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电子发烧友网>电源/新能源>纳微半导体携手力积电,启动8英寸氮化镓晶圆量产计划

纳微半导体携手力积电,启动8英寸氮化镓晶圆量产计划

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2023-06-24 21:21:523608

半导体12英寸产线顺利通线

2023年2月正式投片,2023年6月2日流片完成,元器件性(WAT)测试结果全部达标。充分验证了半导体12英寸特色工艺产线已具备量产标准,对塔未来的工艺技术提升、产品开拓、产线扩建具有重要意义。 塔12英寸汽车芯片工艺线项目,着力90nm到40nm车
2023-06-26 17:37:031100

三星计划入局8英寸氮化功率半导体代工服务

三星详细介绍了他们的2纳米制造工艺量产计划和性能水平,并宣布从2025年开始提供8英寸氮化(GaN)功率半导体代工服务,以满足人工智能技术的需求。这种半导体具有高性能低功耗的特点,在消费类电子、数据中心和汽车等领域将得到广泛应用。
2023-06-29 14:48:151324

三星,入局八英寸氮化代工

具体到三星方面,在今年三月,有报道指出,三星已支出约2,000亿韩元(约1.54亿美元),准备开始生产碳化硅(SiC)与氮化(GaN)半导体,用于电源管理IC,而且计划采用8来生产这类芯片,跳过多数功率半导体业者着手的入门级6吋
2023-06-29 15:03:09934

我国突破12英寸二维半导体批量制备技术

该研究提出模块化局域元素供应生长技术,成功实现了半导体性二维过渡金属硫族化合物批量化高效制备,尺寸可从2英寸扩展至与现代半导体工艺兼容的12英寸,有望推动二维半导体材料由实验研究向产业应用过渡,为新一代高性能半导体技术发展奠定了材料基础。
2023-07-10 18:20:391315

12英寸二维半导体的批量制备完成

研究人员针对扩大二维半导体尺寸和批量制备的核心科学问题,提出了一种全新的模块化局域元素供应生长策略,成功实现了最大尺寸为12英寸的二维半导体的批量制备。
2023-07-13 11:16:00531

重大进展!中国团队实现12英寸二维半导体批量制备

该研究提出模块化局域元素供应生长技术,成功实现了半导体性二维过渡金属硫族化合物批量化高效制备,尺寸可从2英寸扩展至与现代半导体工艺兼容的12英寸,有望推动二维半导体材料由实验研究向产业应用过渡,为新一代高性能半导体技术发展奠定了材料基础。
2023-07-13 16:06:49993

8英寸降价最高降幅达到30%

据业界传闻,受终端需求不振和市场竞争的影响,台与世界先进近期陆续调降了8代工的报价,最高降幅达到30%。尽管8代工并非台的主要营收来源,但台过去在价格上相对坚定,不轻易涨价也不会随便降价,因此目前的降幅引发了人们的关注。
2023-08-10 16:41:151352

8英寸代工报价最高降30%世界先进或受冲击

业界评价说:“台的主要销售和收益动力虽然来自12英寸代工和高端制程,但是由于8英寸代工的价格下滑,给tsmc带来的冲击是有限的。”但只有世界先进的8英寸晶片项目,如果用晶片生产工程推算约3个月,相关冲击将在今年10月至11月以后出现,世界先进第四季度的业绩可能会受到影响。
2023-08-11 10:36:45898

电大幅上调产能,12英寸产能提至每月5.5万片

熊本新厂势如破竹,产能将迎来大幅提升,计划逐步达到每月5.5万片的12英寸产能。据了解,新厂的扩产计划将从2024年第4季开始实施。此次的战略举措不仅是对海外市场布局的重大突破,更是对日
2023-12-18 14:52:281207

德州仪器将提供更具价格竞争力的氮化芯片

德州仪器正在将其多个工厂的氮化(GaN)芯片生产从6英寸转换为8英寸。模拟芯片公司正在为达拉斯和日本会津的8英寸准备设备,这将使其能够提供更具价格竞争力的氮化芯片。
2024-03-20 09:11:141035

