AFN块体单晶的湿法蚀刻和红外吸收研究报告

摘要

采用湿法腐蚀、x射线衍射(XRD)和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法(PVT)生长AlN(0001)单晶的缺陷和晶格完善性。 一个正六边形的蚀刻坑密度(EPD)约为4000厘米在AlN的(0001)铝表面上观察到单晶。 EPD沿纤锌矿结构滑移方向呈线阵分布，表明其规模相当大晶体在生长过程中所产生的热应力。 XRD全宽半最大值(FWHM)晶体为35弧秒，表明晶格完美。这些吸收可能与杂质O、C、Si有关以及它们在AlN单晶中的配合物。

介绍

AlN是一种半导体间隙(6.2 eV)，具有高热稳定性和导电性。 近年来，作为iii -氮化物材料als的代表，GaN和AlGaN在光电子制造中得到了广泛的应用以及新的大功率电子设备。 然而，由于其与传统衬底的热和晶格不匹配，外延材料含有较大的位错密度，这些缺陷限制了器件的寿命和性能[33 5]。 因为氮化镓和富氮化镓配合良好，所以氮化镓及其衍生物的理想衬底三元化合物[。 在这种情况下，低缺陷密度和良好的氮化铝单晶晶格完整性是制备高质量氮化铝的先决条件。 因此,它是研究AlN单晶缺陷及其形成机理的必要手段。

 

审核编辑：符乾江