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电子发烧友网>今日头条>氮化镓半导体材料研究

氮化镓半导体材料研究

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半导体材料的发展历程

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为什么氮化比硅更好?

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氮化: 历史与未来

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为什么氮化(GaN)很重要?

的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40
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什么是氮化(GaN)?

氮化,由(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化的禁带宽度为 3.4eV,是硅
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氮化功率芯片如何在高频下实现更高的效率?

氮化为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化器件提升到的 200kHz。 氮化电源 IC 在
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氮化功率芯片的优势

更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。 更快:氮化电源 IC 的集成设计使其非常
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谁发明了氮化功率芯片?

虽然低电压氮化功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
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什么是氮化功率芯片?

行业标准,成为落地量产设计的催化剂 氮化芯片是提高整个系统性能的关键,是创造出接近“理想开关”的电路构件,即一个能将最小能量的数字信号,转化为无损功率传输的电路构件。 纳微半导体利用横向650V
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2023年中国半导体分立器件销售将达到4,428亿元?

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有机半导体材料的分子结构与性能之间的关系

有机半导体材料可广泛应用于OLED、OPVC或OFET中,为开发具有优异光电性能的新型有机半导体材料,需要深入研究有机半导体材料的分子结构与性能之间的关系。
2023-05-23 14:17:12887

如何化解第三代半导体的应用痛点

所谓第三代半导体,即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料,又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AIN)、氧化锌(ZnO)和金刚石等,其中
2023-05-18 10:57:361018

第三代半导体引领绿色科技:氮化与碳化硅的崛起

半导体
北京中科同志科技股份有限公司发布于 2023-05-16 13:26:21

2.1 半导体晶体材料

半导体
jf_90840116发布于 2023-05-08 01:54:54

1.3 半导体材料和分类

半导体
jf_90840116发布于 2023-05-08 01:50:45

1.2 半导体材料研究和应用(下)

半导体
jf_90840116发布于 2023-05-08 01:49:45

1.1 半导体材料研究和应用(中)_clip002

半导体
jf_90840116发布于 2023-05-08 01:47:53

1.1 半导体材料研究和应用(中)_clip001

半导体
jf_90840116发布于 2023-05-08 01:47:12

1.1 半导体材料研究和应用(上)

半导体
jf_90840116发布于 2023-05-08 01:46:30

什么是宽禁带半导体

(SiC)、氮化镓(GaN)为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。什么是宽禁带?物质的导电需要
2023-05-06 10:31:461675

什么是宽禁带半导体

半导体迄今为止共经历了三个发展阶段:第一代半导体以硅(Si)、锗(Ge)为代表;第二代半导体以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表;第三代半导体是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN
2023-05-05 17:46:226173

郝跃院士:功率密度与辐照问题是氮化半导体的两大挑战

郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
2023-04-26 10:21:32718

氮化的好处#硬声创作季 #pcb设计 #电路设计 #电子制作 #产品方案 #机器人

氮化
深圳爱美雅电子有限公司发布于 2023-04-17 14:41:27

国内功率半导体需求将持续快速增长

及前瞻产业研究院数据,预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言,二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化,而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 13:46:39

纳微半导体发布全新GaNSense™ Control合封氮化镓芯片,引领氮化镓迈入集成新高度

高频、高压的氮化镓+低压硅系统控制器的战略性集成, 实现易用、高效、可快速充电的电源系统 美国加利福尼亚州托伦斯,2023年3月20日讯 —— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723

湖南科技大学材料学院在半导体器件散热领域取得新进展

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,在电力电子器件、大功率射频器件、短波长光电器件以及5G通讯等领域具有硅半导体无法比拟的优势。然而,散热问题是制约其发展和应用的瓶颈。通常氮化镓需要氮化铝(AlN)作为过渡层连接到具有高导热系数的衬底上。
2023-03-24 10:37:04570

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