MUN12AD03 - SEC电源模块全方位扩展指南在电子设备日益追求高性能、小尺寸、低功耗的今天，电源模块的重要性愈发凸显。MUN12AD03 - SEC电源模块以其独特优势，为众多领域带来
2026-01-04 10:45:19
实现0.2nm工艺节点。 而随着芯片工艺节点的推进，芯片供电面临越来越多问题，所以近年英特尔、台积电、三星等厂商相继推出背面供电技术，旨在解决工艺节点不断推进下，芯片面临的供电困境。 正面供电面临物理极限 在半导体技术发展的历程中
2026-01-03 05:58:00
3987 INC.(以下简称“PANJIT”)签署的股权转让协议。根据该协议，特瑞仕将其持有的合并子公司 TOREX VIETNAM SEMICONDUCTOR CO., LTD.(以下简称“TVS”)95%的股权转让给 PANJIT。
2025-12-26 16:49:171475 ）技术。相较于传统的3nm FinFET工艺，GAA架构提供了更出色的静电控制和更高的电流密度，使芯片性能提升12%，功
2025-12-25 08:56:008274 
①成本优势，货源稳定
②功耗降低30%-50%，工艺制程采用22nm，主频由64M升级到128M。且54系列是M33的核。
③54系列支持蓝牙6.0 ，支持channelsounding功能，52系列不支持。
④54系列支持最新的NCS
2025-12-24 11:09:50
和强大的计算能力，成为4G智能模块领域的性能标杆。MT6789安卓核心板的亮点在于其采用了台积电6nm工艺，这种先进的制程技术相比传统12nm或7nm工艺显著优化了
2025-12-23 20:18:31143 
从协议到实践——EtherNet/IP与NetStaX的最新进展
2025-12-19 15:26:55986 
岁末冬安，圆梦芯成。2025年12月10日，北京燕东微电子股份有限公司（688172.SH）旗下北京电控集成电路制造有限责任公司12英寸集成电路生产线项目（以下简称“燕东微北电集成项目”）迎来工艺设备搬入的重要节点，标志着该项目进入设备安装调试阶段，为项目建成投产奠定坚实基础。
2025-12-19 15:07:19414 Flex Power Modules已将其产品制造扩展到欧洲，在奥地利阿尔特霍芬的Flex工厂设立新的生产基地。此举将提高Flex Power Modules的电源模块产能，助力其更快速、更高效地响应AI数据中心客户快速增长的需求。
2025-12-16 13:51:31395 在存储技术快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻随机存取存储器）以其独特的性能，逐渐成为业界关注焦点。它不同于传统的闪存或DRAM，利用磁性而非电荷来存储数据，兼具高速、耐用与非易失性特点。
2025-12-15 14:39:04242 AI桌面机器人采用了联发科MTK八核芯片方案，主频高达2.0GHz，基于12nm制程工艺设计，兼具高性能与低功耗特点。这套方案不仅能够提供成熟的Android生态支持，还因其优越的性价比在同类产品中
2025-12-08 19:28:29231 
，极智G-X100采用5nm工艺，chiplet架构。彩色透视端到端延迟仅为9毫秒，创下全球最低延迟纪录。
2025-11-29 10:59:592523 
最近扒了扒国产芯片的进展，发现中芯国际（官网链接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已经不是 “实验室技术” 了 —— 从消费电子的中端处理器，到汽车电子
2025-11-25 21:03:40
在嵌入式存储应用中，串口MRAM芯片凭借其非易失性、高速度及高耐用性受到广泛关注。作为磁性随机存储器技术的代表，Everspin磁性随机存储器在工业控制、数据中心和汽车电子等领域表现优异。
2025-11-19 11:51:41146 的 TI GSPS ADC 的奈奎斯特区，在射频下具有优异的噪声和线性性能， 将可用航程扩展到7^th^奈奎斯特区
2025-11-18 15:15:13432 
12寸晶圆（直径300mm）的制造工艺是一个高度复杂且精密的过程，涉及材料科学、半导体物理和先进设备技术的结合。以下是其核心工艺流程及关键技术要点： 一、单晶硅生长与晶圆成型 高纯度多晶硅提纯 原料
2025-11-17 11:50:20328 大家好！叠层固态电容工艺相比传统的电容工艺，在响应速度上具体快在哪里？
2025-11-15 10:03:31
在需要高速数据读写与高可靠性的现代电子系统中，传统存储技术往往面临写入速度慢、耐久性有限等挑战。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其独特的磁阻存储技术，为工业控制、汽车
2025-11-13 11:23:46210 优势支持FinFET及传统工艺，低至12nm完整的层次化物理版图，包括任意角度和曲线多边形支持多用户并行读写OpenAccess数据库原理图驱动版图(SDL)和工程变更单(ECO)保持版图设计时
