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丁基醇浓度对Si平面表面形貌和蚀刻速率的影响

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Cu杂质对Si(110)湿法蚀刻影响—苏州华林科纳半导体

引言 我们在蚀刻的硅(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成,描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性(或)反应性。在我们的模型中,小丘被蚀刻剂中的铜杂质稳定,铜杂质吸附在表面上并作
2021-12-29 17:04:31105

化学蚀刻的铜-ETP铜的实验分析

不同的蚀刻剂(氯化铁氯化铜)进行化学蚀刻。研究了选择的蚀刻剂和加工条件蚀刻深度表面粗糙度的影响。实验研究表明,氯化铁产生的化学腐蚀速率最快,但氯化铜产生的化学腐蚀速率最快最光滑的表面质量。 关键词:化学蚀刻;铜
2021-12-29 13:21:46778

浓度KOH中的各向异性蚀刻

。在碱性溶液中,TMAHKOH最广泛地用于湿法各向异性蚀刻。当考虑到互补金属氧化物半导体的兼容性,并且热氧化物被用作掩模层时,使用解决方案。为了获得氢氧化钾之间的高蚀刻选择性。 即RSi的显著蚀刻速率,氢氧化钾优于
2021-12-28 14:41:5698

在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成

引言 到目前为止,GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制,这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此,用显微技术、轮廓术x光电子能谱研究了氢氟酸GaAs晶片的腐蚀。发现在蚀刻
2021-12-28 16:30:1293

半导体工艺之介电蚀刻工艺中等离子体的蚀刻处理

表面腐蚀。此外,我们还利用聚对苯二甲酸乙二 酯(PET)通过将薄膜从亲水改性为疏水来修复低k损伤防止薄膜表面氧化膜的形成,特别是对于低k、超低k介电工艺。结果表明,聚酯在可靠性性能方面的实际效果高度依赖于特定的蚀
2021-12-27 14:45:13630

RCA清洁变量颗粒去除效率的影响

。硅技术中RCA湿化学处理的特性基于SC-1QDR的处理时间、温度、浓度兆频超声波功率。提出了一种通过增加湿法清洗化学过程的变量来改进晶片表面制备的方法。 介绍 SC-1QDR的加工时间、温度、浓度兆频超声波功率的影响进行了广泛的研究.这些研究表明,颗粒
2021-12-27 10:38:32309

氢氟酸水溶液中离子辐照LiNbO3的蚀刻

引言 用多能氩离子辐照x射线切割铌酸锂单晶,产生厚度为400纳米的均匀损伤表面层,研究其在HF水溶液中的腐蚀行为。使用不同的酸温度浓度,表明可以通过将温度从24℃提高到55℃来提高蚀刻速率,同时
2021-12-23 15:32:06471

醇类添加剂KOH溶液蚀刻特性的影响

我们华林科纳研究了不同醇类添加剂氢氧化钾溶液的影响。据说导致硅蚀刻各向异性的改变。具有一个羟基的表现出与异丙醇相似的效果。它们导致(hh 1)型平面蚀刻速率大大降低,通常在蚀刻凸形图形的侧壁处发展。这就是凸角根切减少的原因。具有一个以上羟基的影响蚀刻各向异性,并导致表面光洁度变差。
2021-12-17 14:11:58141

次氯酸钠单晶硅表面的纹理蚀刻

单晶硅的各向异性蚀刻是硅器件微结构加工中经常使用的技术。已经制造的三角形矩形凹槽、棱锥体、薄膜微孔,它们在器件中有很大的应用。
2021-12-17 13:34:04119

石英玻璃热化学后处理后表面粗糙度改善的研究

石英是振动陀螺仪的理想材料。我们研究了热处理化学后处理熔融石英表面质量改善的影响。我们的研究包括高频蚀刻、氢氧化钾蚀刻、RCA-1表面处理的影响,这些在熔融石英玻璃陀螺仪的制造中很常见,以及热
2021-12-16 17:11:34265

采用可控湿法蚀刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽 华林科纳

这本文中,我们提出了一种精确的,低损伤的循环刻蚀AlGaN/GaN的新方法,用于精确的势垒凹陷应用,使用ICP-RIE氧化湿法刻蚀。设备功率设置的优化允许获得宽范围的蚀刻速率~0.6至~11纳米/周期,而相对于未蚀刻表面表面粗糙度没有任何可观察到的增加。
2021-12-13 16:07:58623

SuperView W1白光干涉仪——微观形貌测量利器

的机械与物理特性产生影响,而且也会影响非接触表面的特性,如光学器件的反射等等。结构的测量是结构加工的先决条件质量保证,所以表面形貌的测量在材料工程零部件的属性功能方面起着至关重要的作用,由此对于微
2021-11-01 10:58:4341

虹科液体粘密度传感器:乙二-水混合液的浓度测量

VLO-M1来测量密度。上述混合物以恒定流速通过传感器。传感器的记录功能,将每秒记录一次密度、温度、压力参考密度的数值。测试对象如下:乙二(Ethyleneglyco
2021-10-01 01:06:3671

