奈梅亨，2022年4月27日：基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用无引脚DFN封装，配有侧边可湿焊盘 (SWF)。这些器件坚固耐用，节省
2022-04-27 18:08:53
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奈梅亨，2022年5月12日：基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合，重点发布的BUK9M20-60EL为单N沟道60 V
2022-05-12 10:20:496099 
PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力
2022-07-27 10:14:36951 
Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件
2011-05-13 08:44:561298 Diodes公司推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。X3-DFN0603-2封装可满足平板电脑、手机等轻巧便携式产品对组件微型化日益增长的需求。
2012-10-25 15:38:002340 Fig. 2标出了我们所关注的MOSFET器件的几何尺寸，包括沟道的有效长度L_eff（导体的长度L_drawn略大于L_eff），沟道的宽度W，绝缘层的厚度t_ox，这些参数主要影响沟道两侧的电容和沟道的电阻，从而影响着电压电流的关系，后面的表达式会用到这些尺寸。
2023-02-16 11:35:284111 
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装，占位面积仅为0.62 x 0.62 mm，与前一代DFN1006器件相比，节省了超过36%的空间。
2020-04-23 11:05:581200 LFPAK封装采用铜夹片结构，由Nexperia率先应用，已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年。
2020-05-08 09:02:451852 采用DFN2020D-6 （SOT1118D）封装，能有效节省空间。
2020-10-12 11:20:341171 Nexperia新款MOSFET电热模型的详细预览，该模型可以在仿真中准确呈现器件的静态和动态特性，并降低在设计过程后期发现EMC问题的风险。
2021-08-30 09:47:281989 
Nexperia（安世半导体）今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。
2022-03-24 09:31:462291 
采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装，并集成BJT和电阻，加倍节省空间 奈梅亨， 2023 年 9 月 27 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布新推出全新
2023-09-27 09:19:431044 
) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia
2023-11-30 09:12:021307 
`315433MHZ超小尺寸方案，详情见图`
2018-06-05 19:00:04
DFN,QFN代工QQ67217217
2015-07-21 13:41:32
产品概述：8323是两款国内首创采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压电路,提供稳定的电压给触摸感应电路使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为取代
2018-08-31 11:14:25
`产品概述：8323是国内首创采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压电路,提供稳定的电压给触摸感应电路使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为取代
2019-07-23 09:11:37
`Nexperia 200V超快恢复整流器拥有高功率密度，同时最大限度地减少了反向恢复时间和损耗。这些器件是大功率密度、超快恢复整流器，采用高效平面技术，采用小型扁平引线SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
`Nexperia汽车用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101标准的器件，符合汽车行业制定的严格标准。这些Nexperia汽车器件设计用于比家用和便携式应用中使用的功率MOSFET更恶劣
2021-01-23 11:20:27
，设计工程师已经习惯于接受效率和隔离能力之间的折衷。然而，来自 Nexperia 的最新特定应用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了这样的折衷。它们得益于卓越的超结技术，可产生较低的导通电阻，而
2022-10-28 16:18:03
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超结功率MOSFET技术白皮书资料来自网络
2019-06-26 20:37:17
`罗姆低门驱动电压MOSFET具有0.9伏至10伏的宽驱动类型。 这种广泛的驱动器类型范围支持从小信号到高功率的各种应用。 这些MOSFET具有与微型封装（0604尺寸）一样小的尺寸选择。 各种大小
2021-02-02 09:55:16
?电池寿命。 ·电池反向保护连接·集成先进功率MOSFET相当于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·过充释放电压低·过热保护·过度充电电流保护·两步过电流检测:过量放电电流负载短路
2019-08-24 09:36:42
`深圳市展嵘电子有限公司朱一鸣 手机号码：***QQ：1275294458XB6091全网超小封装DFN1X1封装之一，耳机二合一保护IC专用XB6091ISC产品是一个高锂的集成解决方案?离子
2019-05-05 19:42:04
DFN1X1x0.37-4包装，只有一个外部组件使其成为理想的组件解决方案在有限的空间电池包。XB6091ISC具有所有的保护功能要求在电池应用中包括过度充电、过放电、过电流以及负载短路保护等准确的超充电检测电压
2018-11-01 19:06:21
长时间使用的信息设备?电池寿命。·电池反向保护连接·集成先进功率MOSFET相当于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·过充释放电压低·过热保护·过度充电电流保护·两步过电流检测:过量
2019-08-29 09:13:50
扬杰电子，代工DFN,QFN,不分单，有需求联系：QQ67217217
2015-07-21 13:34:27
扬杰电子，代工DFN,QFN,不分单，有需求联系：QQ67217217
2015-07-21 13:29:59
超小尺寸宽带频率源，低相噪保证，可内外置晶振，唯一的区别在于腔体的高度增加两毫米。可靠地质量。仁健微波，频率源专家。{:12:}
2013-07-11 09:58:40