2025-11-11 11:22:04373 
英尚微电子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存储芯片，基于最新的JEDEC xSPI标准与独有的STT-MRAM技术构建，这款串行接口MRAM存储芯片可全面替代传统SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在当今对数据持久性与系统可靠性要求极高的企业基础设施和数据中心中，Everspin推出的自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）存储器——EMD4E001G-1Gb，凭借其卓越的性能与独特的技术优势，成为众多高性能存储解决方案中的亮点。
2025-11-05 14:34:28280 手持终端采用MT6765高性能平台，基于12nm先进制程工艺，兼顾性能与能耗的平衡。其8核2.0GHz CPU架构能够轻松应对多任务处理场景，如数据采集、实时定位和后台运算。操作系统支持Android 11与Android 13版本选择，为不同行业的定制需求提供了灵活适配空间。
2025-11-03 19:44:37218 
STMicroelectronics X-NUCLEO-LED12A1 LED驱动器扩展板用于STM32 Nucleo，具有四个LED1202器件，可驱动多达48个LED。LED1202是一款12
2025-10-31 15:13:16409 
在需要高速数据写入与极致可靠性的工业与数据中心应用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM树立了性能与耐用性的新标杆。这款Everspin存储器MRAM与SRAM引脚兼容的存储器，以高达35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一种利用电子的自旋磁性来存储信息的非易失性存储器。它完美结合了SRAM的高速读写特性与闪存（Flash）的非易失性，能够在断电后永久保存数据，同时具备无限次擦写、无磨损的卓越耐用性。MRAM将磁性材料集成于硅电路中，在单一芯片上实现了高速、可靠与长寿命的统一，是存储技术的一次重大飞跃。
2025-10-24 15:48:44411 在无线网络普及的当下，有线网络凭借更稳定的传输速率和更低的延迟，仍是游戏、直播、大型文件传输等场景的首选。而USB扩展网卡（又称USB千兆网卡、USB转以太网适配器），则成为解决设备缺少网口、网口
2025-10-24 15:37:02755 
作为磁阻存储器领域的重要分支，SOT-MRAM因其独特的写入机制与结构设计，正成为高性能MRAM研发的热点方向。该技术利用具有强自旋轨道耦合效应的材料层，通过自旋轨道力矩驱动磁性隧道结中纳米磁体的确定性翻转，从而实现高效、可控的数据写入与擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 使用的rtl官方源代码：e203_hbirdv2
使用的FPGA开发板：DDR200T
扩展原因：蜂鸟e203的内存ITCM和DTCM都是64k，太小，不能加载较大的程序（如:几M）
扩展方案
2025-10-24 08:12:53
，联发科MT6769芯片凭借其性能均衡、低功耗和成熟的生态支持，成为智能车载终端的优质选择。联发科MT6769是一款采用12nm FinFET工艺的系统级芯片(So
2025-10-16 19:58:35367 
STMicroelectronics X-NUCLEO-NFC12A1 NFC读卡器扩展板基于高端NFC读卡器ST25R300。该扩展板的配置可在读卡器模式下支持所有五种NFC Forum标签类型。
2025-10-15 10:35:17427 
（CGD） 13日宣布与领先的半导体代工企业格芯（GlobalFoundries，简称 GF）达成合作伙伴关系。此次合作强化了 CGD 的无晶圆厂战略，拓展了其 ICeGaN® 功率器件的供应链
2025-10-15 09:39:57860 MT6769核心板是一款采用联发科MT6769芯片的高性能安卓核心板，以其性能均衡、接口丰富的特点，在智能设备领域展现了广泛的应用潜力。以下是对该核心板的详细介绍：MTK6769安卓核心板采用台积电12nm制程工艺，具有低功耗和高性能的特点，为设备提供了更长的续航时间和更流畅的操作体验。
2025-09-22 19:56:262088 
现代AI智能眼镜的技术发展，得益于先进芯片工艺的推动。以联发科12nm制程工艺为例，相较于传统的14nm制程，其在功耗控制上表现卓越，最高可节省15%的电量。这一改进对于AI智能眼镜这种高续航需求的设备来说尤为重要，能够显著提升设备在长时间运行中的稳定性与可靠性。
2025-09-18 20:03:50677 
BCM56771A0KFSBG性能密度：单芯片 12.8Tbps + 32×400G 端口，降低设备数量与 TCO。技术前瞻：PAM4 调制 + 7nm 工艺，平滑演进至 800G 时代。能效比