捷捷8英寸功率半导体器件芯片项目签约落户苏锡通园区

近日,捷捷8英寸功率半导体器件芯片项目和通富先进封装项目签约落户苏锡通科技产业园区。
2024-05-20 09:30:231122

捷捷8英寸功率半导体器件芯片项目和通富先进封装项目签约

近日,捷捷8英寸功率半导体器件芯片项目与通富先进封装项目在苏锡通科技产业园区正式签约。两大行业巨头再度携手,为园区注入强劲的发展动力。
2024-05-20 09:48:48999

半导体将亮相PCIM 2024,展示氮化与碳化硅技术

在电力电子领域,半导体凭借其卓越的GaNFast™氮化和GeneSiC™碳化硅功率半导体技术,已成为行业内的佼佼者。近日,该公司受邀参加6月11日至13日在德国纽伦堡举行的PCIM 2024电力电子展,并在“芯球”展台上展示其最新技术成果。
2024-05-30 14:43:08867

全球掀起8英寸SiC投资热潮,半导体产业迎来新一轮技术升级

随着全球半导体产业的快速发展,碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而备受瞩目。近期,8英寸SiC投资热潮更是席卷全球,各大半导体厂商纷纷加大投入,积极布局这一新兴产业。8英寸SiC相较于传统
2024-06-12 11:04:31741

半导体下一代GaNFast氮化功率芯片助力联想打造全新氮化快充

加利福尼亚州托伦斯2024年6月20日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化和碳化硅功率芯片行业领导者——半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)近日宣布其GaNFast氮化功率芯片获
2024-06-21 14:45:442086

信越化学推出12英寸GaN,加速半导体技术创新

日本半导体材料巨头信越化学近日宣布了一项重大技术突破,成功研发并制造出专用于氮化(GaN)外延生长的300毫米(即12英寸,标志着公司在高性能半导体材料领域迈出了坚实的一步。此次推出的QST
2024-09-10 17:05:241493

半导体发布GaNSli氮化功率芯片

近日,半导体推出了全新一代高度集成的氮化功率芯片——GaNSlim™。这款芯片凭借卓越的集成度和出色的散热性能,在手机和笔记本电脑充电器、电视电源以及固态照明电源等多个领域展现出了巨大潜力。
2024-10-17 16:02:31760

日本罗姆半导体加强与台氮化合作,代工趋势显现

近日,日本功率器件大厂罗姆半导体(ROHM)宣布,将在氮化功率半导体领域深化与台的合作,其氮化产品将全面交由台代工生产。这一举措标志着氮化市场的代工趋势正在加速发展。
2024-10-29 11:03:391017

天域半导体8英寸SiC制备与外延应用

,但是行业龙头企业已经开始研发基于8英寸SiC的下一代器件和芯片。 近日,广东天域半导体股份有限公司丁雄杰博士团队联合广州南砂半导体技术有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司在《人工晶体学报》2
2024-12-07 10:39:361204

日本开发出用于垂直晶体管的8英寸氮化单晶晶

1月8日消息,日本丰田合成株式会社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm(8英寸氮化 (GaN)单晶晶。 据介绍,与使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:22884

半导体氮化和碳化硅技术进入戴尔供应链

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布其氮化和碳化硅技术进入戴尔供应链,为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:08608

半导体成功实现VB法4英寸氧化单晶导电掺杂

的导电型掺杂,为下游客户提供更加丰富的产品选择,助力行业发展。该VB法氧化设备及工艺包已全面开放销售。 【图1】半导体VB法4英寸导电型氧化单晶底面 【图2】 半导体VB法4英寸导电型氧化单晶顶面 2025年1月,半导体
2025-02-14 10:52:40450

半导体GaNSafe™氮化功率芯片正式通过车规认证

日讯——半导体宣布其高功率旗舰GaNSafe氮化功率芯片已通过 AEC-Q100 和 AEC-Q101 两项车规认证,这标志着氮化技术在电动汽车市场的应用正式迈入了全新阶段。   半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe产品家族, 集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能
2025-04-17 15:09:261791

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