长期供应泰德IC MOSFET产品：[tr=transparent]针对快充应用 全系列的MOSFET [/tr] [tr=transparent]PartNumberpackagecfgBv(v
2018-06-07 16:51:22
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求，意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术，例如， IGBT和最新的超结功率MOSFET。 本文在实际
2018-11-20 10:52:44
几乎所有的设备都有印刷电路板。然而，并不是每个设备都有相同的大小。例如，与电视相比，智能手机需要非常小的PCB。与重型机械相比，电视机需要更小的PCB。因此，这些尺寸在电路中起着至关重要的作用。设计人员必须根据设备尺寸来设计印刷电路板。而我们如何选择这些电子印刷电路板的尺寸呢？
2023-04-14 15:17:35
：介于平面和超结型结构中间的类型超级结结构是高压MOSFET技术的重大发展并具有显著优点，其RDS(on)、栅极容值和输出电荷以及管芯尺寸同时得到降低。为充分利用这些快速和高效器件，设计工程师需要非常注意
2018-10-17 16:43:26
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 编辑
针对快充应用设计需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封装的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响:对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM 器件为例，介绍了超结器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:27
31 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间
2011-05-31 09:31:183977 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:402363 日前，集设计，开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司（AOS），发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:243028 宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 5 月25 日，Vishay Intertechnology宣布，推出采用超小尺寸、无色SMD封装，带有圆顶透镜的新系列大红、红、琥珀和黄色的超亮LED。
2015-05-26 11:14:353318 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸为1mm2或小于0.7mm2，开启电压低至1.2V
2015-06-19 17:07:561374 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装，分别
2015-12-16 16:57:431580 关键词：MOSFET , NXP , PBSM5240PF , Trench 恩智浦半导体（NXP）推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道
2019-01-07 12:53:02994 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。
2020-05-09 11:07:263713 AOI检测等优点的DFN（分立式扁平无引脚）封装，涵盖Nexperia的所有产品组合，包括开关、肖特基、齐纳和保护二极管、双极结晶体管（BJT）、N沟道及P沟道MOSFET、配电阻晶体管和LED驱动器。
2020-06-29 15:09:053584 基本半导体专家Nexperia今天宣布为其 MOSFET 器件发布新的增强型电热模型。半导体制造商通常会为其 MOSFET 提供仿真模型，但这些模型通常只包含在典型工作温度下建模的有限数量的器件参数
2022-03-28 09:56:055026 Nexperia全新POWER MOSFET工程师设计指南 认识理解功率 MOSFET 数据手册中的参数 功率 MOSFET 单次和重复雪崩强度限值 RC 热阻模型的使用 基于 LFPAK 封装的 MOSFET 热设
2022-04-07 11:40:220 信驰达发布尺寸仅为 8.0 x 8.0 mm 的 RF-BM-BG22C3 超小体积蓝牙透传模块，丰富信驰达 RF-BM-BG22 系列产品线。
2022-09-15 11:58:073164 基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。
2022-09-21 00:08:341458 __[导读]__Nexperia 是基本半导体领域的专家，最近宣布其最新产品添加到越来越多的分立器件中，该器件采用具有侧面可湿性侧面 (SWF) 的无引线 DFN 封装。这些节省空间且坚固耐用的组件
2022-09-27 11:53:231984 设备。 多年来，Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的
2022-11-18 10:32:58992 
的安全工作区（SOA）性能与超低的 RDS(on)相结合，非常适合用于 12V 热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。 多年来，Nexperia（安世半导体）致力于将成熟的 MOSFET 专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键 MOSFET 的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的
2022-11-21 16:11:381509 Nexperia（安世半导体）持续加大投资，扩大产能，以满足市场对于 CFP 封装产品不断增长的需求。为满足高电压功率应用的广大需求，Nexperia（安世半导体）计划进一步扩大 650 V 表面贴装的快恢复整流管（高达30 A）
2022-11-22 14:57:251359 维安高压超结MOSFET，轻松解决LED电源浪涌
2022-12-30 17:07:221504 
虽然尺寸至关重要，但在许多方面，Nexperia的DFN0603 MOSFET的真正优势在于其RDSon。提供额定 VGS 为 4.5 V 的选项，典型 RDSon 低至 122 mΩ。在某些
2023-02-03 10:39:551024 
针对空间非常紧凑的功率MOSFET应用而言，3x3封装是理想的尺寸。因此，在Nexperia的MOSFET产品序列中，采用了非常可靠的高性能LFPAK33封装。Nexperia开发了MLPAK33，它是一款功率MOSFET封装，与业界闻名的DFN3333封装保持管脚兼容性，提供给客户另外一个选项。
2023-02-08 09:18:001183 尽管DFN封装的尺寸非常紧凑，但它具有出色的功耗能力。然而， 使用具有低热阻和足够导热性的 PCB 是强制性的，以允许适当的横向散热.图2中的红外图片显示了高功率密度，显示了SOT23
2023-02-08 09:45:384505 
Nexperia 文档白皮书 RET 设备 2021-Nexperia_document_wh...
