性能提出极限要求，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体异质集成技术，已成为延续摩尔定律、突破性能瓶颈的关键。然而，传统高温键合工艺导致的热应力损伤、材料失配与界面氧化问题，长期制约着该技术的进一步发展。 面对这一严峻
2025-12-29 11:24:17
134 
产品应用多面性氮化镓是半导体领域后起之秀中的“六边形战士”，综合性能全面，而射频应用作为氮化镓的“王牌分支”，凭借出众的“高频、高功率、高效率、抗造”性能表现，在高频高功率场景中让传统硅基、砷化镓
2025-12-24 10:23:54735 
半导体封装作为集成电路制造的关键环节，对材料性能要求极为苛刻，尤其是在高温、高应力及精密操作环境中。热压烧结氮化硅陶瓷手指作为一种专用工具，以其独特的物理化学性能，在芯片贴装、引线键合等工艺中发
2025-12-21 08:46:471581 
双向器件，GaN BDS 的出现可以大大降低元器件的成本：无需工艺调整和 MASK 变动，通过合并漂移区和漏极及双栅控制，即可实现单片集成的氮化镓双向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
采用3kW大功率架构，可满足重载启动、急加速等严苛工况需求。驱动部分突破性选用第三代半导体氮化镓器件，依托其宽禁带材料带来的耐高温、高频开关特性，在相同体积下实现了
2025-12-15 14:49:051829 
随着碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体走向普及，其封装材料面临更高温度、更高电压的极端考验。传统的离子防护理念亟待升级。本文将探讨在此背景下，高性能离子捕捉剂如何从“被动防御”转向“主动保障”，成为高可靠性设计的核心一环。
2025-12-08 16:36:01531 
引言1.1研究背景与意义碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，相比传统硅基材料具有显著的技术优势。SiC材料的禁带宽度为3.26eV，是硅的近3倍；击穿场强达3MV/cm，是硅的10倍；热导率
2025-12-08 07:20:34368 
在追求高效能、高可靠性功率半导体技术的道路上迈出关键一步，打破车规级功率半导体性能边界 近日，镓未来正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 一、GaN（氮化镓）与硅基材料的核心差异及优劣势对比 GaN（氮化镓）属于宽禁带半导体（禁带宽度 3.4 eV），硅基材料（硅）为传统半导体（禁带宽度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573101 现在氮化镓材料技术比较成熟，芯源的MOS管也是用的氮化镓材料技术嘛？
2025-11-14 07:25:48
云镓半导体云镓半导体发布3kW无桥图腾柱GaNPFC评估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技术文档将重点介绍基于云镓半导体650VGaN器件的3kW无
2025-11-11 13:43:26816 
加利福尼亚州托伦斯——2025年11月3日讯：下一代GaNFast氮化镓与高压碳化硅 (GeneSiC) 功率半导体行业领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未经审计的第三季度财务业绩。
2025-11-07 16:46:052452 随着全球能源需求因 AI 数据中心、电动汽车以及其他高能耗应用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关应用的功率密度、能效和耐用性树立新标杆。这些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980 在半导体材料的研究领域中，透射电子显微镜（TEM）已成为一种不可或缺的分析工具。它能够让我们直接观察到氮化镓（GaN）外延片中原子级别的排列细节——这种第三代半导体材料，正是现代快充设备、5G通信
2025-10-31 12:00:073857 
电子器件、材料、半导体和有源/无源元器件。
可以在 CV 和 IV 测量之间快速切换，无需重新连接线缆。
能够捕获其他传统测试仪器无法捕获的超快速瞬态现象。
能够检测 1 kHz 至 5 MHz
2025-10-29 14:28:09
到元件制作的技术与应用均已突破，散热及封装型式问题仍导致应用效果远不符产业期待，成长性大打折扣。 智威科技董事长钟鹏宇说，透过材料与制程创新，以系统性思维打造功率半导体新封装技术平台。(图片来源:智威科技) 尤其GaN功率元件，因材料散热系数较差及结构因素，虽具
2025-10-26 17:36:53989 
自由空间半导体激光器半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级
2025-10-23 14:24:06
纳微半导体正式发布专为英伟达800 VDC AI工厂电源架构打造的全新100V氮化镓，650V氮化镓和高压碳化硅功率器件，以实现突破性效率、功率密度与性能表现。
2025-10-15 15:54:592482 
以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，正加速替代传统硅基材料，在新能源汽车、工业控制等领域实现规模化应用。GaN 凭借更高的电子迁移率和禁带宽度，成为高频通信、快充设备的核心材料
2025-10-13 18:29:43402 最终产品的质量。
**科研机构的半导体材料和器件研发**
1.**新材料特性研究**
在研究新型半导体材料（如碳化硅 SiC、氮化镓 GaN）时，测试设备可以帮助科研人员测量材料的基本电学特性
2025-10-10 10:35:17
