纳微半导体助力英伟达打造800 VDC电源架构

纳微半导体正式发布专为英伟达800 VDC AI工厂电源架构打造的全新100V氮化镓，650V氮化镓和高压碳化硅功率器件，以实现突破性效率、功率密度与性能表现。

加利福尼亚州托伦斯2025年10月13日讯——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其在先进中高压（800 VDC）氮化镓与碳化硅功率器件研发方面取得重要进展，此举将助力英伟达（NVIDIA）打造面向下一代AI工厂计算平台的800 VDC电源架构。

AI工厂的兴起催生了一类全新的数据中心，旨在为大规模并行人工智能和高速计算（HPC）实现高效的算力服务。这类全新数据中心的诞生，带来了功率传输的新挑战。而依赖于54V机架内配电输送的传统企业级和云端数据中心，已无法满足当下高速运算平台所需要的兆瓦级机架的功率密度要求, 新的功率挑战正在推动数据中心电源构架的基础革新。

800 VDC配电系统具备以下优势：

降低电阻损耗与铜材用量，实现更高能效；

基础设施具备可扩展性，能以高紧凑性方案为兆瓦级机架供电；

与国际电工委员会（IEC）低压直流（LVDC）分类标准（≤1,500 VDC）保持全球一致；

通过高效的热管理，实现简单可靠的电力分配。

800 VDC架构支持在数据中心电力机房或周边区域，将13.8 kVAC的市电直接变换为800 VDC。通过采用固态变压器与工业级整流器，该方案可省去传统AC/DC及DC/DC的多级变换，最大限度提升能效、减少损耗，并增强整体系统的可靠性。

800 VDC配电系统直接为IT机房内的服务器机架供电，省去了额外的传统AC-DC变换级。电力随后通过两级高效DC-DC变换（从800 VDC降至54V/12 VDC，再转换至GPU所需电压），以驱动英伟达Rubin Ultra平台等先进基础设施。

这类先进的AI工厂对功率密度、能效及可扩展性提出了前所未有的要求，而纳微半导体高性能GaNFast氮化镓与GeneSiC碳化硅技术，恰恰能满足这些需求。

图1：从电网到GPU，纳微先进的氮化镓和碳化硅技术为AI数据中心功率转换的每一级提供支持

专注于宽禁带功率半导体的纳微，始终致力于突破性的氮化镓和碳化硅技术研发，助力AI数据中心从电网到GPU的每一级，实现高效、高功率密度的功率转换。

纳微半导体全新100V氮化镓FET产品系列，采用先进双面散热封装，具备卓越的能效、功率密度与热性能。该系列产品专为GPU电源板上的DC-DC变换级进行了优化—— 在该环节中，超高密度与热管理能力是满足下一代AI计算平台需求的关键。目前，该系列产品的样品、数据手册及评估板已就绪，可供客户申请。

此外，全新高效的纳微100V氮化镓FET产品基于和力积电的战略合作，诞生于8英寸晶圆制程之上，适合大规模量产。

纳微的650V氮化镓产品组合包括一条全新的大功率氮化镓FET产品线，以及集成了控制、驱动、感测和内置保护功能的先进GaNSafe功率芯片，以卓越的鲁棒性和可靠性，满足下一代AI基础架构对性能和安全性的严苛要求。

作为全球氮化镓技术安全巅峰，GaNSafe具备以下特性：

超高速短路保护（最快350ns的响应时间）；

所有引脚均具备2kV静电放电（ESD）防护；

无需负栅极电压驱动；

可编程的压摆率（slew-rate）控制。

以上功能可通过芯片4个引脚实现，使得封装可以像一个分立式氮化镓FET一样使用，不需要额外的VCC引脚。

凭借超过20年在碳化硅领域积累的创新经验，纳微旗下的GeneSiC技术拥有自主研发的沟槽辅助平面栅技术，可为大功率、高可靠性的应用在全温度范围内提供卓越的高速，低温升运行能力。GeneSiC技术提供从650V到6,500V的行业最广电压范围，应用于包括与美国能源部合作的在内的，诸多兆瓦级储能与并网逆变器项目。

纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre：“在英伟达驱动AI基础设施转型的过程中，纳微非常荣幸能运用我们的氮化镓和碳化硅方案来帮助其实现效率，可拓展性和可靠性的提升，以满足下一代数据中心的需求。

随着行业快速向兆瓦级AI计算平台迈进，对更高效、可扩展和更可靠的电力输送的需求变得至关重要。从传统的54V架构向800 VDC架构转型，不仅仅是革命性的，更是颠覆性的行业革新。

纳微半导体正经历根本性转型，通过氮化镓与碳化硅技术的融合为全球最先进的系统提供支持。如今，我们的关注范围已远超消费电子，延伸至从电网到GPU的全链路环节 —— 通过差异化的高性能电源方案，满足AI工厂、智慧能源基础设施及工业平台的兆瓦级需求。”

如需纳微全新100V和650V氮化镓FET的信息，样品，产品规格书，评估板以及纳微旗下高压碳化硅MOSFET产品系列信息，请发送邮件至[e-mail]

如需了解更多关于纳微氮化镓和碳化硅技术在800 VDC架构的数据中心基础设施相关应用，请点击文末的阅读原文查看纳微最新白皮书。

关于纳微半导体

纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）是新一代功率半导体行业领导者，专注于氮化镓（GaN）与集成电路（IC）器件，以及高压碳化硅（SiC）技术研发，旨在推动人工智能与数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算及工业应用领域的创新。凭借在宽禁带技术领域超过30年的经验积累，纳微旗下的GaNFast功率芯片将氮化镓功率器件、驱动、控制、感测与保护功能高度集成，实现更快的功率传输、更高的系统功率密度及更卓越的能效表现。GeneSiC高压碳化硅器件采用受专利保护的沟槽辅助平面技术，为中压电网及基础设施应用提供业界领先的耐压能力、效率与可靠性。纳微半导体已拥有或正在申请的专利超过300项，是全球首家获得CarbonNeutral碳中和认证的半导体公司。