2025-09-09 10:41:47
。
FinFET是在22nm之后的工艺中使用，而GAA纳米片将会在3nm及下一代工艺中使用。
在叉形片中，先前独立的两个晶体管NFET和PFET被连接和集成在两边，从而进一步提升了集成度。同时，在它们之间
2025-09-06 10:37:21
FAQ_MA35_Family eMMC如何将映像编程到其中一个分区中，并将其他分区用于其他目的？
2025-09-02 08:05:33
联发科MT6769是一款专为智能设备设计的高集成度平台处理器，具备强大的性能和广泛的功能支持，能够满足现代设备在计算、存储、多媒体和连接等方面的多样化需求。MT6769采用台积电12nm制程技术
2025-08-26 20:00:311512 
珠海创飞芯科技有限公司实现新突破！我司基于40HV（40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process）工艺制程的一次性可编程存储IP核已在国内两家头部晶圆代工厂经过
2025-08-14 17:20:531311 、OPCUA、HTTP等），并将其转换为目标系统或设备可识别的协议格式，从而实现跨协议的通信与数据交互。 简单来说，协议解析网关就像“翻译官”，在使用不同“语言”（协议）的设备之间搭建桥梁，确保数据能够准确、高效地传输和理解。 协议解析
2025-08-13 14:04:59706 
功能是实现不同协议格式的报文（数据）在传输过程中的解析、转换和转发。 一、协议转换网关的核心作用 1.协议解析与转换 接收来自不同设备的报文（如传感器的Modbus协议、PLC的Profinet协议、物联网设备的MQTT协议等），将其从原始
2025-08-11 14:08:22789 
平台的首选协议。从传感器数据采集到设备远程控制，从车间级监控到跨厂区协同，MQTT 正在重塑工业通信架构。GraniStudio 软件通过对 MQTT 协议的全场景整合，将其复杂的连接管理、消息路由
2025-08-04 09:48:34884 
睿莓1是一款由上海晶珩研发的专为多种应用场景设计的单板计算机，具备优异的性能和小巧紧凑的尺寸，同时提供了极具竞争力的价格。它搭载了一颗12nm工艺的AmlogicS905X4四核Cortex-A55处理器，主频达到2.0GHz，并配备了ARMMail
2025-07-22 08:08:55961 
协议分析仪作为网络通信和嵌入式系统调试的核心工具，需支持从低速总线到高速接口、从有线到无线的广泛协议。以下是常见协议分类及典型应用场景，帮助选择适合的分析仪：一、高速串行总线协议1. 计算机外设接口
2025-07-17 15:40:38
MTK安卓开发板采用先进的12nm工艺制程，其搭载的八核Cortex-A53处理器主频高达2.3GHz，展现了卓越的性能表现。该开发板内置4GB运行内存和64GB存储空间，并预装Android
2025-07-15 20:00:04581 
近日，格罗方德（GlobalFoundries）宣布达成一项最终协议，拟收购人工智能（AI）和处理器IP领域的领先供应商MIPS。此次战略收购将拓展格罗方德可定制IP产品的阵容，使其能够借助IP和软件能力，进一步凸显工艺技术的差异化优势。
2025-07-09 18:03:451036 在全球半导体代工领域的激烈竞争中，三星电子的战略动向一直备受瞩目。近期，有消息传出，三星代工业务在制程技术推进方面做出重大调整，原本计划于2027年量产的1.4nm制程工艺，将推迟至2029年。而在
2025-07-03 15:56:40690 MT8766是一款基于四核A53架构设计的高性能芯片，主频高达2.0GHz，采用先进的12nm制程工艺。凭借高效的硬件架构和多样化功能，MT8766在多媒体处理、无线通信和低功耗优化方面表现出色，为智能设备提供强大支持，是现代智能硬件领域的理想选择。
2025-06-10 20:20:391502 
德索在M12接口领域深耕多年，其转接头、转换器等产品支持多规格定制，从原材料到生产全流程质量管控，确保与工业交换机的高度适配性。凭借精密工艺与严苛品控，德索为M12接口工业交换机重构工业通信生态提供可靠硬件支撑。
2025-06-10 11:52:43646 
当行业还在热议3nm工艺量产进展时，台积电已经悄悄把2nm技术推到了关键门槛！据《经济日报》报道，台积电2nm芯片良品率已突破 90%，实现重大技术飞跃！
2025-06-04 15:20:211051 内部的并行性实现可扩展性、高吞吐量和低延迟的目标。相较于SATA协议，NVMe协议具有以下几点优势：管理更高效、功能性更强、I/O效率更高、读写延迟和功耗更低。由于NVMe SSD与HDD和SATA
2025-06-02 23:28:54
MT8768安卓核心板是一款高度集成的嵌入式系统模块，集成了CPU、内存(如LPDDR4X)、存储(eMMC或FLASH)和电源管理芯片等核心部件。基于联发科MTK8768处理器，该模块采用12nm