在新能源革命与算力爆发的双重驱动下，化合物半导体正以"材料代际跃迁"重构全球电子产业格局。从第三代半导体氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）的规模化应用，到第四代氧化镓（Ga2O3
2025-09-30 15:44:091412 
2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展会现场，罗姆（ROHM）携多款功率半导体新品及解决方案精彩亮相。展会上罗姆重点展示了EcoSiC™碳化硅（SiC）模块
2025-09-29 14:35:1812442 
，还请大家海涵，如有需要可看文尾联系方式，当前在网络平台上均以“ 爱在七夕时 ”的昵称为ID跟大家一起交流学习！ 近两年来，氧化镓作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体
2025-09-24 18:23:164805 
的互补优势，正式建立全面战略合作伙伴关系，共同聚焦碳化硅与氮化镓等宽禁带半导体技术的研发与产业化应用，助力全球能源革命与工业升级。
2025-09-12 15:45:31722 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布一项重要人事任命：纳微董事会已决定聘任Chris Allexandre为公司总裁兼首席执行官，自2025年9月1日起正式履职。同时，Chris
2025-08-29 15:22:423924 氮化镓（GaN）技术为电源行业提供了进一步改进电源转换的机会，从而能够减小电源的整体尺寸。70多年来，硅基半导体一直主导着电子行业。它的成本效益、丰富性和电气特性已得到充分了解，使其成为电子行业
2025-08-21 06:40:348327 近日，应充电头网邀请，在行业目光聚焦之际，京东方华灿多位专家围绕氮化镓材料与技术展开深度分享，为行业发展勾勒清晰且充满希望的蓝图。其中，京东方华灿副总裁、首席技术官王江波博士值此世界氮化镓日之际，发表了他对氮化镓材料发展的寄语。
2025-08-14 15:31:223004 制造氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）具有一定难度，这主要归因于材料本身以及制造工艺中的多项挑战。
2025-07-25 16:30:444488 
氮化镓充电器的高功率密度，能在很小的体积里给出更高的功率，所以氮化镓充电器个头更小，重量也更轻。且能把电能转换得更有效，能量损失也少，充电速度就能变得更快。推荐一款快速启动功能和超低的工作电流氮化镓快充芯片——U8725AHE，可实现小于30mW的超低待机功耗！
2025-07-18 16:08:412964 
为提供卓越的效率和功率密度，意法半导体加快了氮化镓（GaN）电源（PSU）的设计进程，推出了基于MasterGaN1L系统级封装（SiP）的EVL250WMG1L谐振转换器参考设计。
2025-07-18 14:40:16941 功率半导体器件的使用者能够很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的结构、功能、特性和特征。另外，书中还介绍了功率器件的封装、冷却、可靠性工作条件以及未来的材料和器件的相关内容。
本书可作为微电子
2025-07-11 14:49:36
近日，全球半导体制造巨头台积电(TSMC)宣布将逐步退出氮化镓(GaN)晶圆代工业务，预计在未来两年内完成这一过渡。这一决定引起了行业的广泛关注，尤其是在当前竞争激烈的半导体市场环境中。据供应链
2025-07-07 10:33:223474 
炎热的夏天，总是需要一些冲散酷暑的小电器，给生活制造惊喜。客户最近热卖的制冷杯，被称为夏日“行走的小冰箱”，受到了许多上班族和户外一族的喜爱，充电部分采用的正是我们深圳银联宝科技研发生产的氮化镓电源芯片。今天就带你一起看看氮化镓电源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 7月3日，氮化镓（GaN）制造商纳微半导体（Navitas）宣布，其650V元件产品将在未来1到2年内，从当前供应商台积电（TSMC）逐步过渡至力积电半导体（PSMC）。台积电回应称，经全面评估
2025-07-04 16:12:10660 关系 ，正式启动并持续推进业内领先的 8英寸硅基氮化镓技术生产。 纳微半导体预计将使用位于台湾苗栗竹南科学园区的力积电8B厂的
2025-07-02 17:21:091548 
第三代半导体材料，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表，因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现，正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中，电镜技术发挥着不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552 
氮化镓（GaN）器件在高频率下能够实现更高效率，主要归功于GaN材料本身的内在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
LTspice®作为合适的工具链来使用，以便成功部署GaN开关。
引言
氮化镓(GaN)是一种III-V族半导体，为开关电模式电源(SMPS)提供了出众的性能。GaN技术具有高介电强度、低开关损耗、高
2025-06-11 10:07:24
半导体器件作为现代电子技术的核心元件，广泛应用于集成电路、消费电子及工业设备等场景，其性能直接影响智能终端与装备的运行效能。以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体，凭借高功率密度与能效优势，正推动电子设备技术革新。
2025-06-05 10:33:562489 