2023-02-08 19:15:040 自动焊接在电子元件如何在PCB上工作方面起着至关重要的作用。一般来说，有两种主要技术：表面贴装封装的回流焊和通孔或双列直插式封装的波峰焊。Nexperia创建了DFN波峰焊评估项目，以确定波峰焊工艺对于某些分立式扁平无铅（DFN）封装是否可行。
2023-02-09 09:50:092499 用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS 中的 Nexperia 精密电热模型-AN90034
2023-02-09 21:43:380 对于移动和便携式产品应用中，尤其是可穿戴设备来说，准则是更精简、更高效。通过使用高效的开关选项，设计者可以拥有更多空间来嵌入功能，同时最大限度降低电池消耗。Nexperia新发布的小信号MOSFET采用超小型DFN0606，拥有低导通电阻，能够节省大量空间
2023-02-10 09:33:311073 
Nexperia逻辑产品组合中的移位寄存器有助于减小使用LED的设计的尺寸和BOM。通过提供I/O扩展，移位寄存器支持使用引脚较少的较便宜的微控制器。
2023-02-10 10:08:131577 
新一代的超结结构的功率MOSFET中有一些在关断的过程中沟道具有提前关断的特性，因此，它们的关断的特性不受栅极驱动电阻的控制，但是，并不是所有的超结结构的功率MOSFET都具有这样的特性，和它们内部结构、单元尺寸以及电压额定等多个因素相关。
2023-02-16 10:39:361600 
Nexperia 白皮书沟槽肖特基整流器日语-nexperia_whitepaper_...
2023-02-16 19:52:000 MOSFET 和 GaN FET 应用手册-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1692 NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大连续电流-AN90016
2023-02-17 19:38:100 白皮书：DFN 能否成功进行波峰焊？-Nexperia_document_wh...
2023-02-17 19:40:190 Side-Wettable Flanks 可在无引线 SMD (DFN) 封装上启用 AOI-Nexperia_document_wh...
2023-02-20 19:05:261 Nexperia | 了解RET的开关特性
2023-05-24 12:16:301383 
Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:571193 日：基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET (ASFET) 新产品组合，重点发布的 BUK9M20-60EL 为单 N 沟道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:111160 电子发烧友网站提供《MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:36:081 Nexperia 适用于 36V 电池系统的特定应用 MOSFET
2023-11-30 11:47:401120 
Nexperia（安世半导体）再次在 APEC 上展示产品创新，宣布发布几款新型 MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。
2024-02-29 11:44:531341 全球知名半导体制造商Nexperia（安世半导体）在最近的APEC上展示了其最新的产品创新，宣布推出几款新型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），以进一步扩大其分立开关解决方案的覆盖范围。这些新产品旨在满足多个终端市场中各种应用的需求。
2024-03-04 11:41:461356 在追求更长电池寿命和无电池应用趋势的推动下，全球知名半导体厂商Nexperia（安世半导体）近日发布了一款创新的能量平衡计算器。这款网络工具专为电池管理工程师设计，旨在通过提供精确的数据支持，帮助
2024-03-11 10:13:361257 在智能穿戴设备领域，微型化、高性能的图像传感器需求日益增加。思特威（SmartSens，股票代码688213），一家技术领先的CMOS图像传感器供应商，近日发布了全新0.16MP超小尺寸背照式全局快门CMOS图像传感器SC020HGS。
2024-05-11 15:29:402039 Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司推出了业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 近日，全球知名的半导体制造商Nexperia(安世)半导体推出采用D2PAK-7SMD封装的高度先进的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次发布的MOSFET共包含四种不同选项，RDSon值
2024-05-23 10:57:391110 
随着可穿戴设备市场的持续繁荣，如何在极其紧凑的电路板空间中集成多种功能成为行业面临的重要挑战。近日，半导体巨头Nexperia推出了一款专为便携设备设计的微型尺寸DFN0603 MOSFET，为设计师们提供了全新的解决方案。
2024-05-28 09:59:281245 Nexperia超快整流器采用紧凑型热效率封装，具有快速开关性能和软恢复功能。它占地面积小，非常适合电路板空间有限的便携式和汽车应用。该器件外形小巧，非常适合作为DC/DC转换器中的反向极性保护或续