2025-05-29 19:59:031726 
处理器打造，采用先进的12nm制程工艺，主频高达2.0GHz，并运行Android 11.0操作系统。其强大的性能、低功耗设计和灵活的扩展能力，使其成为多种嵌入式应
2025-05-28 19:46:54843 
归因于 SDE 深度的降低。随着 CMOS尺寸的降低，为控制短沟道效应，结深也需要相应的降低。然而，降低源漏扩展区的深度会导致更高的电阻。这两个互相矛盾的趋势要求新的工艺技术能够在更浅的区域形成高活化和低扩散的高浓度结。
2025-05-27 12:01:13964 
使用cyusb.dll(NET), USBDeviceList枚举USB设备，可以正常访问，当我用外在部件将其从USB3.0强制到USB2.0后如何高效重新打开设备，重复调用USBDeviceList，会出现效率低下
2025-05-19 06:15:30
这款小尺寸安卓主板采用了联发科MT8768处理器，配备八核心(ARM A53架构，主频2.0GHz)，结合先进的12nm工艺制造，兼具低功耗与强大性能。板载4GB RAM和64GB存储空间，为多种设备提供稳定的运行环境，满足不同应用场景的需求。
2025-05-12 20:13:19948 
期，从领先的台积电到快速发展的中芯国际，晶圆厂建设热潮持续。主要制造商纷纷投入巨资扩充产能，从先进的3nm、5nm工艺到成熟的28nm、40nm节点不等，单个项目
2025-04-22 15:38:361573 
近日，国民技术电源管理产品再添新成员，正式发布高性能多协议快充协议SoC芯片（NP11/NP12/NP21系列），采用Arm内核，基于Flash工艺设计，产品可支持PD/QC/UFCS/APPPLE
2025-04-18 21:06:001324 
%左右开始，随着进入量产阶段，良率会逐渐提高”。
星电子将在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 内存芯片和 4nm 逻辑芯片， 虽然逻辑芯片端的初始成绩较为喜人，但 1c DRAM 方面
2025-04-18 10:52:53
我们很高兴能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 标准封装 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽车工艺上实现首次流片成功。这一里程碑彰显了我们持续提供高性能车规级 IP 解决方案的承诺，可满足新一代汽车电子和高性能计算应用的严格要求。
2025-04-16 10:17:15843 
第9章 集成电路制造工艺概况 第10章 氧化 第11章 淀积 第12章 金属化 第13章 光刻：气相成底膜到软烘 第14章 光刻：对准和曝光 第15章 光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 第16章
2025-04-15 13:52:11
！开发板介绍芯片框架
核心升级，产品炸裂QuarkPi-CA2卡片电脑搭载瑞芯微RK3588S芯片，采用8nm制程工艺，搭载4核Cortex-A76+4核Cortex-A55，6.0Tops NPU
2025-04-11 16:03:36
从铸造到打磨，每一个工艺环节在德索精密工业内部都紧密相连，共同编织成 SMA 接口尺寸雕琢的精密链条。正是凭借对工艺的执着追求以及对细节的极致把控，德索精密工业制造的 SMA 接口得以在微小尺寸
2025-03-26 08:41:13629 这AD5541/ AD5542 是单通道、16 位、串行输入、电压输出数模转换器 （DAC），采用 2.7 V 至 5.5 V 单电源供电。DAC 输出范围从 0 V 扩展到 VREF。
2025-03-25 10:00:26
在我用photodiode工具选型I/V放大电路的时候，系统给我推荐了AD8655用于I/V，此芯片为CMOS工艺
但是查阅资料很多都是用FET工艺的芯片，所以请教下用于光电信号放大转换（主要考虑信噪比和带宽）一般我们用哪种工艺的芯片，
CMOS,Bipolar，FET这三种工艺的优缺点是什么？
2025-03-25 06:23:13
我们使用了过采样技术把12位扩展到15位ADC，发现跳动较大，模拟量可能有最大上下30左右的跳动，对于15位ADC来说，相当于3个mv的跳动，为了查找问题原因，取消了过采样技术，直接观察12位ADC
2025-03-24 09:54:25
电子发烧友网综合报道 据多方消息来源推测，三星电子可能取消原计划于 2027 年量产的 1.4nm（FS1.4）晶圆代工工艺。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-23 11:17:401827 电子发烧友网综合报道 据多方消息来源推测，三星电子可能取消原计划于 2027 年量产的 1.4nm（FS1.4）晶圆代工工艺。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-22 00:02:002462 CMT4531 支持BLE高速数据吞吐，包括BLE 2Mbps PHY协议与长度扩展功能；同时，CMT4531还可完全支持BLE Mesh协议下的Friend、LowPower、Proxy、Relay等多种节点特性，是打造智能家居BLE Mesh网络的理想选择之一。
