国内氮化镓大厂被申请破产：曾规划投资50亿，年产36万片晶圆

电子发烧友综合报道 5月8日，重庆市第五中级人民法院最新信息显示，聚力成半导体被广东中保维安保安服务有限公司申请破产清算。而在一个月前，该公司曾以“不能清偿到期债务且具有重整价值”为由，申请对聚力成半导体的破产重整。

聚力成半导体早期由重庆捷舜科技有限公司投资设立，并于2018年9月与重庆大足区政府签约，启动外延片和芯片产线项目，主要业务是硅基氮化镓/碳化硅基氮化镓外延片、功率器件晶圆代工、封装等。

该公司位于重庆大足区的一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂，此前据称已进入量产阶段。整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线，总投资约50亿人民币。

根据官方公众号信息，聚力成半导体有限公司是注册于大陆的第三代半导体公司成立于2018年9月，团队由经验丰富华籍专家组成，大多出于知名半导体公司。采用业界先进的三五族半导体工艺，专注整合设计与制造商业模式的研发及生产制造商。司依托自有先进的氮化镓外延技术、领先的氮化镓芯片设计能力、优质完整的晶圆加工及封测供应链战略合作体系以及强大的应用整合能力，致力于打造第三代半导体新功率平台，助力实现我国第三代半导体自主可控的宏伟目标，加速电力电子领域高速革命。

根据招聘网站信息，聚力成半导体在电力电子领域具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力，实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺；在微波射频领域，聚力成半导体同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力，技术团队在射频芯片生产工艺的开发，有多年丰富经验，未来产品将定位为射频通讯和射频能量市场。

在2021年，聚力成半导体表示其生产的氮化镓功率器件经过实测，效率达到95.8%，该数据基于65W快充电路演示板在满载时测得，这一数据意味着聚力成氮化镓器件将电源损耗降低近60%，大幅度提升能效水平。

图源：聚力成半导体

2021年11月，聚力成半导体在中国电源学会第二十四届学术年会上亮相，展出的产品工艺平台包含功率用100-700V硅基氮化镓外延技术平台（AlGaN型及pGaN型），射频用100-700V硅基氮化镓外延平台，650V 50-400mR D-mode GaN HEMT芯片及器件代工平台以及150V E-mode GaN HEMT芯片及器件代工平台。

根据公开信息，聚力成半导体已完成三轮融资，投资方包括盐城国智、上汽投资、阿里系的云锋基金、赛伯乐投资等。