导通电阻（RDSON）指的是在规定的测试条件下，使MOSFET处于完全导通状态时（工作在线性区），漏极（D）与源极（S）之间的直流电阻，反映了MOSFET在导通状态下对电流通过的阻碍程度。
2025-05-26 15:09:34
3811 
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01:021660 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211630 日前，Vishay Intertechnology为满足爆破的苛刻要求，推出新型大尺寸电爆破点火片式 （MEPIC） 电阻，通过焦耳效应或闪光点火，使点火时间缩短到250µs以下。器件基于汽车行业
2013-02-25 13:50:511010 MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的导通电阻低至18mΩ和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:112875 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 m，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
2019-10-05 07:04:006418 1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以
2023-10-07 09:57:368691 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围
2011-10-13 09:09:311541 瑞萨电子日前发售了八款封装尺寸仅为2mm×2mm的功率MOSFET。其中两款产品“在封装尺寸为2mm见方的产品中，实现了业界最高水平的低导通电阻”。
2012-04-13 09:19:341861 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷（SPST）CMOS模拟开关
2019-03-08 15:06:392742 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
Ω@VGS=2..5V-极低导通电阻RDS（开）-低CRSS-快速切换-100%雪崩测试-提高dv/dt能力。应用：PWM应用,负载开关,电源管理。售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持
2021-03-30 14:22:40
20V转5V，20V转3.3V，20V转3V，20V转1.8V，20V转5V降压芯片，20V转3.3V降压芯片，20V转3V降压芯片，20V转1.8V。 20V我们常常需要转3.3V或者5V输出稳压
2020-10-15 17:10:55
（1）Rds（on）和导通损耗直接相关，RDSON越小，功率MOSFET的导通损耗越小、效率越高、工作温升越低。
（2）Rds（on）时正温度系数，会随着MOSFET温度升高而变大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
铨力授权一级代理商 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET
描述：
AP2222D采用先进的沟槽技术
可提供出色的RDS（ON）
低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作
该器件适用于用作
2024-10-08 11:34:42
20V。该芯片集成了两个低导通电阻的功率MOSFET：一个11mΩ开关FET和一个13mΩ整流器FET，使用具有集成斜坡补偿功能的固定频率峰值电流模式控制。HT7178 PFM,PWM两种模式可选
2018-05-28 11:31:45
AUIRF8736M2与上一代设备相比，导通电阻（Rds（on））改善了40%,从而可以将传导损耗降到最低。 性能特点： ●COOLiRFET硅技术 ●实现传导损耗最低 ●系统尺寸减小 ●成本降低 ●采用
2018-09-28 15:57:04
`品牌：NCE新洁能型号：NCE3416封装：SOT23-6批号：批号FET类型：N沟道漏源电压（Vdss）：20V漏极电流(Id)：6.5A漏源导通电阻(RDS On)：16栅源电压(Vgs
2021-07-21 16:14:39
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
度的漂移层实现高耐压。 因此，在相同的耐压值情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。 例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-04-09 04:58:00
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-05-07 06:21:55
状态之间转换，并且具有更低的导通电阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻（图 1）。图 1：SiC MOSFET（右侧）与硅
2017-12-18 13:58:36
的元件中，难于实现低导通电阻及将开关应用的能耗降至最低。为了实现这些参数的高质量组合，元件必须拥有小裸片尺寸，并带有高单元密度及低电容和低闸极电荷。 移动设备用MOSFET的微型化 通常情况下，有多种
2018-09-29 16:50:56
求一款DCDC芯片，要求输入电压最低5V 最高20V以上的降压型，频率在500K以上，效率在95以上
2022-04-18 13:50:12
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
的矛盾。 即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高得惊人，导
2023-02-27 11:52:38
20V N-沟道增强型MOSFET
20V N-沟道增强型MOSFET简介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 沟道增强型MOSFET管
20V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:36:2023 20V N沟道增强型MOSFET管
20V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:39:0026 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 TI具有最低导通电阻的全面集成型负载开关
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争
2009-12-18 09:26:061007 TI发布具备更低导通电阻的集成负载开关
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 mΩ 标准导通电阻 (RON) 比同类竞争产品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具备最低导通电阻的完全整合型负载开关
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081830 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150m（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情
2012-06-26 11:03:401004 Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款採用业界最小的晶片级封装，并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421517 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，将其MCW 0406 AT Precision系列宽端子薄膜片式电阻的欧姆值扩展至1Ω，是业内采用小尺寸0406封装的器件中阻值最低的。
2013-02-19 11:23:231599 Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关，器件可在1.5V～5.5V电压范围内工作，具有低至20mΩ的导通电阻、低静态电流， 导通电压上升斜率为3ms
2013-05-03 15:50:582187 年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。
2013-10-10 15:08:061460 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:051119 应用，把高效同步DC/DC降压转换器所需的高边和低边MOSFET都组合进小尺寸5mm x 6mm封装里，比使用分立MOSFET的方案节省空间，低边MOSFET的最大导通电阻低至6.4mΩ。
2013-12-13 15:07:131158 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。
2013-12-20 09:10:031623 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 ---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高边和低边MOSFET组合在一个小尺寸封装里，导通电阻比前一代同样封装尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可节省空间，并简化高效同步降压转换器的设计。