2025-03-14 17:04:221533 
Arm 控股有限公司（纳斯达克股票代码：ARM，以下简称“Arm”）近日宣布将 Arm Kleidi 技术扩展到汽车市场。Arm Kleidi 是一项广泛的软件及软件社区参与计划，旨在加速人工智能
2025-03-14 15:36:461423 电子发烧友网综合报道，2nm工艺制程的手机处理器已有多家手机处理器厂商密切规划中，无论是台积电还是三星都在积极布局，或将有数款芯片成为2nm工艺制程的首发产品。 苹果A19 或A20 芯片采用台
2025-03-14 00:14:002486 据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来，每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4nm工艺节点（SF4X）进行大规模生产。第四代4nm工艺
2025-03-12 16:07:1713207 电子发烧友网综合报道，日前，莱迪思宣布在FPGA设计上前瞻性的布局，使其能够结合MRAM技术，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款创新产品。这些FPGA器件采用
2025-03-08 00:10:001803 AI智能眼镜搭载了紫光展锐W517平台，这是一款专为可穿戴设备设计的超低功耗、高性能SoC芯片。W517采用了1+3的大小核CPU架构，并基于12nm制程工艺打造，融合了ePOP和超微高集成技术，从
2025-02-25 20:19:111005 
车载终端采用了联发科的八核Cortex-A53处理器，主频高达2.0GHz，并基于12nm制程工艺设计，既保证了强大的计算能力，又有效地控制了能耗。设备内置4GB RAM和64GB存储空间，运行Android 11.0系统，为多任务处理提供了流畅的用户体验，即便在复杂应用场景下亦表现出色。
2025-02-20 20:17:02607 
DLP9500UV在355nm纳秒激光器应用的损伤阈值是多少，480mW/cm²能否使用，有没有在355nm下的客户应用案例？
这个是激光器的参数：355nm，脉宽5ns，单脉冲能量60uJ，照射面积0.37cm^2，
2025-02-20 08:42:33
智能安全帽的硬件设计，内置低功耗四核处理器，主频高达2.0GHz，支持12nm制程工艺，既能保证高效的运行速度，又能有效减少能耗。用户还可以选择更高配置的八核处理器，以满足更多高性能需求。标配内存
2025-02-18 19:57:12599 
U系列继电器的概念是在保持微型封装尺寸的同时，提高频率能力。这个系列将其合法带宽扩展到了8GHz。提供了多种封装样式，如鸥翼型和J型引脚。U系列适用于需要更高频率和高密度排列的自动测试设备、电信和无线市场。
2025-02-17 13:58:40
本文主要简单介绍探讨接触孔工艺制造流程。以55nm接触控工艺为切入点进行简单介绍。 在集成电路制造领域，工艺流程主要涵盖前段工艺（Front End of Line，FEOL）与后段工艺
2025-02-17 09:43:282173 
万美元，这是华虹半导体在近三年内出现首次单季度亏损。 图：华虹半导体营收情况 华虹半导体是一家特色工艺纯晶圆代工企业，主要晶圆尺寸为8英寸和12英寸，主要面向嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理和逻辑与射频等特色工艺技术
2025-02-15 00:12:003151 
Probes Architecture 用于将 Network Discovery 的地理范围扩展到整个企业。它们可以在本地查看，也可以作为用于聚合报告的 Codima Toolbox
2025-02-14 17:08:43610 
据最新消息，台积电正计划加大对美国亚利桑那州工厂的投资力度，旨在推广“美国制造”理念并扩展其生产计划。据悉，此次投资将着重于扩大生产线规模，为未来的3nm和2nm等先进工艺做准备。
2025-02-12 17:04:04995 本文介绍了背金工艺的工艺流程。 本文将解析一下背金工艺的具体的工艺流程及每步的工艺原理。 背金工艺的工艺流程 如上图，步骤为： tape→grinding →Si etch → Detape
2025-02-12 09:33:182055 
MTK安卓主板采用了低功耗的MT8768八核平台，主频高达2.0GHz，基于先进的12nm制程工艺。这款安卓主板在4G网络下的待机电流仅为10-15mA/h，支持谷歌Android 11.0系统
2025-02-10 19:58:471130 