45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE，同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201070 前不久，纳微半导体刚刚发布全球首款量产级的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
氮氧化镓(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一种介于晶态与非晶态之间的化合物。其物化性质可通过调控制备条件在氮化镓(GaN)与氧化镓(Ga2O3)之间连续调整，兼具宽禁带半导体特性与灵活的功能可设计性，因此在功率电子、紫外光电器件及光电催化等领域展现出独特优势。
2025-05-23 16:33:201473 
氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比，性能遥遥领先。它支持多种快充协议，如PD、QC等，能够智能识别设备所需的充电功率，实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机，还是笔记本电脑、平板电脑，氮化镓
2025-05-23 14:21:36883 随着电子技术的快速发展，半导体材料的研究与应用不断演进。传统的硅（Si）半导体已无法满足现代电子设备对高效能和高频性能的需求，因此，第三代半导体材料应运而生。第三代半导体主要包括氮化镓（GaN
2025-05-22 15:04:051951 半导体的破产重整。 聚力成半导体早期由重庆捷舜科技有限公司投资设立，并于2018年9月与重庆大足区政府签约，启动外延片和芯片产线项目，主要业务是硅基氮化镓/碳化硅基氮化镓外延片、功率器件晶圆代工、封装等。 该公司位
2025-05-22 01:07:003546 
从清华大学到镓未来科技，张大江先生在半导体功率器件十八年的坚守！近年来，珠海市镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）在第三代半导体行业异军突起，凭借领先的氮化镓（GaN）技术储备和不断推出的新产品
2025-05-19 10:16:02
掺杂的半导体材料可以满足要求。本文不介绍驻极体材料，重点介绍P型掺杂的半导体材料。材料可以是P型掺杂的硅，也可以是P型掺杂的聚苯胺（有机半导体）。因为P型掺杂的半导体是通过空穴导电的，这种材料不产生
2025-05-10 22:32:27
深圳银联宝科技推出的PD 20W氮化镓单电压应用方案，主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，协议338E。输入规格：180V-264V 50Hz，输出规格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
全集成保护型氮化镓功率芯片搭配双向无损耗电流检测，效率提升4%、系统成本降低15%、PCB占位面积缩小40% 加利福尼亚州托伦斯2025年5月1日讯——纳微半导体今日正式宣布推出 全新专为电机驱动
2025-05-09 13:58:181260 
在65W氮化镓快充设计中，输入欠压保护与过压保护协同工作，保障充电头在电网波动时仍能稳定输出，并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766，输入欠压保护(BOP)，采用ESOP-10W封装！
2025-05-08 16:30:141015 氮化镓凭借高频高效特性，具备了体积小、功率高、发热低等优势，但小型化虽好，散热才是硬道理，选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。泰克中国区技术总监张欣与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。
2025-04-29 11:13:001029 安世半导体近日宣布，旗下先进的氮化镓(GaN)器件成功应用于浩思动力(Horse Powertrain)首款超级集成动力系统—Gemini小型增程器的发电系统中，并且凭借高功率性能和高频开关特性
2025-04-29 10:48:473343 
从锗晶体管到 5G 芯片，半导体材料的每一次突破都在重塑人类科技史。
2025-04-24 14:33:371214 
发烧友拍摄 “与硅基器件相比，氮化镓的功率密度可达 30W/mm，是硅的150倍，开关频率提升 10 倍以上，可使电源适配器体积缩小 60%。” 西安电子科技大学广州研究院教授弓小武对媒体表示。当前，GaN作为一种性能优异的宽禁带半导体材料，近年
2025-04-21 09:10:422407 
日讯——纳微半导体宣布其高功率旗舰GaNSafe氮化镓功率芯片已通过 AEC-Q100 和 AEC-Q101 两项车规认证，这标志着氮化镓技术在电动汽车市场的应用正式迈入了全新阶段。 纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe产品家族， 集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能
2025-04-17 15:09:264298 
氮化镓的应用已经从消费电子的快充向工业级功率领域渗透，这给了国内厂商非常大的市场机会。在2025CITE电子展上，镓创晶合董事长助理赵阳接受媒体采访，分享公司氮化镓产品和市场近况以及行业趋势等话题
2025-04-16 15:12:491444 半导体元素是芯片制造的主要材料，芯片运算主要是用二进制进行运算。所以在电流来代表二进制的0和1，即0是不通电，1是通电。正好半导体通过一些微观的构造与参杂可以这种性质。
2025-04-15 09:32:291644 
半导体材料是现代信息技术的基石，其发展史不仅是科技进步的缩影，更是人类对材料性能极限不断突破的见证。从第一代硅基材料到第四代超宽禁带半导体，每一代材料的迭代都推动了电子器件性能的飞跃。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562601 ❖ 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术。 ❖ 英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛
