【产品介绍】L-Edit IC和L-Edit Advanced：模拟/混合信号 (AMS) 版图-电子发烧友网

优势

支持FinFET及传统工艺，低至12nm

完整的层次化物理版图，包括任意角度和曲线多边形

支持多用户并行读写OpenAccess数据库

原理图驱动版图(SDL)和工程变更单(ECO)保持版图设计时的连续性

交互式跟随指针布线

从其他设计环境导入工艺及显示文件

与Calibre和Calibre RealTime软件集成

可在原理图、版图和LVS报告之间实现交互显示，以高亮显示走线或器件

高亮显示节点，实现连接可视化

自动抓取特征点可快速、准确的完成版图

通过参数化单元的自动实例化、实时网络飞线、布线完成度追踪、按节点和ECO追踪的图形标记/高亮显示来提高布线效率

完整的IC物理实现环境

Tanner L-Edit IC是一个模拟/混合信号(AMS)IC物理实现环境，提供快速、高效地完成设计版图所需的全部功能，包括：

原理图驱动版图(SDL)功能让用户一开始就能创建与原理图匹配的版图

高亮显示节点，实现连接可视化

输入/输出Pad坐标及版图的提取，可轻松生成焊接报告

通过直接读写OpenAccess数据库，L-Edit使用户能够与第三方工具共享设计，从而提高您的工作效率。在团队中工作时，可借助多用户支持在开始编辑时隐式锁定单元，然后在关闭窗口时解锁。直接使用代工厂提供的文件，无需手动设置工艺信息，从而节省时间。利用L-Edit的物理设计功能最大限度地提高效率，减轻CAD经理的支持负担，凭借平台独立性和灵活的许可管理轻松启动并运行。

L-Edit IC芯片视图；该版图工具是一个全面的模拟/混合信号(AMS)IC物理设计环境。

精确创建版图

L-Edit支持对任意形状、任意曲线的多边形执行复杂的布尔运算和派生层操作，提供了更高的精度。可针对对象组执行与、或、异或、减法、扩展和收缩等运算和操作。以任意工艺单位显示坐标和距离值，并自动在任意形状周围添加保护环。通过将多个版图功能映射到单个按键，进一步提高用户的工作效率。

L-Edit还支持：

在任意图层上，使用任意角度和曲线多边形执行完整层次化物理版图

使用正交、45°、任意角度和曲线绘制模式

以最快的渲染速度查看设计

命令行界面实时显示操作记录

L-Edit交互式DRC可在用户编辑版图时实时显示违规，让用户第一次就能创建紧凑、无错误的版图。

L-Edit支持参数化单元。可以采用行业标准iPDK（可互操作工艺设计套件）格式或内置的T-Cell格式创建参数化单元。

其他有助于简化编辑的功能包括：

使用虚拟Layer Palette直接在版图中更改当前绘制图层

执行无限次撤消和重做操作

执行任意角度旋转、翻转、合并、挖孔和切割操作

通过将指针捕捉到对象的顶点、边缘、中点、中心点、交点和实例来加速绘制和编辑

一键执行水平或垂直对象对齐、对象等距，或水平、垂直或以二维阵列方式平铺对象

使用基点功能指定编辑操作（例如对象旋转、翻转、移动或实例布局）的参考点

高分辨率绘图引擎支持L-Edit中的各种显示渲染，包括图例、标尺、标题等

使用WaferTools在晶圆上填充最大数量的裸片，并给每一个裸片做标记

CurveTools可以快速在版图中生成倒角和圆角。该工具在处理已转换为任意角度的曲线对象时，会为走线添加等宽的圆角，

并将多个边缘处理为一条边缘

MaskBias可逐层轻松调整掩模大小

FinFET特定功能

这种技术需要改变方法论，新产品L-Edit Advanced可以在16nm和12nm上实现这些改变。Fin格点可以基于晶圆代工厂规则来定义。版图中每个模块都定义了走线（宽度、间距）模式。还可以从先前的设计中导入走线模式或将其导出以供未来的设计使用。定义了走线模式后，就会在版图中定义一个区域并将其与一组走线模式相关联。

使用PDK中晶圆代工厂提供的程序可支持自动对接。并可生成符合DRC要求的自动对接实例。还可以放置保护环，保护环可根据晶圆代工厂工艺进行参数化和定制。这些保护环可以被打断和修复。L-Edit支持用户指定掩膜层的着色显示。

适用于多样化环境

利用L-Edit的易用性优势节省时间和成本：

利用经济实惠、可定制且易于管理的工具提供强大的功能

可快速上手

使用户能够导入和导出GDS、OASIS（来自SEMI）、DXF、Gerber和CIF文件格式

提供多语言菜单（英语、日语、简体中文、繁体中文、德语、意大利语和俄语）

自定义和过滤Layer Palette，仅显示文件、当前单元或单元及其层次结构中使用的图层，让用户更快地完成版图

让用户能够轻松地将版图复制并粘贴到文档流程中

其他生产力功能：

面积计算器

支持高分辨率MEMS掩膜文件输出