智能安全帽采用了基于联发科12nm低功耗高性能处理器的硬件方案，主频高达2.0GHz，标配2GB运行内存和16GB存储空间，且支持扩展至128GB，运行Android 9.0操作系统。如此配置不仅能满足复杂工况下的性能需求，还能确保高清视频通话的流畅性和稳定性。
2025-02-07 20:12:10948 
2025年2月，SEGGER宣布其实时软件验证和可视化工具SystemView增加了多核支持，将其功能扩展到单个芯片上具有多个CPU内核的系统。
2025-02-07 11:24:201175 
转换模块实现数据在不同系统间的无缝传输，提升系统的灵活性和可扩展性。 一、基本概念 CAN协议转换模块，简而言之，将CAN总线上的数据转换为其他通信协议格式(如RS-232、RS-485、Ethernet等)，或者将其他通信协议的数据转换为CAN总线数据的设备。通常由硬件电路和软件算法两部分组成，
2025-02-05 16:37:31805 据外媒最新报道，意法半导体（STMicroelectronics）与GlobalFoundries已决定暂时搁置一项共同投资高达75亿欧元的合资晶圆厂项目。该项目原计划在法国Crolles地区建设一座先进的FDSOI晶圆厂。
2025-01-24 14:10:56875 DRAM内存产品面临的良率和性能双重挑战，已决定在2024年底对现有的1b nm工艺进行改进，并从头开始设计新版1b nm DRAM。然而，三星电子现在对此表示否认，强调其并未有重新设计1b DRAM的计划。 尽管三星电子否认了重新设计的传闻，但不可否认的是，其12nm级DRAM产品确实面
2025-01-23 15:05:11921 据DigiTimes报道，三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM（1b DRAM）的报道予以否认。 此前，ETNews曾有报道称，三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 据韩媒报道，三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本，三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以达到结束开发工作、顺利进入量产阶段的要求。然而，实际情况并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001 据韩媒MoneyToday报道，三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241107 近日，据韩媒最新报道，三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时，已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状，三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上，全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:071410 在性能设计上，这款车载终端采用了高效的联发科八核处理器，采用Cortex-A53架构，主频高达2.0GHz，制程工艺仅为12nm，展现了卓越的计算能力与低能耗的优势。它内置4GB的运行内存和64GB的存储空间，搭载Android 11.0系统，确保在多任务处理时的流畅体验，满足用户的高效需求。
2025-01-20 20:22:21939 
一站式 NVM 存储 IP 供应商创飞芯（CFX）今日宣布，其反熔丝一次性可编程（OTP）技术继 2021年在国内第一家代工厂实现量产后，2024 年在国内多家代工厂关于 90nm BCD 工艺上也
2025-01-20 17:27:471647 Ceva采用台积电低功耗12nm工艺打造的新型无线电。这一技术突破，使得Links200能够在开发基于最新标准的多协议无线连接的智能边缘SoC时
2025-01-10 15:02:18958 联发科的MT8786处理器采用了灵活的2+6架构，配备2颗主频高达2.0GHz的Cortex-A75大核心和6颗主频为1.8GHz的Cortex-A55小核心，采用先进的12nm工艺制造。该处
2025-01-09 20:18:184817 
上海富瀚微电子在CES期间发布了智能眼镜芯片MC6350。 据悉MC6350兼具超低功耗、超小尺寸及更优图像效果三大优势， MC6350采用12nm低功耗工艺，而且是超小芯片尺寸；8*8mm。
2025-01-09 16:01:203175 车载终端凭借高性能的MT6765处理器，采用八核Cortex-A53架构，主频达到2.3GHz，基于12nm制程工艺，展现出卓越的计算能力和能效比。同时，终端配有强大的IMG GE8320 GPU
2025-01-08 20:11:56816 
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