱已经分配殆尽，而6GHz以上的频谱，特别是毫米波频率已经成为一个非常有前景的替代方案来实现eMBB用例。但是，哪些毫米波频率会被采用呢？
频谱选项
国际电信联盟
2023-05-05 09:52:51
今天，我们接着来说E波段毫米波雷达的功率。在这之前，先来看一个汽车雷达的有趣应用。
2023-05-04 09:29:302051 
具有这些Dk值的电路材料，并使其尽可能多地具备其他电路材料属性，以制造出优质、高性能、高频率的功率放大器。
无论对于微波频率还是毫米波频率，高频PA的电路材料必须能够支持电路实现与那些PA中功率晶体管
2023-04-28 11:44:44
NPTB00004BGaN 功率晶体管，28 V，5 W DC - 6 GHzNPTB00004B GaN HEMT 是一款针对 DC - 6 GHz 操作优化的功率晶体管
2023-04-25 16:42:38
差分放大电路输入共模信号时
为什么说RE对每个晶体管的共模信号有2RE的负反馈效果
这里说的每个晶体管的共模信号是指什么信号 是指输入信号 还是指ie1 ie2 uoc ?
另外为什么是负的反馈
2023-04-25 16:15:31
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
放大器、混频器、甚至收发系统等功能；特点：电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点；2)雷达天线高频PCB板：毫米波雷达天线的主流方案是微带阵列，即将高频PCB板集成
2023-04-18 11:42:23
西门子S7-200电源怎么看是继电器输出还是晶体管输出呢？
2023-04-18 10:08:03
采用晶体管互补对称输出时，两管基极之间有电容相连，为什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
有没有负触发导通正的晶体管呢？哪位大神知道请赐教。谢谢啦！
2023-03-31 11:47:46
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
电子发烧友App
工商网监
评论