千亿美元打水漂，传三星取消1.4nm晶圆代工工艺

电子发烧友网综合报道据多方消息来源推测，三星电子可能取消原计划于2027年量产的1.4nm（FS1.4）晶圆代工工艺。三星在“SamsungFoundryForum2022”上首次公开了SF1.4（1.4nm级别）工艺，原预计2027年实现量产。按照三星当时的说法，SF1.4将纳米片的数量从3个增加到4个，有望显著改善芯片在性能和功耗方面的表现。​

三星在先进制程领域目前面临重重困难。三星3nm（SF3）GAA工艺自2023年量产以来，由于良率未达预期，至今尚未获得大客户订单。这一情况导致原计划搭载第二代3nm的Exynos2500芯片推迟推出，GalaxyS25系列也全线改用高通骁龙8至尊版芯片‌。此番情况让三星前期巨额投入近乎打水漂，根据推算，三星在整个3nm项目中，投资高达共投资了1160亿美元(约合人民币8420亿)。

同样，2nm（SF2）工艺的良率表现也不理想，早期量产良率仅为30%，远低于台积电同期60%的水平。此外，英特尔18A制程在良率方面表现更优，进一步加剧了三星在尖端工艺上的竞争劣势。​

目前，2nm工艺依然是三星重点攻克的方向。三星的2nm技术采用全环绕栅极（GAA）晶体管技术，旨在优化电力传输效率，减少信号干扰，从而提升芯片性能与能效。其量产计划如下：​

·2025年：启动2nm工艺量产，初期重点面向移动终端（如用于GalaxyS26系列的Exynos2600芯片）。​

·2026年：将应用领域扩展至高性能计算（HPC）领域，争取AI芯片订单。​

·2027年：进军汽车芯片市场，推出专用工艺SF2Z。​

GAA技术曾被三星视为超越台积电的关键技术。其沟道形态从FinFET的垂直“鳍片”转变为水平堆叠的纳米片（Nanosheet）或纳米线（Nanowire），栅极材料（如高介电常数金属栅）从四周完全包裹沟道，显著增强了对电流的控制能力。同时，漏电极与源电极之间的沟道被栅极完全“锁住”，大幅降低了漏电流（较FinFET减少50%以上）。​

三星是首个将GAA技术商用的厂商，其MBCFET技术最初应用于3nm工艺，通过调整纳米片宽度（15-50nm）来满足不同性能需求。然而，遗憾的是，三星3nm工艺的良率实在太低。​

因此，三星的2nm工艺不仅要与台积电争夺客户，还需消除3nm工艺带来的负面影响。据悉，三星2nm工艺已获得日本AI公司PreferredNetworks（PFN）的订单，首次从台积电手中“夺食”，并计划为高通、苹果等客户提供试产服务。2025年3月，三星斥资5000亿韩元（约3.8亿美元）在华城半导体园区部署了ASML的High-NAEUV光刻机（型号EXE:5000），这是全球首台量产的高数值孔径极紫外光刻机，将显著提升2nm及以下制程的精度。​

三星的2nm战略以GAA技术为核心，通过激进的量产时间表和价格策略来争夺市场，但提升良率和获取客户信任仍是关键所在。如果三星能够在2025年量产2nm之前将工艺良率提升至50%以上，那么在亚2nm制程领域或许仍有三星的一席之地。否则，继续投入巨额资金研发1.4nm工艺的意义已不大。