onsemi MUN5136数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。这些数字晶体管包含一个晶体管和一个单片偏置网络，单片偏置网络由两个电阻器组成，一个是串联基极电阻器，另一个是基极-发射极电阻器。MUN5136数字晶体管具有简化电路设计、减少电路板空间和元件数量的特点。这些数字晶体管的工作结温和存储温度范围为-55°C至150°C。

数据手册；*附件：onsemi MUN5136数字晶体管数据手册.pdf

特性

• 简化电路设计
• 减小电路板空间
• 减少组件数量
• -55°C至150°C工作结点和存储温度范围
• S和NSV前缀用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用领域
• 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
• 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令

尺寸图

引脚配置

MUN5136数字晶体管技术解析与应用指南

一、器件概述

MUN5136系列是onsemi推出的偏置电阻晶体管（BRT）产品，属于PNP型数字晶体管。该系列器件通过单片集成技术将晶体管与偏置电阻网络结合，内部包含串联基极电阻（R1=100kΩ）和基极-发射极电阻（R2=100kΩ），可替代传统的分立晶体管加外部偏置电阻方案。

‌核心优势‌：

• 简化电路设计
• 节省板级空间
• 减少元件数量
• 符合汽车级应用要求（AEC-Q101认证）

二、关键电气参数

极限参数（TA = 25°C）

参数	符号	最大值	单位
集电极-基极电压	VCBO	50	Vdc
集电极-发射极电压	VCEO	50	Vdc
集电极连续电流	IC	100	mAdc
输入正向电压	VIN(fwd)	40	Vdc
输入反向电压	VIN(rev)	10	Vdc

电气特性（TA = 25°C）

‌关断特性‌：

• 集电极-基极截止电流（VCB = 50V）：≤100nA
• 集电极-发射极截止电流（VCE = 50V）：≤500nA
• 发射极-基极截止电流（VEB = 6.0V）：≤0.05mA

‌导通特性‌：

• 直流电流增益（IC=5mA, VCE=10V）：80-150
• 集电极-发射极饱和电压（IC=10mA, IB=0.3mA）：≤0.25V
• 输入电压（关断）（VCE=5.0V, IC=100mA）：≤1.2V
• 输入电压（导通）（VCE=0.3V, IC=1.0mA）：≥0.5V

三、热特性分析

不同封装的热特性参数：

‌ SC-70/SOT-323封装（MUN5136） ‌：

• 总器件功耗@25°C：202-310mW
• 热阻（结到环境）：403-618°C/W
• 结温范围：-55℃至+150℃

‌功率降额曲线‌显示，在环境温度升高时，最大允许功耗呈线性下降，150℃时SC-70封装功耗降至约50mW。

四、封装选项与引脚配置

MUN5136提供多种封装选择，其中‌ SC-70/SOT-323（CASE 419） ‌为主要封装：

• 引脚1：基极（输入）
• 引脚2：发射极（接地）
• 引脚3：集电极（输出）

其他可用封装包括SC-59、SOT-23、SC-75和SOT-723，满足不同应用场景的空间和散热需求。

五、典型性能特征

根据数据手册图表分析：

1. ‌饱和电压特性‌：在IC/IB = 10条件下，集电极电流在0-40mA范围内，VCE(sat)从0.1V增加至10V
2. ‌直流电流增益‌：随温度变化明显，-55℃时增益最高，150℃时增益衰减
3. ‌输入输出特性‌：输入电压与输出电流呈非线性关系，典型工作区间为3-10V输入电压

六、应用场景建议

工业控制领域

• 利用50V的高击穿电压特性，适合工业电源控制
• 宽温度范围（-55℃至+150℃）保证恶劣环境下的可靠性

消费电子产品

• 低功耗设计适合电池供电设备
• 小封装尺寸节省空间，特别适合便携设备

汽车电子

• AEC-Q101认证确保汽车级质量要求
• 适合车窗控制、座椅调节等电机驱动应用

七、设计注意事项

‌PCB布局建议‌：

• 电源引脚附近放置10μF钽电容和0.1μF陶瓷电容组合
• 高速信号线长度控制在5cm以内
• 高温应用需考虑适当的散热措施

‌可靠性设计‌：

• 工作参数不应超过最大额定值
• 在高温环境下需根据降额曲线调整工作电流
• 建议在最大工作温度下留有一定设计余量