2014-02-10 15:16:511504 TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 MOSFET--- SiHx25N50E，该器件具有与该公司600V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。
2014-10-09 12:59:191841 
宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 10 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布有助于在智能手机、平板电脑、可穿戴设备和高端笔记本电脑中减少功耗并延长电池使用时间的新款功率MOSFET---Si8457DB。
2014-10-21 14:18:221366 
2015年1月22日，北京讯。日前，德州仪器 （TI） 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。
2015-01-22 15:33:263434 PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:041121 宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 5 月25 日，Vishay Intertechnology宣布，推出采用超小尺寸、无色SMD封装，带有圆顶透镜的新系列大红、红、琥珀和黄色的超亮LED。
2015-05-26 11:14:353318 Vishay宣布，推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽车应用的高效同步降压
2016-07-11 14:33:171295 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供了
2017-02-10 15:10:112189 不同于市场上其他芯片尺寸封装（WLCSP）而成的负载开关产品，Silego推出的三款功能丰富的低导通电阻集成电源开关，集合了顶级FETIP与系统级保护功能。
2017-09-19 17:34:597 M2105-双路20v MOSFET驱动器芯片相关资料
2018-04-08 17:49:5864 MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12:0015153 新的芯片级MICRO FOOT P沟道Si8457DB在1.8V栅极驱动下具有1.6mm x 1.6mm占位的MOSFET当中最低的导通电阻，也是唯一VGS 达到±8V的此类器件，为锂离子电池供电的应用提供了额外的安全裕量。
2018-08-28 09:10:001427 关键词：MOSFET , FemtoFET 小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源，延长电池使用寿命 德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻
2018-10-13 11:03:01728 ;功率MOSFET所用的MICRO FOOTreg;封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。 Si8802DB和Si8805EDB可用于手持设备中的负载切换，包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和移动计算设备。在
2019-01-01 16:29:011015 安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻
2020-06-15 14:19:404976 对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。
2020-06-22 15:54:121262 ，温度及其高，不利于电路的稳定和工作。注意 20V 输入时，在通电和接上电时，会产生输入尖峰电压，一般是 0.5V 倍-3 倍左右，所以我们需要选择输入电压范围更宽的
2020-10-12 08:00:007 20V 转 5V，20V 转 3.3V，20V 转 3V，20V 转 1.8V， 20V 转 5V 降压芯片，20V 转 3.3V 降压芯片，20V 转 3V 降压芯片，20V 转 1.8V
2020-10-14 08:00:008 SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V时最大导通电阻为20 mW，典型栅极电荷为9.2 nC，而通道2 MOSFET在10 V时的导通电阻为8.6 mW，典型栅极电荷为19.2 nC。
2020-12-15 16:14:26942 3.3 mm PowerPAK 1212-8S 封装，10 V 条件下导通电阻仅为 0.95 mΩ，比上一代产品低 5 %。此外， 4.5 V 条件下器件导通电阻为 1.5 mΩ，而 4.5 V 条件下导通电阻与栅极电荷乘积，即 MOSFET 开关应用重要优值系数（FOM）为 29.
2021-05-28 17:25:573908 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞 争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之以
2022-03-17 09:35:333704 Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求 奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超
2022-07-06 16:13:221106 
NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-18 17:16:071416 
NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-19 09:07:171639 
NP2302MR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-20 09:09:431646 
Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数（FOM）创业界新低。
2022-10-14 16:16:121359 SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22919 ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
。“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:021476 
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:026122 
的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:561060 近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:571617 近日，昕感科技发布一款兼容15V栅压驱动的1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0，导通电阻在15V栅压下低至13mΩ，配合低热阻TO-247-4L Plus封装，可以有效提升电流能力，满足客户的大功率应用需求。
2024-05-11 10:15:441889 
电子发烧友网站提供《解决芯片级功率MOSFET的组装问题.pdf》资料免费下载
2024-08-27 11:17:240 近日，锐骏半导体正式推出了两款全新的超低导通电阻MOSFET产品，为市场带来了更加高效的解决方案。
2024-10-08 15:15:391054 这款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 （LGA） NexFET™ 器件旨在以尽可能小的外形提供最低的导通电阻和栅极电荷，并在超扁平中具有出色的热特性。基板栅格阵列 （LGA） 封装是一种硅芯片级封装，采用金属焊盘而不是焊球。
2025-04-16 09:18:13614 
这款20V N沟道MOSFET采用双芯片设计，基于MDD独特的器件结构，可实现低导通电阻和快速开关特性。
2025-07-10 14:30:360 近日，派恩杰半导体正式发布基于第四代平面栅工艺的SiC MOSFET系列产品。该系列在750V电压平台下，5mm × 5mm芯片尺寸产品的导通电阻RDS(on)最低可达7mΩ，达到国际领先水平。相比
2025-08-05 15:19:011210 
在电池管理系统（BMS）中，MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件，其导通电阻（RDS(on)）参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE，在支持客户调试或可
2025-11-12 11:02:47339 
在电源管理系统和高效电池管理系统（BMS）设计中，MOSFET作为开关元件，扮演着重要角色。由于其导通电阻直接影响到电路效率、功率损耗和热量产生，因此低导通电阻的MOSFET成为越来越多高效系统
2025-12-16 11:01:13198 
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