2024-06-19 15:39:381279 
Nexperia2N7002BK,215N沟道MOSFET是一款高效能的Trench MOSFET，设计用于表面贴装技术，适合各种高频和高效能的应用。其逻辑电平兼容性和极快的开关速度使其在现代
2024-07-01 11:50:242440 
在半导体技术的持续创新浪潮中，Nexperia再次站在了行业的前沿，隆重推出了两款专为高压环境精心设计的650V超快速恢复整流二极管。这两款产品不仅代表了Nexperia在高压半导体元件领域的深厚积累，也预示着工业及消费领域将迎来更高效、更可靠的电力转换解决方案。
2024-07-12 15:20:431381 MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如，应用可能要求软启动、扩展的安全工作区域、可靠的线性模式性能或增强的保护。在Nexperia，我们将久经验证的MOSFET专业知识和广泛的应用认知相结合，打造了一系列更丰富的应用专用MOSFET。
2024-07-15 16:07:171031 全球基础半导体器件领域的高产能生产领军者Nexperia（安世半导体）近日宣布了一项重要战略举措，旨在持续强化其NextPower系列MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的产品阵容。此次扩充
2024-08-13 14:33:141160 随着电动车、可再生能源和数据中心等领域对高效、高性能组件需求的持续上升，电源管理系统的复杂性也随之增加，市场对更先进和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。对此，Nexperia、东芝和Navitas等
2024-08-27 11:47:541396 
BJT产品，涵盖标准与汽车级应用，均采用先进的DFN2020D-3封装技术。这一举措不仅丰富了其BJT产品线，更彰显了Nexperia在技术创新与市场响应速度上的领先地位。
2024-09-03 14:28:571386 场效应管(MOSFET) AGM4025A DFN5x6 40V 125A
2024-11-26 10:02:56809 
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度
2024-12-12 11:35:134678 提供超低RDS(on)和超高的电流与热管理能力 奈梅亨，2024 年12 月12 日 ：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片
2024-12-16 14:09:09578 电子发烧友网站提供《超小尺寸P沟道FemtoFET MOSFET测试EVM.pdf》资料免费下载
2024-12-21 10:41:160 电子发烧友网站提供《超小尺寸N沟道FemtoFETT MOSFET测试EVM.pdf》资料免费下载
2024-12-21 10:43:120 电子发烧友网站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》资料免费下载
2025-02-13 17:21:182 随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口超结MOSFET，不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET,电源客户从超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的温度稳定性，还采用了先进的表面贴装(SMD
2025-03-20 11:18:11964 
Nexperia（安世半导体）正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233 、高性能、高可靠性，同时也注重成本效益。因此，对于大部分电源、充电器、电池管理系统 (BMS) 和电机驱动器，关键在于以适当的小尺寸封装和合适的价格提供恰当的RDS(on)值。Nexperia新发布的MLPAK33封装的60 V MOSFET系列产品正好满足了这一市场需求。
2025-05-23 13:33:33781 面对大功率和高电压应用不断增长的需求，Nexperia（安世半导体）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。这些器件具备出色的RDS(on)温度稳定性、超快的开关速度以及超强的短路耐受性，是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器以及电机驱动的不二选择。
2025-06-14 14:56:401365 
Nexperia（安世半导体）近日推出40-100 V汽车MOSFET产品组合，该系列采用行业标准微引脚封装，专为车身控制、信息娱乐、电池防反保护及LED照明应用设计。
2025-09-12 09:38:45630 Nexperia（安世半导体）近日宣布，为旗下不断扩充的应用专用MOSFET (ASFET)产品组合再添新产品。ASFET系列的产品特性经优化调校，可满足特定终端应用的严苛需求。其中，80 V
2025-10-10 11:22:27701 ROHM（罗姆半导体）宣布，开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封装，非常适用于采用48V电源AI
2025-11-17 13:56:19200 
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