2025-04-01 10:06:023808 
深圳市三佛科技有限公司供应CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC,原装现货
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化镓（GaN）FET是常关器件
2025-03-31 14:26:10
随着半导体技术不断革新，智能功率氮化镓（GaN）成为备受瞩目的关键技术。它融合了氮化镓材料高电子迁移率、低导通电阻、耐高温高压的特性，以及智能控制电路和功能，能实现高效的功率转换、低能耗和高功率密度，广泛应用于消费电子、工业、通信等多个领域，极大地推动了电子产品的升级和工业设备性能的提升。
2025-03-24 11:37:571472 
GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件门极驱动电路设计方案
2025-03-13 18:06:0046951 
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）今日重磅发布全球首款量产级650V双向GaNFast氮化镓
2025-03-13 15:49:392996 
日前，京东方华灿的氮化镓研发总监马欢应半导体在线邀请，分享了关于氮化镓器件的最新进展，引起了行业的广泛关注。随着全球半导体领域对高性能、高效率器件的需求不断加大，氮化镓（GaN）技术逐渐成为新一代电子器件的热点，其优越的性能使其在电源转换和射频应用中展现出巨大的潜力。
2025-03-13 11:44:261527 【DT半导体】获悉，随着人工智能（AI）技术的进步，对半导体性能的提升需求不断增长，同时人们对降低半导体器件功耗的研究也日趋活跃，替代传统硅的新型半导体材料备受关注。石墨烯、过渡金属二硫化物（TMD
2025-03-08 10:53:061189 半导体产业链的全面发展带来了新的机遇和动力。一、氧化镓8英寸单晶的技术突破与意义氧化镓（Ga₂O₃）作为第四代半导体材料的代表，具有超宽的禁带宽度（约4.8eV），远
2025-03-07 11:43:222412 
氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接，感兴趣的朋友可以直接下载： *附件：氮化镓晶体管的并联设计.pdf 一、引言 应用场景 ：并联开关管广泛应用于大功率场合，如牵引逆变器、可回收能源系统等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化镓（GaN）充电头？氮化镓充电头是一种采用氮化镓（GalliumNitride,GaN）半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基（Si）充电器，GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 近日，唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日公布了截至2024年12月31日的未经审计的第四季度及全年财务业绩。
2025-02-26 17:05:131247 什么是氮化镓（GaN）充电头？氮化镓充电头是一种采用氮化镓（GalliumNitride,GaN）半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基（Si）充电器，GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 近日，唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 宣布将参加APEC 2025，展示氮化镓和碳化硅技术在AI数据中心、电动汽车和移动设备领域的应用新突破。
2025-02-25 10:16:381784 ，采用氮化镓材料，体积小巧，仅为57.5*33.5*23.8mm，极大程度的节省了设计空间。该系列电源模块共有4款，输出功率40W，输出电压分别为9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021 
GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布于下月发布全新的功率转换技术，将触发多个行业领域的颠覆性变革。该创新涵盖半导体与系统级解决方案，预计将显著提升能效与功率密度，加速氮化镓和碳化硅技术对传统硅基器件的替代进程。
2025-02-21 16:41:10867 在混合式氮化镓 VCSEL 的研究，2010年本研究团队优化制程达到室温连续波操作电激发氮化镓 VCSEL，此元件是以磊晶成长 AlN/GaN DBR 以及 InGaN MQW 发光层再搭配
2025-02-19 14:20:431085 
2024 ）上报告了 多项基于宽禁带半导体氮化镓，碳化硅的最新研究进展 。研究成果覆盖功率器件技术和新型器件技术： 高速且具备优越开关速度控制能力的3D堆叠式GaN/SiC cascode 功率器件
2025-02-19 11:14:46950 
过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此，在本文中，我们先对氮化镓未来的发展进行分析，并讨论了垂直氮化镓器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。
2025-02-17 14:27:362014 
生长4英寸导电型氧化镓单晶仍沿用了细籽晶诱导+锥面放肩技术，籽晶与晶体轴向平行于[010]晶向，可加工4英寸（010）面衬底，适合SBD等高功率器件应用。 在以碳化硅和氮化镓为主的第三代半导体之后，氧化镓被视为是下一代半导体的最佳材
