氧化镓衬底表面粗糙度和三维形貌，优可测白光干涉仪检测时长缩短至秒级！

氧化镓工艺突破
有望大规模应用
近年来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。从行业分级看，超宽禁带半导体属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV。

来源：氧化镓衬底样品

更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，这使得基于氧化镓的功率器件具有更大的工作电流、电压以及更小的导通电阻、器件尺寸和更高的转换效率，在制作高性能功率器件方面有突出优势。有行业人士预测，氧化镓将在2025年至2030年全面渗透车载和电气设备领域。

镓仁半导体

率先实现6英寸氧化镓衬底销售
浙江知名半导体企业“杭州镓仁半导体有限公司”，依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室、浙江大学杭州国际科创中心和浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室，成功开创了采用铸造法的氧化镓单晶生长新技术，推出6英寸的铸造法单晶衬底，并率先实现6英寸的销售。同期，镓仁在国内率先完成4英寸VB法氧化镓长晶设备及工艺包的验证，并全面开放销售。重磅发布 | 镓仁半导体推出氧化镓专用晶体生长设备

镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)4英寸氧化镓单晶

在工作中，镓仁研发部门需要采用检测设备对氧化镓衬底表面进行三维形貌采集并测量，以及测量衬底表面的粗糙度。

优可测白光方案
将检测效率提升至秒级

通过多轮评估对比，研发团队最终引进优可测AM7000系列白光干涉仪。

优可测白光干涉仪标配高精度压电陶瓷（PZT），最高扫描速度为400μm/秒，搭载高感光度、高像素、最高3200Hz扫描帧率的CMOS相机，配合业内首创SST+GAT算法，可瞬间完成最高500万点云采集，样品测量的重复性偏差达到了0.006nm。在与原子力显微镜的对比测试中，测量精度一一对应。

在效率对比中，使用原子力显微镜对氧化镓衬底样品单点粗糙度测量，需要接近20分钟时间，使用优可测白光干涉仪则3秒钟左右即可生成测试报告，大大提升了样品测量效率，为研发部门争取到了更多宝贵的时间。