电解液浓度铅酸蓄电池电动势以及充电电压的影响

电解液浓度铅酸蓄电池电动势以及充电电压的影响介绍。
2021-06-10 11:23:0712

SI4432.SI4463.SI4438LORA方案对比

SI4432.SI4463.SI4438LORA方案对比
2021-05-08 09:41:3019

浅谈pcb蚀刻制程及蚀刻因子

1、 PCB蚀刻介绍 蚀刻是使用化学反应而移除多余材料的技术。PCB线路板生产加工蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净,仅此而已。在PCB制造过程中,如果要精确地
2020-10-31 12:06:009980

浅谈激光焊接工艺中保护气焊缝形貌的作用

除了根据焊接材料选择合适的保护气外,研究保护气的吹气角度、方向、流量等参数焊缝形貌影响十分必要。下面我们基于相同的焊接条件下,研究保护气不同吹气角度焊缝的影响
2020-10-31 18:17:364770

PCB蚀刻定义及蚀刻操作条件

蚀刻:将覆铜箔板表面由化学药水蚀刻去除不需要的铜导体,留下铜导体形成线路图形,这种减去法工艺是当前印制电路板加工的主流
2020-09-26 05:12:013550

“三元前驱体制备关键技术-形貌控制”主题演讲

他进一步强调,造成前驱体性能差异的主要影响因为是反应釜的结构、氨水浓度、pH、进料流量、反应温度、搅拌功率等等,其中氨水浓度pH是最重要的影响因素,一次颗粒堆积方式形貌影响较大。
2020-12-24 11:17:571395

高反光表面三维形貌测量技术的介绍及未来展望

三维形貌测量中具有挑战性的任务就是精确测量各种高反光零件的表面,高反光零件被广泛应用于航空、航天、船舶、能源动力等国家重大装备工程中。
2020-04-15 14:54:523138

不同表面处理散热有什么样的影响详细资料说明

同样形状的铝块+粗糙表面、铝块+光滑表面、铝块+导电氧化、铝块+本色阳极氧化、铝块+亮黑阳极氧化、铝块+喷砂无光黑色阳极氧化、铝块+白色喷塑、铝块+黑色喷塑、不锈钢块光滑表面进行散热实验,得出不同表面处理辐射散热的影响
2018-12-17 17:00:5012

表面处理A7N01铝合金MIG焊接头疲劳裂纹扩展速率影响

采用CT(紧凑拉伸)试样,经过不同表面处理的A7N01铝合金MIG焊(熔化极惰性气体保护焊)接头的焊缝区、热影响母材区的疲劳裂纹扩展速率(da]dN)进行了试验研究。同时采用维氏硬度计表面
2018-04-19 10:02:120

多孔硅新的表面处理技术

多孔硅施加阳极氧化表面处理技术,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌,破坏原有多孔硅的形貌本质的问题.阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面,满足
2011-06-24 16:29:3417

影响机械加工表面质量的因素分析

摘要:加工表面产生的表面微观几何形状误差表面物理力学性能的变化,机器零件的使用性能有严重的影响。本文主要以影响加工表面粗糙度和加工表面物理力学性能变化的
2010-11-10 16:12:0926

PCB印制电路中影响蚀刻液特性的因素

PCB印制电路中影响蚀刻液特性的因素   一、蚀刻液的选择   蚀刻液的选择是非常重要的,它所以重要是因为它在印制电
2009-11-18 08:56:46617

表面纹理反射面天线电性能的影响

反射面天线面板的加工质量包括加工精度表面质量,两者都会影响天线的电性能。论文针对研究较少的表面加工质量,利用分形函数建立表面纹理的数学模型,并通过相位差将微
2009-11-09 11:46:446

电极电位L - 蛋氨酸分子吸附构型影响表面增强拉曼光谱

电极电位L - 蛋氨酸分子吸附构型影响表面增强拉曼光谱:利用电化学现场表面增强拉曼光谱技术研究了在粗糙化金电极银电极表面吸附的L - 蛋氨酸自组装单分子膜结构随电位
2009-10-25 12:19:309

双针表面形貌测量系统的研究

介绍一种新颖的双针表面形貌测量系统,它将光学位移传感器触针位移传感器巧妙地结合在一起,从而具有接触非接触两种测量手段。与单一测量模式的表面形貌测量仪器相比,
2009-07-10 15:43:174

表面热处理氮化硼薄膜场发射特性的影响

摘 要:用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃1000℃条件下进行了表面热处理,分别
2009-05-16 01:54:1620

组合时效Cu-Ni-Si合金性能的影响

利用透射电镜显微硬度法Cu-Ni-Si组合时效工艺进行研究,研究表明,预时效工艺Cu-Ni-Si合金的二次时效强化效应产生显著的影响,450℃×8h预时效工艺二次时效强化效应最为明
2009-05-16 01:50:1011

氮气流量金刚石膜生长的影响研究

采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备掺氮金刚石薄膜,研究了不同氮气流量金刚石膜的生长速率表面形貌膜品质的影响。实验发现,在较低的氮气流量下,金刚石膜的生
2009-05-16 01:48:4920

Ti(Ta)O2薄膜的表面形貌血管内皮细胞生长量影响的研究

采用磁控溅射合成不同Ta含量的系列Ti(Ta)O2薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)薄膜的表面形貌进行表征。并薄膜表面进行人脐静脉内皮细胞(HUVEC)种植
2009-04-26 22:22:3932

基于垂直方向位移扫描的接触式表面形貌

基于垂直方向位移扫描的接触式表面形貌仪 Contact Surface Contourgraph Based on Vertical Displacement Scan
2009-03-16 16:50:4711

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