2025-02-17 09:13:241340 VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂 2025年1月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶
2025-02-14 10:52:40901 
随着人工智能、数据中心、汽车电子等应用领域的快速发展，第三代半导体——氮化镓（GaN）正迎来前所未有的发展机遇。闻泰科技已布局GaN领域多年，凭借卓越的创新能力不断推动产业链发展，创造新的价值增量。
2025-02-10 17:15:041127 
深圳银联宝科技氮化镓芯片2025年持续发力氮化镓芯片YLB银联宝/YINLIANBAO无线通信领域，设备往往需要在有限的空间内实现强大的信号传输功能，氮化镓芯片就能凭借这一特性，满足其功率需求的同时
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链，为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081234 
为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓（GaN）电源（PSU）的设计，意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装（SiP）的谐振转换器参考设计。
2025-02-06 11:31:151133 近日，荷兰特文特大学科学家开发出一种新工艺，能在室温下制造出晶体结构高度有序的半导体材料。他们表示，通过精准控制这种半导体材料的晶体结构，大幅降低了内部纳米级缺陷的数量，可显著提升光电子学效率，进而
2025-01-23 09:52:54686 
在半导体产业这片高精尖的领域中，氮化镓（GaN）衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料，正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而，氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战
2025-01-22 09:43:37449 
在半导体制造这一微观且精密的领域里，氮化镓（GaN）衬底作为高端芯片的关键基石，正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而，氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁
2025-01-20 09:36:50404 在当今高速发展的半导体产业浪潮中，氮化镓（GaN）衬底宛如一颗耀眼的新星，凭借其卓越的电学与光学性能，在众多高端芯片制造领域，尤其是光电器件、功率器件等方向，开拓出广阔的应用天地。然而，要想充分发挥
2025-01-17 09:27:36420 在半导体领域的璀璨星河中，氮化镓（GaN）衬底正凭借其优异的性能，如高电子迁移率、宽禁带等特性，在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角，成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 的代替材料就更加迫切。
氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀
2025-01-15 16:41:14
氮化镓电源芯片和同步整流芯片在电源系统中犹如一对默契的搭档，通过紧密配合，显著提升电源效率。在开关电源的工作过程中，氮化镓电源芯片凭借其快速的开关速度和高频率的开关能力，能够迅速地切换电路状态，实现
2025-01-15 16:08:501733 PI公司诚邀您报名参加电子研习社主办的线上直播。我们的技术专家将为您带来专题演讲，介绍新的氮化镓耐压基准。
2025-01-15 15:41:09899 东科半导体集成双氮化镓功率管的有源钳位反激电源管理芯片-DK8607AD一、产品概述：DK8607AD电源管理芯片是一款集成了两颗GaN功率器件的有源钳位反激控制AC-DC功率开关芯片
2025-01-10 16:29:49
趋势一：碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）大放异彩 在功率半导体领域，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）宛如两颗冉冉升起的新星，正以迅猛之势改变着行业格局。 与传统的硅基半导体相比，SiC
2025-01-08 16:32:155035 东科半导体集成双氮化镓功率管的不对称半桥AC-DC-100W电源管理芯片-DK8710AD一、产品概述DK87XXAD是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片
2025-01-08 15:33:07
东科半导体高性能AC-DC 45W氮化镓电源管理芯片-DK045G 一、产品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片
2025-01-08 10:46:14
随着科技的飞速发展，半导体技术已经成为现代电子产业的基石。在众多半导体材料中，镓因其独特的物理和化学性质，在半导体制造中占据了一席之地。 镓的基本性质 镓是一种柔软、银白色的金属，具有低熔点
2025-01-06 15:11:592707 近日，全球氮化镓(GaN)功率半导体领域的佼佼者英诺赛科(2577.HK)成功登陆港交所主板，为港股市场增添了一枚稀缺且优质的投资标的。 英诺赛科作为全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，其在
2025-01-06 11:29:141123
电子发烧友App
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
评论